公开(公告)号：US20080239834A1

公开(公告)日：2008-10-02

申请号：US11942665

申请日：2007-11-19

申请人： Hieu Van Tran ,  Sang Thanh Nguyen ,  Hung Quoc Nguyen

发明人： Hieu Van Tran ,  Sang Thanh Nguyen ,  Hung Quoc Nguyen

IPC分类号： G01R19/00 ,  G11C7/00

CPC分类号： G11C11/5642 ,  G11C7/06 ,  G11C7/062

摘要： A memory system includes a sense amplifier for detecting content of data memory cells by comparison with a voltage stored in a reference cell. The sense amplifier may comprise a comparator, first and second load circuits, and a low impedance circuit. A first input of the comparator is coupled to the low impedance circuit and a reference voltage node. A second input of the comparator is coupled to a data voltage node. The first load circuit loads a reference cell coupled to the reference voltage node. The second load circuit loads a data cell coupled to the data voltage node.

摘要翻译： 存储器系统包括用于通过与存储在参考单元中的电压进行比较来检测数据存储单元的内容的读出放大器。 读出放大器可以包括比较器，第一和第二负载电路以及低阻抗电路。 比较器的第一输入耦合到低阻抗电路和参考电压节点。 比较器的第二输入耦合到数据电压节点。 第一负载电路加载耦合到参考电压节点的参考电池。 第二负载电路加载耦合到数据电压节点的数据单元。

公开(公告)号：US08456904B2

公开(公告)日：2013-06-04

申请号：US13172599

申请日：2011-06-29

申请人： Hieu Van Tran ,  Sang T. Nguyen ,  Anh Ly ,  Hung Q. Nguyen

发明人： Hieu Van Tran ,  Sang T. Nguyen ,  Anh Ly ,  Hung Q. Nguyen

IPC分类号： G11C11/36

CPC分类号： G11C16/28 ,  G11C16/08 ,  G11C16/30

摘要： Various circuits include MOS transistors that have a bulk voltage terminal for receiving a bulk voltage that is different from a supply voltage and ground. The bulk voltage may be selectively set so that some MOS transistors have a bulk voltage set to the supply voltage or ground and other MOS transistors have a bulk voltage that is different. The bulk voltage may be set to forward or reverse bias pn junctions in the MOS transistor. The various circuits include comparators, operational amplifiers, sensing circuits, decoding circuits and the other circuits. The circuits may be included in a memory system.

摘要翻译： 各种电路包括具有用于接收不同于电源电压和接地的体电压的体电压端子的MOS晶体管。 可以选择性地设置体电压，使得一些MOS晶体管具有设置为电源电压或地的体电压，并且其它MOS晶体管具有不同的体电压。 体电压可以被设置为MOS晶体管中的正向或反向偏置pn结。 各种电路包括比较器，运算放大器，感测电路，解码电路和其它电路。 电路可以包括在存储器系统中。

公开(公告)号：US20120074923A1

公开(公告)日：2012-03-29

申请号：US13306950

申请日：2011-11-29

申请人： Hieu Van Tran ,  Sang Thanh Nguyen ,  Anh Ly ,  Hung O. Nguyen ,  Wingfu Aaron Lau ,  Nasrin Jaffari ,  Thuan Trong Vu ,  Vishal Sarin ,  Loc B. Hoang

发明人： Hieu Van Tran ,  Sang Thanh Nguyen ,  Anh Ly ,  Hung O. Nguyen ,  Wingfu Aaron Lau ,  Nasrin Jaffari ,  Thuan Trong Vu ,  Vishal Sarin ,  Loc B. Hoang

IPC分类号： G05F3/16

CPC分类号： H02M3/07 ,  G11C5/145 ,  H02M1/36 ,  H02M1/44 ,  Y10T307/50

摘要： A digital multilevel memory system includes a charge pump and a voltage regulator for generating regulated high voltages for various memory operations. The charge pump may include a plurality of boost circuits to boost the output of the charge pump during a fast start up. Afterwards, the boost circuits are disabled to allow the charge pump to generate high voltages without boosting. The boost circuits may be successively enabled to boost the voltage. The boost circuits may be loadless. The voltage regulator may operate in an open loop and may include a resistive divider as a reference voltage for regulating the high voltage from the charge pump. The charge pump may include spread spectrum pump clocking to reduce electromagnetic inference for capacitor or inductor on-chip charge pumping.

