公开(公告)号：US07354693B2

公开(公告)日：2008-04-08

申请号：US11196450

申请日：2005-08-04

申请人： Jun Hatakeyama ,  Yoshio Kawai ,  Kazuhiko Maeda ,  Haruhiko Komoriya ,  Michitaka Ootani

发明人： Jun Hatakeyama ,  Yoshio Kawai ,  Kazuhiko Maeda ,  Haruhiko Komoriya ,  Michitaka Ootani

IPC分类号： G03F7/00 ,  G03F7/004 ,  C08F218/00

CPC分类号： G03F7/0046 ,  C08F220/18 ,  C08F220/24 ,  C08F220/28 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/2041

摘要： In an immersion lithography process, a pattern is formed by forming a photoresist layer on a wafer, forming a protective coating on the photoresist layer from an overlay material, exposing the layer structure to light in water, and developing. A water-insoluble, alkali-soluble material is used as the overlay material.

摘要翻译： 在浸没式光刻工艺中，通过在晶片上形成光致抗蚀剂层形成图案，在覆盖材料上在光致抗蚀剂层上形成保护涂层，将层结构暴露在水中，并显影。 使用水不溶性碱溶性材料作为覆盖材料。

公开(公告)号：US20070298355A1

公开(公告)日：2007-12-27

申请号：US11808543

申请日：2007-06-11

申请人： Yuji Harada ,  Jun Hatakeyama

发明人： Yuji Harada ,  Jun Hatakeyama

IPC分类号： G03C5/00 ,  C08F12/30 ,  C08G63/685 ,  C08G63/688 ,  C08G75/26

CPC分类号： G03F7/11 ,  C08F2/38 ,  C08F20/18 ,  C08F220/18 ,  C08F220/22 ,  C08F220/28 ,  C08F232/08 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/2041 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/108

摘要： There is disclosed a resist top coat composition, comprising at least a polymer that has an amino group or a sulfonamide group at a polymer end and that is represented by the following general formula (1); and a patterning process comprising: at least, a step of forming a photoresist film on a substrate; a step of forming a resist top coat on the photoresist film by using the resist top coat composition; a step of exposing the substrate; and a step of developing the substrate with a developer. There can be provided a resist top coat composition that makes it possible to provide more certainly rectangular and excellent resist patterns when a top coat is formed on a photoresist film; and a patterning process using such a composition.

摘要翻译： 公开了一种抗蚀剂面漆组合物，其至少包含在聚合物末端具有氨基或磺酰胺基团并由以下通式（1）表示的聚合物; 以及图案化工艺，包括：至少在衬底上形成光致抗蚀剂膜的步骤; 通过使用抗蚀剂面漆组合物在光致抗蚀剂膜上形成抗蚀剂面涂层的步骤; 使基板曝光的工序; 以及用显影剂显影衬底的步骤。 可以提供抗蚀剂面漆组合物，当在光致抗蚀剂膜上形成顶涂层时，可以提供更确定的矩形和优异的抗蚀剂图案; 以及使用这种组合物的图案化工艺。

公开(公告)号：US07241553B2

公开(公告)日：2007-07-10

申请号：US11051721

申请日：2005-01-27

申请人： Jun Hatakeyama ,  Yuji Harada ,  Yoshio Kawai ,  Masaru Sasago ,  Masayuki Endo ,  Shinji Kishimura ,  Kazuhiko Maeda ,  Haruhiko Komoriya ,  Kazuhiro Yamanaka

发明人： Jun Hatakeyama ,  Yuji Harada ,  Yoshio Kawai ,  Masaru Sasago ,  Masayuki Endo ,  Shinji Kishimura ,  Kazuhiko Maeda ,  Haruhiko Komoriya ,  Kazuhiro Yamanaka

IPC分类号： G03F7/039 ,  G03F7/30 ,  C08F18/20 ,  C08F118/00 ,  C08F120/22

CPC分类号： G03F7/0046 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0395 ,  G03F7/0397 ,  Y10S430/108 ,  Y10S430/111

摘要： A chemically amplified resist composition using an alternating copolymer of α-trifluoroacrylic acid with norbornene as a base polymer lends itself to ArF laser lithographic micropatterning and is improved in transparency, plasma etching resistance, and line edge roughness.

