公开(公告)号：US20110188293A1

公开(公告)日：2011-08-04

申请号：US13087087

申请日：2011-04-14

申请人： Wei Tian ,  Insik Jin ,  Venugopalan Vaithyanathan ,  Haiwen Xi ,  Michael Xuefei Tang ,  Brian Lee

发明人： Wei Tian ,  Insik Jin ,  Venugopalan Vaithyanathan ,  Haiwen Xi ,  Michael Xuefei Tang ,  Brian Lee

IPC分类号： G11C11/00

CPC分类号： G11C11/16 ,  G11C13/0011 ,  G11C13/003 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2213/51 ,  G11C2213/76 ,  H01L27/2409 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1246

摘要： A non-volatile memory cell and associated method is disclosed that includes a non-ohmic selection layer. In accordance with some embodiments, a non-volatile memory cell consists of a resistive sense element (RSE) coupled to a non-ohmic selection layer. The selection layer is configured to transition from a first resistive state to a second resistive state in response to a current greater than or equal to a predetermined threshold.

摘要翻译： 公开了一种包括非欧姆选择层的非易失性存储单元和相关联的方法。 根据一些实施例，非易失性存储器单元由耦合到非欧姆选择层的电阻感测元件（RSE）组成。 响应于大于或等于预定阈值的电流，选择层被配置为从第一电阻状态转变到第二电阻状态。

公开(公告)号：US20110007544A1

公开(公告)日：2011-01-13

申请号：US12501689

申请日：2009-07-13

申请人： Venugopalan Vaithyanathan ,  Markus Jan Peter Siegert ,  Wei Tian ,  Muralikrishnan Balakrishnan ,  Insik Jin

发明人： Venugopalan Vaithyanathan ,  Markus Jan Peter Siegert ,  Wei Tian ,  Muralikrishnan Balakrishnan ,  Insik Jin

IPC分类号： G11C11/00 ,  G11C11/34 ,  H01L47/00 ,  H01L29/12

CPC分类号： G11C13/02 ,  G11C13/0007 ,  G11C2213/31 ,  G11C2213/34 ,  G11C2213/54 ,  G11C2213/55 ,  H01L45/08 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1266 ,  H01L45/142 ,  H01L45/144 ,  H01L45/146

摘要： A non-volatile memory cell and method of use therefore are disclosed. In accordance with various embodiments, the memory cell comprises a tunneling region disposed between a conducting region and a metal region, wherein the tunneling region comprises an active interface region disposed between a first tunneling barrier and a second tunneling barrier. A high resistive film is formed in the active interface region with migration of ions from both the metal and conducting regions responsive to a write current to program the memory cell to a selected resistive state.

摘要翻译： 因此公开了一种非易失性存储单元及其使用方法。 根据各种实施例，存储器单元包括设置在导电区域和金属区域之间的隧道区域，其中隧穿区域包括设置在第一隧道势垒和第二隧道势垒之间的有源界面区域。 在有源界面区域中形成高电阻膜，其中响应于写入电流使来自金属和导电区域的离子的迁移，以将存储器单元编程到选定的电阻状态。

公开(公告)号：US08289751B2

公开(公告)日：2012-10-16

申请号：US13117849

申请日：2011-05-27

申请人： Wei Tian ,  Nurul Amin ,  Insik Jin ,  Ming Sun ,  Venu Vaithyanathan ,  YoungPil Kim ,  Chulmin Jung

发明人： Wei Tian ,  Nurul Amin ,  Insik Jin ,  Ming Sun ,  Venu Vaithyanathan ,  YoungPil Kim ,  Chulmin Jung

IPC分类号： G11C11/00

CPC分类号： G11C13/003 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0011 ,  G11C13/004 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2213/15 ,  G11C2213/31 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/56 ,  G11C2213/76

摘要： A non-volatile memory cell with a programmable unipolar switching element, and a method of programming the memory element are disclosed. In some embodiments, the memory cell comprises a programmable bipolar resistive sense memory element connected in series with a programmable unipolar resistive sense switching element. The memory element is programmed to a selected resistance state by application of a selected write current in a selected direction through the cell, wherein a first resistance level is programmed by passage of a write current in a first direction and wherein a second resistance level is programmed by passage of a write current in an opposing second direction. The switching element is programmed to a selected resistance level to facilitate access to the selected resistance state of the memory element.

