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58 条记录 (耗时 0.038 秒)

    Flexible segmented image sensor
    33.
    发明申请
    Flexible segmented image sensor 有权
    灵活的分段图像传感器

    公开(公告)号：US20080151089A1

    公开(公告)日：2008-06-26

    申请号：US11644072

    申请日：2006-12-22

    申请人： Robert A. Street ,  Sanjiv Sambandan ,  Jeng Ping Lu

    发明人： Robert A. Street ,  Sanjiv Sambandan ,  Jeng Ping Lu

    IPC分类号： H04N5/335

    CPC分类号： H04N5/335 ,  H01L27/14601 ,  H01L27/14692 ,  H01L31/03921 ,  H04N5/3696 ,  Y02E10/50

    摘要： A method of making a curved sensor is described. The method involves projecting portions of a curved three dimensional structure such as a hemisphere onto a two dimensional substrate in an outline pattern. The outline pattern typically serves as a perimeter of a sensor. After forming a sensor in the shape of the outline pattern, the two dimensional substrate is flexed to form a three dimensional sensor structure.

    摘要翻译： 描述制作弯曲传感器的方法。 该方法涉及将轮廓图案中的诸如半球的弯曲三维结构的部分投影到二维基板上。 轮廓图案通常用作传感器的周边。 在形成轮廓图案形状的传感器之后，使二维基板弯曲以形成三维传感器结构。

    Thin phosphorus nitride film as an n-type doping source used in a laser doping technology
    35.
    发明授权
    Thin phosphorus nitride film as an n-type doping source used in a laser doping technology 有权
    作为用于激光掺杂技术的n型掺杂源的薄磷氮化膜

    公开(公告)号：US06818535B2

    公开(公告)日：2004-11-16

    申请号：US10282265

    申请日：2002-10-28

    申请人： Jeng Ping Lu ,  Ping Mei ,  James B. Boyce

    发明人： Jeng Ping Lu ,  Ping Mei ,  James B. Boyce

    IPC分类号： H01L2100

    CPC分类号： H01L29/66765 ,  H01L21/2254 ,  H01L29/78669

    摘要： An improved method and system for laser doping a semiconductor material is described. In the invention, phosphorous nitride is used as a dopant source. The phosphorous nitride is brought into close proximity with a region of the semiconductor to be doped. A pulse of laser light decomposes the phosphorous nitride and briefly melts the region of semiconductor to be doped to allow incorporation of dopant atoms from the phosphorous nitride into the semiconductor.

    摘要翻译： 描述了用于激光掺杂半导体材料的改进的方法和系统。 在本发明中，使用氮化磷作为掺杂剂源。 使磷氮化物与要掺杂的半导体的区域紧密接近。 激光的脉冲分解氮化亚氮，并且短暂熔化要掺杂的半导体的区域，以允许将掺杂剂原子从氮化磷引入到半导体中。

    Thin phosphorus nitride film as an N-type doping source used in laser doping technology
    36.
    发明授权
    Thin phosphorus nitride film as an N-type doping source used in laser doping technology 有权
    薄磷氮化膜作为激光掺杂技术中使用的N型掺杂源

    公开(公告)号：US06586318B1

    公开(公告)日：2003-07-01

    申请号：US09473576

    申请日：1999-12-28

    申请人： Jeng Ping Lu ,  Ping Mei ,  James B. Boyce

    发明人： Jeng Ping Lu ,  Ping Mei ,  James B. Boyce

    IPC分类号： H01L2100

    CPC分类号： H01L29/66765 ,  H01L21/2254 ,  H01L29/78669

    摘要： An improved method and system for laser doping a semiconductor material is described. In the invention, phosphorous nitride is used as a dopant source. The phosphorous nitride is brought into close proximity with a region of the semiconductor to be doped. A pulse of laser light decomposes the phosphorous nitride and briefly melts the region of semiconductor to be doped to allow incorporation of dopant atoms from the phosphorous nitride into the semiconductor.