摘要翻译： 使用α-三氟丙烯酸与降冰片烯作为基础聚合物的交替共聚物的化学放大抗蚀剂组合物适用于ArF激光平版印刷微图案，并提高了透明度，等离子体耐蚀刻性和线边缘粗糙度。

公开(公告)号：US20070128555A1

公开(公告)日：2007-06-07

申请号：US11606069

申请日：2006-11-30

申请人： Yuji Harada ,  Jun Hatakeyama ,  Yoshio Kawai ,  Masaru Sasago ,  Masayuki Endo ,  Kazuhiko Maeda ,  Haruhiko Komoriya ,  Michitaka Ootani

发明人： Yuji Harada ,  Jun Hatakeyama ,  Yoshio Kawai ,  Masaru Sasago ,  Masayuki Endo ,  Kazuhiko Maeda ,  Haruhiko Komoriya ,  Michitaka Ootani

IPC分类号： C08L31/00 ,  G03C5/00 ,  C07D307/94

CPC分类号： C07D307/93 ,  C07D409/12 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0397

摘要： A polymer comprising recurring units (2) obtained through polymerization of an ester compound of formula (1) is used to form a resist composition. R1 is F or C1-C6 fluoroalkyl, R2 is H or C1-C8 alkyl, R3 is O or C1-C6 alkylene, R4 and R5 each are H or C1-C10 alkyl or fluoroalkyl, and R6 is H or an acid labile group. The resist composition, when processed by ArF lithography, has advantages including improved resolution, transparency, minimal line edge roughness, and etch resistance. The resist composition exhibits better performance when processed by ArF immersion lithography with liquid interposed between a projection lens and a wafer.

摘要翻译： 使用包含通过聚合式（1）的酯化合物获得的重复单元（2）的聚合物来形成抗蚀剂组合物。 R 1是F或C 1 -C 6氟代烷基，R 2是H或C 1 C 3 -C 8烷基，R 3是O或C 1 -C 6亚烷基，R 4和5以及R 5各自为H或C 1 -C 10烷基或氟代烷基，R“ 6是H或酸不稳定基团。 当通过ArF光刻处理时，抗蚀剂组合物具有改进的分辨率，透明度，最小的线边缘粗糙度和耐蚀刻性的优点。 当通过ArF浸没式光刻法处理介于投影透镜和晶片之间的液体时，抗蚀剂组合物表现出更好的性能。

公开(公告)号：US20070111140A1

公开(公告)日：2007-05-17

申请号：US11580962

申请日：2006-10-16

申请人： Jun Hatakeyama ,  Koji Hasegawa ,  Youichi Ohsawa ,  Seiichiro Tachibana

发明人： Jun Hatakeyama ,  Koji Hasegawa ,  Youichi Ohsawa ,  Seiichiro Tachibana

IPC分类号： G03C1/00

CPC分类号： G03F7/0045 ,  G03F7/0397 ,  Y10S430/111 ,  Y10S430/114 ,  Y10S430/115 ,  Y10S430/122 ,  Y10S430/126

摘要： There is disclosed a resist composition which shows high sensitivity and high resolution on exposure to high energy beam, provides reduced Line Edge Roughness because swelling at the time of development is reduced, provides minor amounts of residue after development, has excellent dry etching resistance, and can also be used suitably for the liquid immersion lithography; and a patterning process using the resist composition. There can be provided a resist composition which comprises, at least, a polymer including repeating units represented by the following general formulae (a) and (b).