摘要翻译： 公开了一种具有可编程单极开关元件的非易失性存储单元，以及编程存储器元件的方法。 在一些实施例中，存储单元包括与可编程单极性电阻感测开关元件串联连接的可编程双极性电阻读出存储元件。 通过在所选择的方向上通过单元施加选择的写入电流将存储元件编程为所选择的电阻状态，其中通过沿第一方向的写入电流来编程第一电阻电平，并且其中第二电阻电平被编程 通过在相反的第二方向上的写入电流。 开关元件被编程为所选择的电阻水平以便于访问存储元件的所选择的电阻状态。

公开(公告)号：US20110228599A1

公开(公告)日：2011-09-22

申请号：US13117849

申请日：2011-05-27

申请人： Wei Tian ,  Nurul Amin ,  Insik Jin ,  Ming Sun ,  Venu Vaithyanathan ,  YoungPil Kim ,  Chulmin Jung

发明人： Wei Tian ,  Nurul Amin ,  Insik Jin ,  Ming Sun ,  Venu Vaithyanathan ,  YoungPil Kim ,  Chulmin Jung

IPC分类号： G11C11/00

CPC分类号： G11C13/003 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0011 ,  G11C13/004 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2213/15 ,  G11C2213/31 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/56 ,  G11C2213/76

摘要： A non-volatile memory cell with a programmable unipolar switching element, and a method of programming the memory element are disclosed. In some embodiments, the memory cell comprises a programmable bipolar resistive sense memory element connected in series with a programmable unipolar resistive sense switching element. The memory element is programmed to a selected resistance state by application of a selected write current in a selected direction through the cell, wherein a first resistance level is programmed by passage of a write current in a first direction and wherein a second resistance level is programmed by passage of a write current in an opposing second direction. The switching element is programmed to a selected resistance level to facilitate access to the selected resistance state of the memory element.

摘要翻译： 公开了一种具有可编程单极开关元件的非易失性存储单元，以及编程存储器元件的方法。 在一些实施例中，存储单元包括与可编程单极性电阻感测开关元件串联连接的可编程双极性电阻读出存储元件。 通过在所选择的方向上通过单元施加选择的写入电流将存储元件编程为所选择的电阻状态，其中通过沿第一方向的写入电流来编程第一电阻电平，并且其中第二电阻电平被编程 通过在相反的第二方向上的写入电流。 开关元件被编程为所选择的电阻水平以便于访问存储元件的所选择的电阻状态。

公开(公告)号：US20100110765A1

公开(公告)日：2010-05-06

申请号：US12497964

申请日：2009-07-06

申请人： Wei Tian ,  Nurul Amin ,  Insik Jin ,  Ming Sun ,  Venu Vaithyanathan ,  YoungPil Kim ,  Chulmin Jung

发明人： Wei Tian ,  Nurul Amin ,  Insik Jin ,  Ming Sun ,  Venu Vaithyanathan ,  YoungPil Kim ,  Chulmin Jung

IPC分类号： G11C11/14 ,  G11C11/00 ,  G11C11/40

CPC分类号： G11C13/003 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0011 ,  G11C13/004 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2213/15 ,  G11C2213/31 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/56 ,  G11C2213/76

摘要： A non-volatile memory cell with a programmable unipolar switching element, and a method of programming the memory element are disclosed. In some embodiments, the memory cell comprises a programmable bipolar resistive sense memory element connected in series with a programmable unipolar resistive sense switching element. The memory element is programmed to a selected resistance state by application of a selected write current in a selected direction through the cell, wherein a first resistance level is programmed by passage of a write current in a first direction and wherein a second resistance level is programmed by passage of a write current in an opposing second direction. The switching element is programmed to a selected resistance level to facilitate access to the selected resistance state of the memory element.

