公开(公告)号：US5503901A

公开(公告)日：1996-04-02

申请号：US267799

申请日：1994-06-29

申请人： Takayuki Sakai ,  Hisataka Hayashi ,  Haruo Okano ,  Shigeyuki Takagi ,  Yutaka Uchida

发明人： Takayuki Sakai ,  Hisataka Hayashi ,  Haruo Okano ,  Shigeyuki Takagi ,  Yutaka Uchida

IPC分类号： H01L21/302 ,  C03C15/00 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/311 ,  C03C15/02

CPC分类号： H01J37/32009 ,  C03C15/00 ,  H01J37/3233 ,  H01L21/31116 ,  H01J2237/3346

摘要： Etching selectivity is improved in a semiconductor process using a fluorocarbon gas. An energy incident to a substrate is controlled to have a value to cause transition from etching to deposition on a silicon nitride film, ions having (CF.sub.2).sub.n.sup.+ as a major component are guided onto the substrate to perform selective etching of a silicon oxide film against the silicon nitride film.

摘要翻译： 在使用碳氟化合物气体的半导体工艺中，蚀刻选择性得到改善。 控制入射到衬底的能量具有从蚀刻到沉积在氮化硅膜上的过渡的值，将具有（CF 2）n +作为主要成分的离子被引导到衬底上，以对氧化硅膜进行选择性蚀刻以反对 氮化硅膜。

公开(公告)号：US5302240A

公开(公告)日：1994-04-12

申请号：US20193

申请日：1993-02-19

申请人： Masaru Hori ,  Hiroyuki Yano ,  Keiji Horioka ,  Hisataka Hayashi ,  Sadayuki Jimbo ,  Haruo Okano ,  Kazuhiro Tomioka ,  Yasuhiro Ito ,  Haruki Mori

发明人： Masaru Hori ,  Hiroyuki Yano ,  Keiji Horioka ,  Hisataka Hayashi ,  Sadayuki Jimbo ,  Haruo Okano ,  Kazuhiro Tomioka ,  Yasuhiro Ito ,  Haruki Mori

IPC分类号： H01L21/033 ,  H01L21/308 ,  H01L21/311 ,  H01L21/314 ,  H01L21/3213 ,  H01L2/306 ,  B44C1/22 ,  C03C15/00 ,  C23F1/00

CPC分类号： H01L21/31122 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/3146 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/32137 ,  H01L21/32139

摘要： A dry-etching method comprising the steps of forming carbon film on a substrate to be etched, forming a resist pattern on said carbon thin film, selectively etching said carbon film using said resist pattern as a mask by a plasma of a gas mixture of a gas containing fluorine atoms and a gas containing oxygen atoms which are mixed at an atomic ratio of fluorine to oxygen of 198:1 to 1:2 so as to form a carbon film pattern, and selectively etching said substrate to be etched using said carbon film pattern as a mask or said resist pattern and said carbon film pattern as masks.

摘要翻译： 一种干蚀刻方法，包括以下步骤：在要蚀刻的基底上形成碳膜，在所述碳薄膜上形成抗蚀剂图案，使用所述抗蚀剂图案作为掩模，用等离子体选择性地蚀刻所述碳膜， 含有氟原子的气体和以氟与氧的原子比混合为198:1〜1:2的含有氧原子的气体，以形成碳膜图案，并使用所述碳膜选择性地蚀刻所述蚀刻用基板 图案作为掩模或所述抗蚀剂图案和所述碳膜图案作为掩模。

公开(公告)号：US5240554A

公开(公告)日：1993-08-31

申请号：US824095

申请日：1992-01-22

申请人： Masaru Hori ,  Hiroyuki Yano ,  Keiji Horioka ,  Hisataka Hayashi ,  Sadayuki Jimbo ,  Haruo Okano

发明人： Masaru Hori ,  Hiroyuki Yano ,  Keiji Horioka ,  Hisataka Hayashi ,  Sadayuki Jimbo ,  Haruo Okano

IPC分类号： H01L21/308 ,  H01L21/311 ,  H01L21/314 ,  H01L21/3213

CPC分类号： H01L21/31138 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/3146 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/32139 ,  Y10S438/945

摘要： A method of manufacturing a semiconductor device includes the steps of forming a carbon film on a target film formed on a substrate, forming an organic film pattern on the carbon film, etching the carbon film using the organic film pattern as a mask to form a carbon film pattern, and heating the substrate, supplying an etching gas having halogen atoms to a reaction area where the substrate is stored, applying an electric field to the reaction area to generate a discharge, and anisotropically etching the silicon oxide film using the carbon film pattern as a mask and a plasma formed by the discharge.

摘要翻译： 一种制造半导体器件的方法包括以下步骤：在形成在基片上的靶膜上形成碳膜，在碳膜上形成有机膜图案，使用有机膜图案作为掩模蚀刻碳膜，形成碳 并对基板进行加热，将具有卤素原子的蚀刻气体供给到存储基板的反应区域，向反应区域施加电场以产生放电，并使用碳膜图案进行各向异性蚀刻氧化硅膜 作为掩模和通过放电形成的等离子体。