摘要翻译： 公开了一种抗蚀剂组合物，其在高能量束暴露时显示出高灵敏度和高分辨率，由于在显影时的膨胀减小，提供降低的线边缘粗糙度，在显影后提供少量残留物，具有优异的耐干蚀刻性，以及 也可以适用于液浸光刻; 以及使用抗蚀剂组合物的图案化工艺。 可以提供一种抗蚀剂组合物，其至少包含由以下通式（a）和（b）表示的重复单元的聚合物。

公开(公告)号：US07214743B2

公开(公告)日：2007-05-08

申请号：US10862633

申请日：2004-06-08

申请人： Jun Hatakeyama ,  Hideto Kato

发明人： Jun Hatakeyama ,  Hideto Kato

IPC分类号： C08F283/00 ,  G03F7/84 ,  G03F7/09 ,  G03F7/038

CPC分类号： G03F7/038 ,  G03F7/0382 ,  G03F7/091 ,  G03F7/094

摘要： There is disclosed a resist lower layer film material for a multilayer-resist film used in lithography which contains a polymer having at least a repeating unit represented by the following general formula (1). There can be provided a resist lower layer film material for a multilayer-resist process, especially for a two-layer resist process, which functions as an excellent antireflection film especially for exposure with a short wavelength, namely has higher transparency, and has the optimal n value and k value, and is excellent in an etching resistance in substrate processing, and a method for forming a pattern on a substrate by lithography using it

摘要翻译： 公开了一种用于光刻中的多层抗蚀剂膜用抗蚀剂下层膜材料，其含有至少具有下述通式（1）表示的重复单元的聚合物。 可以提供用于多层抗蚀剂工艺的抗蚀剂下层膜材料，特别是用于双层抗蚀剂工艺，其特别用于具有较短透明度的曝光（即具有较高透明度）的优异的抗反射膜，并且具有最佳的 n值和k值，并且在基板处理中的耐蚀刻性优异，并且通过使用它的光刻在基板上形成图案的方法

公开(公告)号：US07189493B2

公开(公告)日：2007-03-13

申请号：US10945397

申请日：2004-09-21

申请人： Jun Hatakeyama ,  Yuji Harada ,  Yoshio Kawai

发明人： Jun Hatakeyama ,  Yuji Harada ,  Yoshio Kawai

IPC分类号： G03C1/73 ,  G03F7/039 ,  G03F7/20 ,  G03F7/30

CPC分类号： G03F7/0397 ,  C08F220/18 ,  C08F220/24 ,  C08F220/28 ,  G03F7/0046 ,  Y10S430/111

摘要： There is disclosed a polymer which at least has the repeating unit represented by the following general formula (1a), and the repeating unit represented by the following general formula (1b) and/or the repeating unit represented by the following general formula (1c), and a positive resist composition comprising the polymer as a base resin. There can be provided a positive resist composition having high sensitivity and high resolution on exposure to a high energy beam, wherein line edge roughness is reduced since swelling at the time of development is suppressed, and the residue after development is little

摘要翻译： 公开了至少具有下述通式（1a）表示的重复单元和下述通式（1b）表示的重复单元和/或下述通式（1c）表示的重复单元的聚合物， 以及包含该聚合物作为基础树脂的正性抗蚀剂组合物。 可以提供在暴露于高能量束时具有高灵敏度和高分辨率的正性抗蚀剂组合物，其中由于在显影时膨胀而抑制线边缘粗糙度，并且显影后的残留物少

公开(公告)号：US07125642B2

公开(公告)日：2006-10-24

申请号：US10773340

申请日：2004-02-09

申请人： Yuji Harada ,  Jun Hatakeyama ,  Yoshio Kawai ,  Masaru Sasago ,  Masayuki Endo ,  Shinji Kishimura ,  Kazuhiko Maeda ,  Haruhiko Komoriya ,  Satoru Miyazawa

发明人： Yuji Harada ,  Jun Hatakeyama ,  Yoshio Kawai ,  Masaru Sasago ,  Masayuki Endo ,  Shinji Kishimura ,  Kazuhiko Maeda ,  Haruhiko Komoriya ,  Satoru Miyazawa

IPC分类号： G03F7/004 ,  G03F7/30 ,  G03F7/38 ,  C08F28/02 ,  C08F32/08 ,  C08F12/08 ,  C08F20/02 ,  C08F118/02 ,  C08F216/16 ,  C07C303/26

CPC分类号： C07C309/67 ,  C07C2601/08 ,  C07C2601/14 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/0397 ,  Y10S430/108 ,  Y10S430/111