    摘要翻译： 描述了用于激光掺杂半导体材料的改进的方法和系统。 在本发明中，使用氮化磷作为掺杂剂源。 使磷氮化物与要掺杂的半导体的区域紧密接近。 激光的脉冲分解氮化亚氮，并且短暂熔化要掺杂的半导体的区域，以允许将掺杂剂原子从氮化磷引入到半导体中。

    Integrated thin film imager for bright field, dark field, and frustrated total internal reflection imaging
    38.
    发明授权
    Integrated thin film imager for bright field, dark field, and frustrated total internal reflection imaging 有权
    集成薄膜成像仪，用于明场，暗场和沮丧的全内反射成像

    公开(公告)号：US09047500B2

    公开(公告)日：2015-06-02

    申请号：US13584528

    申请日：2012-08-13

    申请人： Jeng Ping Lu

    发明人： Jeng Ping Lu

    IPC分类号： G03B7/00 ,  G06K9/00 ,  G03B15/03

    CPC分类号： G06K9/00046 ,  G03B15/03

    摘要： An optical imaging system includes a thin film imager that is able to create images of objects in various modes of imaging such as bright field, dark field, frustrated total internal reflection, fly eye, and the like. The imaging system may be an integrated optical design that performs different modes of optical imaging in the same imaging device by positioned pin hole structures in geometries that capture images according to the desired mode of imaging.

    摘要翻译： 光学成像系统包括薄膜成像器，其能够以诸如亮场，暗场，沮丧的全内反射，飞眼等的各种成像模式产生物体的图像。 成像系统可以是集成光学设计，其通过在根据期望的成像模式捕获图像的几何形状中定位的针孔结构来在相同的成像装置中执行不同的光学成像模式。

    FLAT-PANEL DISPLAY SEMICONDUCTOR PROCESS FOR EFFICIENT MANUFACTURING
    39.
    发明申请
    FLAT-PANEL DISPLAY SEMICONDUCTOR PROCESS FOR EFFICIENT MANUFACTURING 有权
    用于高效制造的平面显示半导体工艺

    公开(公告)号：US20100140620A1

    公开(公告)日：2010-06-10

    申请号：US12331318

    申请日：2008-12-09

    申请人： Jackson H. Ho ,  Jeng Ping Lu

    发明人： Jackson H. Ho ,  Jeng Ping Lu

    IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

    CPC分类号： H01L27/124 ,  H01L21/268 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/66765

    摘要： An embodiment is a method and apparatus to fabricate a flat panel display. A poly-last structure is formed for a display panel using an amorphous silicon or amorphous silicon compatible process. The poly-last structure has a channel silicon precursor. The display panel is formed from the poly-last structure using a polysilicon specific or polysilicon compatible process.

    摘要翻译： 实施例是制造平板显示器的方法和装置。 使用非晶硅或非晶硅兼容工艺形成用于显示面板的多晶硅结构。 多晶硅结构具有通道硅前体。 显示面板由使用多晶硅特定或多晶硅兼容工艺的多晶硅结构形成。

    Method using monolayer etch masks in combination with printed masks
    40.
    发明授权
    Method using monolayer etch masks in combination with printed masks 失效
    使用单层蚀刻掩模与印刷掩模组合的方法

    公开(公告)号：US07524768B2

    公开(公告)日：2009-04-28

    申请号：US11388718

    申请日：2006-03-24

    申请人： Eugene M. Chow ,  William S. Wong ,  Michael Chabinyc ,  Jeng Ping Lu ,  Ana Claudia Arias

    发明人： Eugene M. Chow ,  William S. Wong ,  Michael Chabinyc ,  Jeng Ping Lu ,  Ana Claudia Arias

    IPC分类号： H01L21/302

    CPC分类号： H01L21/302 ,  H01L21/0271 ,  H01L21/0273 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1288 ,  H01L27/1292 ,  H01L29/66765

    摘要： A method to pattern films into dimensions smaller than the printed pixel mask size. A printed mask is deposited on a thin film on a substrate. The second mask layer is selectively deposited onto the film, but not to the printed mask. A third mask is then printed onto the substrate to pattern a portion of the second mask. Certain solvents are then used to remove the printed mask but not the mask layer on the thin film. The mask layer is then used to form a pattern on the thin film in combination with etching. The features formed in the thin film are smaller than the smallest dimension of the printed mask. The coated mask layer can be a self-assembled mono-layer or other material that selectively binds to the thin film.

    摘要翻译： 将薄膜图案尺寸小于印刷像素掩模尺寸的方法。 印刷的掩模沉积在基底上的薄膜上。 第二掩模层选择性地沉积在膜上，而不是印刷在掩模上。 然后将第三掩模印刷到基底上以对第二掩模的一部分进行图案化。 然后使用某些溶剂去除印刷的掩模，而不是薄膜上的掩模层。 然后将掩模层与蚀刻结合在薄膜上形成图案。 形成在薄膜中的特征小于印刷掩模的最小尺寸。 涂覆的掩模层可以是选择性地结合薄膜的自组装单层或其它材料。