摘要翻译： 公开了一种具有可编程单极开关元件的非易失性存储单元，以及编程存储器元件的方法。 在一些实施例中，存储单元包括与可编程单极性电阻感测开关元件串联连接的可编程双极性电阻读出存储元件。 通过在所选择的方向上通过单元施加选择的写入电流将存储元件编程为所选择的电阻状态，其中通过沿第一方向的写入电流来编程第一电阻电平，并且其中第二电阻电平被编程 通过在相反的第二方向上的写入电流。 开关元件被编程为所选择的电阻水平以便于访问存储元件的所选择的电阻状态。

公开(公告)号：US20100124352A1

公开(公告)日：2010-05-20

申请号：US12270966

申请日：2008-11-14

申请人： Insik Jin ,  Dadi Setiadi ,  Yong Lu ,  Jun Zheng

发明人： Insik Jin ,  Dadi Setiadi ,  Yong Lu ,  Jun Zheng

IPC分类号： H04R1/00

CPC分类号： H04R13/00 ,  H04R2201/003

摘要： A micro magnetic device having a body defining at least part of an enclosed chamber, the body comprising a first sidewall and a second sidewall. A pole comprising a soft magnetic material is within the chamber and an electrically conductive coil is positioned around the pole. A diaphragm is connected to the first sidewall and a permanent dipole magnet is connected to the second sidewall at a first end and to the diaphragm at a second end. The dipole magnet is offset centrally from the pole. The diaphragm may also be offset centrally from the first pole. The micro magnetic device may be made by MEMS or thin film techniques.

摘要翻译： 一种具有限定至少一部分封闭室的主体的微型磁性装置，该主体包括第一侧壁和第二侧壁。 包括软磁性材料的极点在腔室内，并且导电线圈围绕极点定位。 隔膜连接到第一侧壁，并且永久偶极子磁体在第一端处连接到第二侧壁并在第二端连接到隔膜。 偶极子磁体从极点中心偏移。 隔膜也可以从第一极中心偏移。 微型磁性器件可以由MEMS或薄膜技术制成。

公开(公告)号：US20090289736A1

公开(公告)日：2009-11-26

申请号：US12125974

申请日：2008-05-23

申请人： Haiwen Xi ,  Dadi Setiadi ,  Insik Jin ,  Yang Li ,  Song Xue

发明人： Haiwen Xi ,  Dadi Setiadi ,  Insik Jin ,  Yang Li ,  Song Xue

IPC分类号： H01P1/10 ,  H01H53/00

CPC分类号： H01H59/0009 ,  H01H57/00

摘要： Spinwave transmission systems that include switching devices to direct the transmission of the spinwaves used for data transfer and processing. In one particular embodiment, a system for spinwave transmission has a first magnetic stripe configured for transmission of a spinwave and a second magnetic stripe for transmission of the spinwave, with a gap therebetween. The system includes a coupler that has a first orientation and a second orientation, where in the first orientation, no magnetic connection is made between the magnetic stripes, and in the second orientation, a connection is made between the magnetic stripes. The connection allows transmission of the spinwave from the first magnetic stripe to the second magnetic stripe. The first and second orientation may be the physical position of the coupler, moved by thermal, piezoelectric, or electrostatic forces, or, the first and second orientation may be a magnetic state of the coupler.