摘要： A sulfonate compound having formula (1) is novel wherein R1 to R3 are H, F or C1-20 alkyl or fluoroalkyl, at least one of R1 to R3 contains F. A polymer comprising units derived from the sulfonate compound is used as a base resin to formulate a resist composition which is sensitive to high-energy radiation, maintains high transparency at a wavelength of up to 200 nm, and has improved alkali dissolution contrast and plasma etching resistance

摘要翻译： 具有式（1）的磺酸酯化合物是新的，其中R 1至R 3是H，F或C 1-20烷基或氟代烷基， R 1至R 3中的至少一个含有F.使用包含衍生自磺酸盐化合物的单元的聚合物作为基础树脂以配制抗敏剂组合物，其对 高能量辐射，在高达200nm的波长下保持高透明度，并且具有改善的碱溶性对比度和等离子体耐蚀刻性

公开(公告)号：US07125641B2

公开(公告)日：2006-10-24

申请号：US10773228

申请日：2004-02-09

申请人： Yuji Harada ,  Jun Hatakeyama ,  Yoshio Kawai ,  Masaru Sasago ,  Masayuki Endo ,  Shinji Kishimura ,  Kazuhiko Maeda ,  Haruhiko Komoriya ,  Satoru Miyazawa

发明人： Yuji Harada ,  Jun Hatakeyama ,  Yoshio Kawai ,  Masaru Sasago ,  Masayuki Endo ,  Shinji Kishimura ,  Kazuhiko Maeda ,  Haruhiko Komoriya ,  Satoru Miyazawa

IPC分类号： G03F7/004 ,  C08F114/18 ,  C08F12/30

CPC分类号： G03F7/0046 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/0395 ,  G03F7/0397

摘要： A polymer comprising recurring units of (1a) or (1b) wherein R1 is an acid labile group, adhesive group or fluoroalkyl, R2 is H, F, alkyl or fluoroalkyl, R3 and R4 each are a single bond, alkylene or fluoroalkylene, R5 is H or an acid labile group, “a” is 1 or 2, 0

摘要翻译： 包含（1a）或（1b）的重复单元的聚合物，其中R 1是酸不稳定基团，粘合剂基团或氟代烷基，R 2是H，F，烷基或 氟烷基，R 3和R 4各自为单键，亚烷基或氟亚烷基，R 5为H或酸不稳定基团，“a “为1或2,0

公开(公告)号：US20060147836A1

公开(公告)日：2006-07-06

申请号：US11305118

申请日：2005-12-19

申请人： Jun Hatakeyama ,  Youichi Ohsawa ,  Seiichiro Tachibana

发明人： Jun Hatakeyama ,  Youichi Ohsawa ,  Seiichiro Tachibana

IPC分类号： G03C1/76

CPC分类号： G03F7/0392 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0397 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/111 ,  Y10S430/115 ,  Y10S430/122 ,  Y10S430/126

摘要： There is disclosed a resist composition which comprises, at least, a polymer in which a sulfonium salt having a polymerizable unsaturated bond, a (meth)acrylate having a lactone or a hydroxyl group as an adhesion group, and a (meth)acrylate having an ester substituted with an acid labile group are copolymerized. There can be provided a resist composition with high resolution which has high sensitivity and high resolution to high energy beam, especially to ArF excimer laser, F2 excimer laser, EUV, X-ray, EB, etc., has reduced line edge roughness, and comprises a polymeric acid generator which has insolubility in water, and sufficient thermal stability and preservation stability.

摘要翻译： 公开了一种抗蚀剂组合物，其至少包含其中具有可聚合不饱和键的锍盐，具有内酯或羟基的（甲基）丙烯酸酯作为粘合基团的聚合物和（甲基）丙烯酸酯具有 由酸不稳定基团取代的酯被共聚。 可以提供具有高分辨率的抗蚀剂组合物，其对高能量束具有高灵敏度和高分辨率，特别是对于ArF准分子激光器，F 2/2准分子激光器，EUV，X射线，EB等。 降低了线边缘粗糙度，并且包括在水中具有不溶性，并具有足够的热稳定性和保存稳定性的聚合酸产生剂。