摘要翻译： 数字多电平存储器系统包括电荷泵和用于产生用于各种存储器操作的调节高电压的电压调节器。 电荷泵可以包括多个升压电路，以在快速启动期间升高电荷泵的输出。 之后，升压电路被禁止，使电荷泵产生高电压而不加速。 升压电路可以被连续地使能以升高电压。 升压电路可以是无负载的。 电压调节器可以在开环中工作，并且可以包括电阻分压器作为用于调节来自电荷泵的高电压的参考电压。 电荷泵可以包括扩频泵时钟，以减少用于电容器或电感器片上电荷泵浦的电磁推理。

公开(公告)号：US07939892B2

公开(公告)日：2011-05-10

申请号：US12899120

申请日：2010-10-06

申请人： Hieu Van Tran ,  Anh Ly ,  Sang Thanh Nguyen ,  Vishal Sarin ,  Hung Q. Nguyen ,  William John Saiki ,  Loc B. Hoang

发明人： Hieu Van Tran ,  Anh Ly ,  Sang Thanh Nguyen ,  Vishal Sarin ,  Hung Q. Nguyen ,  William John Saiki ,  Loc B. Hoang

IPC分类号： H01L23/62 ,  H03K5/08

CPC分类号： G11C11/5621 ,  G11C16/04 ,  G11C29/50 ,  G11C29/50004

摘要： A test device and method may be used to detect voltage, current or signals of a digital multilevel memory cell system or to test operation or performance by applying inputted voltages, currents or signals to the memory cell system.

摘要翻译： 可以使用测试装置和方法来检测数字多电平存储器单元系统的电压，电流或信号，或者通过将输入的电压，电流或信号施加到存储器单元系统来测试操作或性能。

公开(公告)号：US20110090743A1

公开(公告)日：2011-04-21

申请号：US12980209

申请日：2010-12-28

申请人： Hieu Van Tran ,  Sang T. Nguyen ,  Anh Ly ,  Hung Q. Nguyen

发明人： Hieu Van Tran ,  Sang T. Nguyen ,  Anh Ly ,  Hung Q. Nguyen

IPC分类号： G11C16/06

CPC分类号： G11C16/28 ,  G11C16/08 ,  G11C16/30

摘要： Various circuits include MOS transistors that have a bulk voltage terminal for receiving a bulk voltage that is different from a supply voltage and ground. The bulk voltage may be selectively set so that some MOS transistors have a bulk voltage set to the supply voltage or ground and other MOS transistors have a bulk voltage that is different. The bulk voltage may be set to forward or reverse bias pn junctions in the MOS transistor. The various circuits include comparators, operational amplifiers, sensing circuits, decoding circuits and the other circuits. The circuits may be included in a memory system.

摘要翻译： 各种电路包括具有用于接收不同于电源电压和接地的体电压的体电压端子的MOS晶体管。 可以选择性地设置体电压，使得一些MOS晶体管具有设置为电源电压或地的体电压，并且其它MOS晶体管具有不同的体电压。 体电压可以被设置为MOS晶体管中的正向或反向偏置pn结。 各种电路包括比较器，运算放大器，感测电路，解码电路和其它电路。 电路可以包括在存储器系统中。

公开(公告)号：US07737765B2

公开(公告)日：2010-06-15

申请号：US11080067

申请日：2005-03-14

申请人： Hieu Van Tran ,  Sang Thanh Nguyen ,  Anh Ly ,  Hung Q. Nguyen ,  Wingfu Aaron Lau ,  Nasrin Jaffari ,  Thuan Trong Vu ,  Vishal Sarin ,  Loc B. Hoang

发明人： Hieu Van Tran ,  Sang Thanh Nguyen ,  Anh Ly ,  Hung Q. Nguyen ,  Wingfu Aaron Lau ,  Nasrin Jaffari ,  Thuan Trong Vu ,  Vishal Sarin ,  Loc B. Hoang

IPC分类号： G05F1/10 ,  G05F3/02

CPC分类号： H02M3/07 ,  H02M1/36 ,  H02M1/44

摘要： A digital multilevel memory system includes a charge pump and a voltage regulator for generating regulated high voltages for various memory operations. The charge pump may include a plurality of boost circuits to boost the output of the charge pump during a fast start up. Afterwards, the boost circuits are disabled to allow the charge pump to generate high voltages without boosting. The boost circuits may be successively enabled to boost the voltage. The boost circuits may be loadless. The voltage regulator may operate in an open loop and may include a resistive divider as a reference voltage for regulating the high voltage from the charge pump. The charge pump may include spread spectrum pump clocking to reduce electromagnetic inference for capacitor or inductor on-chip charge pumping.