摘要翻译： 旋转波传输系统包括用于引导用于数据传输和处理的旋转波的传输的开关装置。 在一个具体实施例中，用于旋转波传输的系统具有被配置为用于传输旋转波的第一磁条和用于传播旋转波的第二磁条，其间具有间隙。 该系统包括具有第一取向和第二取向的耦合器，其中在第一取向中，在磁条之间不形成磁连接，并且在第二取向中，在磁条之间形成连接。 该连接允许将旋转波从第一磁条传输到第二磁条。 第一和第二取向可以是耦合器的物理位置，通过热，压电或静电力移动，或者第一和第二取向可以是耦合器的磁状态。

公开(公告)号：US07795606B2

公开(公告)日：2010-09-14

申请号：US12261137

申请日：2008-10-30

申请人： Insik Jin ,  Yang Li ,  Dadi Setiadi ,  Song S. Xue

发明人： Insik Jin ,  Yang Li ,  Dadi Setiadi ,  Song S. Xue

IPC分类号： H01L29/04

CPC分类号： H01L45/1226 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1273 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1675

摘要： Method and apparatus for constructing a non-volatile memory cell, such as a modified RRAM cell. In some embodiments, a memory cell comprises a resistive storage layer disposed between a first electrode layer and a second electrode layer. Further in some embodiments, the storage layer has a localized region of decreased thickness to facilitate formation of a conductive filament through the storage layer from the first electrode to the second electrode.

摘要翻译： 用于构造诸如修改的RRAM单元的非易失性存储单元的方法和装置。 在一些实施例中，存储单元包括设置在第一电极层和第二电极层之间的电阻存储层。 此外，在一些实施例中，存储层具有减小厚度的局部区域，以便于通过存储层从第一电极到第二电极的形成导电细丝。

公开(公告)号：US20100032636A1

公开(公告)日：2010-02-11

申请号：US12261137

申请日：2008-10-30

申请人： Insik Jin ,  Yang Li ,  Dadi Setiadi ,  Song S. Xue

发明人： Insik Jin ,  Yang Li ,  Dadi Setiadi ,  Song S. Xue

IPC分类号： H01L47/00 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L45/1226 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1273 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1675

摘要： Method and apparatus for constructing a non-volatile memory cell, such as a modified RRAM cell. In some embodiments, a memory cell comprises a resistive storage layer disposed between a first electrode layer and a second electrode layer. Further in some embodiments, the storage layer has a localized region of decreased thickness to facilitate formation of a conductive filament through the storage layer from the first electrode to the second electrode.

摘要翻译： 用于构造诸如修改的RRAM单元的非易失性存储单元的方法和装置。 在一些实施例中，存储单元包括设置在第一电极层和第二电极层之间的电阻存储层。 此外，在一些实施例中，存储层具有减小厚度的局部区域，以便于通过存储层从第一电极到第二电极的形成导电细丝。

公开(公告)号：US07589928B2

公开(公告)日：2009-09-15

申请号：US11724739

申请日：2007-03-16

申请人： Mallika Roy ,  Kaizhong Gao ,  Insik Jin ,  William Bruce Fitzpatrick ,  Housan S. Dakroub ,  Sining Mao ,  Song S. Xue ,  Jeffrey Howard Lake ,  Dadi Setiadi

发明人： Mallika Roy ,  Kaizhong Gao ,  Insik Jin ,  William Bruce Fitzpatrick ,  Housan S. Dakroub ,  Sining Mao ,  Song S. Xue ,  Jeffrey Howard Lake ,  Dadi Setiadi

IPC分类号： G11B21/02

CPC分类号： G11B5/1278 ,  G11B5/3133 ,  G11B5/314 ,  G11B5/40 ,  G11B5/6064 ,  G11B5/607

摘要： A system includes a magnetic device for writing to and reading from a magnetic medium and a sensor disposed adjacent to the magnetic device and proximate to the magnetic medium. The sensor generates signals related to thermal variations in the sensor caused by changes in a distance between the magnetic device and the magnetic medium.

摘要翻译： 一种系统包括用于写入和读取磁性介质的磁性装置和邻近磁性装置设置并靠近磁性介质的传感器。 该传感器产生与由磁性装置和磁性介质之间的距离变化引起的传感器热变化相关的信号。