摘要翻译： 数字多电平存储器系统包括电荷泵和用于产生用于各种存储器操作的调节高电压的电压调节器。 电荷泵可以包括多个升压电路，以在快速启动期间升高电荷泵的输出。 之后，升压电路被禁止，使电荷泵产生高电压而不加速。 升压电路可以被连续地使能以升高电压。 升压电路可以是无负载的。 电压调节器可以在开环中工作，并且可以包括电阻分压器作为用于调节来自电荷泵的高电压的参考电压。 电荷泵可以包括扩频泵时钟，以减少用于电容器或电感器片上电荷泵浦的电磁推理。

公开(公告)号：US20100091567A1

公开(公告)日：2010-04-15

申请号：US12637365

申请日：2009-12-14

申请人： Hieu Van Tran ,  Anh Ly ,  Sang Thanh Nguyen ,  Vishal Sarin ,  Hung Q. Nguyen ,  William John Saiki ,  Loc B. Hoang

发明人： Hieu Van Tran ,  Anh Ly ,  Sang Thanh Nguyen ,  Vishal Sarin ,  Hung Q. Nguyen ,  William John Saiki ,  Loc B. Hoang

IPC分类号： G11C16/04 ,  G11C29/00 ,  H03L5/00 ,  G01R19/00

CPC分类号： G11C11/5621 ,  G11C16/04 ,  G11C29/50 ,  G11C29/50004

摘要： A test device and method may be used to detect voltage, current or signals of a digital multilevel memory cell system or to test operation or performance by applying inputted voltages, currents or signals to the memory cell system.

摘要翻译： 可以使用测试装置和方法来检测数字多电平存储器单元系统的电压，电流或信号，或者通过将输入的电压，电流或信号施加到存储器单元系统来测试操作或性能。

公开(公告)号：US07596037B2

公开(公告)日：2009-09-29

申请号：US11855801

申请日：2007-09-14

申请人： Vishal Sarin ,  Hieu Van Tran ,  William John Saiki

发明人： Vishal Sarin ,  Hieu Van Tran ,  William John Saiki

IPC分类号： G11C5/14

CPC分类号： G11C7/14 ,  G11C11/5642 ,  G11C16/28 ,  G11C2211/5634

摘要： A memory system includes reference level generators that may provide programmable margins, and programmable verify voltage levels. The reference levels may be shifted within a range of voltages with varying differences between reference voltage levels and with different margins and verify levels.

摘要翻译： 存储器系统包括可提供可编程余量和可编程验证电压电平的参考电平发生器。 参考电平可以在参考电压电平与不同裕度和验证电平之间变化差异的电压范围内移动。

公开(公告)号：US20090160411A1

公开(公告)日：2009-06-25

申请号：US12340571

申请日：2008-12-19

申请人： Hieu Van Tran ,  Sang Thanh Nguyen ,  Anh Ly ,  Hung O. Nguyen ,  Wingfu Aaron Lau ,  Nasrin Jaffari ,  Thuan Trong Vu ,  Vishal Sarin ,  Loc B. Hoang

发明人： Hieu Van Tran ,  Sang Thanh Nguyen ,  Anh Ly ,  Hung O. Nguyen ,  Wingfu Aaron Lau ,  Nasrin Jaffari ,  Thuan Trong Vu ,  Vishal Sarin ,  Loc B. Hoang

IPC分类号： G05F1/10

CPC分类号： H02M3/07 ,  G11C5/145 ,  H02M1/36 ,  H02M1/44 ,  Y10T307/50

摘要： A digital multilevel memory system includes a charge pump and a voltage regulator for generating regulated high voltages for various memory operations. The charge pump may include a plurality of boost circuits to boost the output of the charge pump during a fast start up. Afterwards, the boost circuits are disabled to allow the charge pump to generate high voltages without boosting. The boost circuits may be successively enabled to boost the voltage. The boost circuits may be loadless. The voltage regulator may operate in an open loop and may include a resistive divider as a reference voltage for regulating the high voltage from the charge pump. The charge pump may include spread spectrum pump clocking to reduce electromagnetic inference for capacitor or inductor on-chip charge pumping.

摘要翻译： 数字多电平存储器系统包括电荷泵和用于产生用于各种存储器操作的调节高电压的电压调节器。 电荷泵可以包括多个升压电路，以在快速启动期间升高电荷泵的输出。 之后，升压电路被禁止，使电荷泵产生高电压而不加速。 升压电路可以被连续地使能以升高电压。 升压电路可以是无负载的。 电压调节器可以在开环中工作，并且可以包括电阻分压器作为用于调节来自电荷泵的高电压的参考电压。 电荷泵可以包括扩频泵时钟，以减少用于电容器或电感器片上电荷泵浦的电磁推理。

公开(公告)号：US20090073770A1

公开(公告)日：2009-03-19

申请号：US11855801

申请日：2007-09-14

申请人： Vishal Sarin ,  Hieu Van Tran ,  William John Saiki

发明人： Vishal Sarin ,  Hieu Van Tran ,  William John Saiki

IPC分类号： G11C16/26

CPC分类号： G11C7/14 ,  G11C11/5642 ,  G11C16/28 ,  G11C2211/5634

摘要： A memory system includes reference level generators that may provide programmable margins, and programmable verify voltage levels. The reference levels may be shifted within a range of voltages with varying differences between reference voltage levels and with different margins and verify levels.

摘要翻译： 存储器系统包括可提供可编程余量和可编程验证电压电平的参考电平发生器。 参考电平可以在参考电压电平与不同裕度和验证电平之间变化差异的电压范围内移动。