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265 条记录 (耗时 0.026 秒)

    Memory cell with trigger element
    41.
    发明申请
    Memory cell with trigger element 失效
    具有触发元件的存储单元

    公开(公告)号：US20080123398A1

    公开(公告)日：2008-05-29

    申请号：US11605079

    申请日：2006-11-28

    申请人： Thomas Nirschl ,  Thomas Happ ,  Jan Boris Philipp

    发明人： Thomas Nirschl ,  Thomas Happ ,  Jan Boris Philipp

    IPC分类号： G11C11/00 ,  G11C11/39

    CPC分类号： G11C13/003 ,  G11C13/0004 ,  G11C2213/76

    摘要： A memory device includes a plurality of word lines extending as rows and bit lines extending as columns. A memory cell is coupled between a word line and a bit line, wherein the memory cell includes a unipolar memory element selectively coupled to the bit line via a trigger element.

    摘要翻译： 存储器件包括作为列延伸的行和位线延伸的多个字线。 存储器单元耦合在字线和位线之间，其中存储单元包括经由触发元件选择性地耦合到位线的单极存储器元件。

    Integrated circuit havng a memory cell
    45.
    发明申请
    Integrated circuit havng a memory cell 失效
    集成电路拥有一个存储单元

    公开(公告)号：US20080006811A1

    公开(公告)日：2008-01-10

    申请号：US11483873

    申请日：2006-07-10

    申请人： Jan Boris Philipp ,  Thomas Happ

    发明人： Jan Boris Philipp ,  Thomas Happ

    IPC分类号： H01L47/00 ,  H01L21/76

    CPC分类号： H01L45/06 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1246 ,  H01L45/1293 ,  H01L45/144 ,  H01L45/148 ,  H01L45/1675

    摘要： A memory cell includes a first electrode and an opposing second electrode, and a memory stack between the first and second electrodes. The memory stack includes a first layer of thermal isolation material contacting the first electrode, a second layer of thermal isolation material contacting the second electrode, and a phase change material between the first layer of thermal isolation material and the second layer of thermal isolation material. In this regard, the phase change material defines an active region width that is less than a width of either of the first layer of thermal isolation material and the second layer of thermal isolation material.

    摘要翻译： 存储单元包括第一电极和相对的第二电极，以及在第一和第二电极之间的存储器堆叠。 存储器堆叠包括接触第一电极的第一层隔热材料，与第二电极接触的第二层热隔离材料，以及第一层热隔离材料层与第二层热隔离材料之间的相变材料。 在这方面，相变材料限定有效区宽度小于热隔离材料第一层和第二隔热层之一的宽度。

    Phase change memory cell including multiple phase change material portions
    46.
    发明授权
    Phase change memory cell including multiple phase change material portions 有权
    相变存储单元包括多个相变材料部分

    公开(公告)号：US07973384B2

    公开(公告)日：2011-07-05

    申请号：US11265377

    申请日：2005-11-02

    申请人： Thomas Happ ,  Jan Boris Philipp

    发明人： Thomas Happ ,  Jan Boris Philipp

    IPC分类号： H01L45/00

    CPC分类号： H01L45/1608 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1226 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1246 ,  H01L45/144

    摘要： A memory cell includes a first electrode, a second electrode, and a first portion of phase-change material contacting the first electrode. The memory cell includes a second portion of phase-change material contacting the second electrode and a third portion of phase-change material between the first portion and the second portion. A phase-change material composition of the third portion and the second portion gradually transitions from the third portion to the second portion.

    摘要翻译： 存储单元包括第一电极，第二电极和与第一电极接触的相变材料的第一部分。 存储单元包括在第一部分和第二部分之间接触第二电极的相变材料的第二部分和相变材料的第三部分。 第三部分和第二部分的相变材料组合物从第三部分逐渐过渡到第二部分。

    Integrated circuit for programming a memory cell
    47.
    发明授权
    Integrated circuit for programming a memory cell 有权
    用于编程存储单元的集成电路

    公开(公告)号：US07876606B2

    公开(公告)日：2011-01-25

    申请号：US12166755

    申请日：2008-07-02

    申请人： Jan Boris Philipp ,  Thomas Happ

    发明人： Jan Boris Philipp ,  Thomas Happ

    IPC分类号： G11C11/00

    CPC分类号： G11C13/0069 ,  G11C11/56 ,  G11C11/5678 ,  G11C13/0004 ,  G11C2013/0092 ,  G11C2029/0411

    摘要： An integrated circuit includes an array of resistance changing memory cells. The array includes a first portion. The integrated circuit includes a circuit configured to apply a set pulse having a first pulse width to a first memory cell in the first portion to set the first memory cell. The first pulse width is based on a predetermined error percentage for the first portion.

    摘要翻译： 集成电路包括电阻变化存储单元阵列。 阵列包括第一部分。 集成电路包括被配置为将第一脉冲宽度的设置脉冲施加到第一部分中的第一存储器单元以设置第一存储单元的电路。 第一脉冲宽度基于第一部分的预定误差百分比。

    METHOD OF OPERATING AN INTEGRATED CIRCUIT, INTEGRATED CIRCUIT AND MEMORY MODULE
    50.
    发明申请
    METHOD OF OPERATING AN INTEGRATED CIRCUIT, INTEGRATED CIRCUIT AND MEMORY MODULE 有权
    集成电路，集成电路和存储器模块的运行方法

    公开(公告)号：US20100293350A1

    公开(公告)日：2010-11-18

    申请号：US12687951

    申请日：2010-01-15

    申请人： Thomas Happ ,  Jan Boris Philipp

    发明人： Thomas Happ ,  Jan Boris Philipp

    IPC分类号： G06F12/16 ,  G06F12/00 ,  G11C11/00

    CPC分类号： G11C11/16 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/1675 ,  G11C13/0002 ,  G11C13/0035 ,  G11C13/0069

    摘要： According to one embodiment of the present invention, a method of operating an integrated circuit including a plurality of resistance changing memory cells grouped into physical memory units is provided. The method includes: Monitoring writing access numbers assigned to the physical memory units, each writing access number reflecting the number of writing accesses to the physical memory unit to which the writing access number is assigned; if the value of a writing access number assigned to a first physical memory unit exceeds a writing access threshold value, a data exchange process is carried out during which the data content stored within the first physical memory unit is exchanged with the data content of a second physical memory unit having a writing access number of a lower value.

    摘要翻译： 根据本发明的一个实施例，提供了一种操作集成电路的方法，该集成电路包括分组成物理存储器单元的多个电阻变化存储器单元。 该方法包括：监视分配给物理存储器单元的写入访问号码，每个写入访问号码反映写入访问次数到写入访问号码的物理存储单元; 如果分配给第一物理存储器单元的写访问号码的值超过写访问阈值，则执行数据交换处理，在该数据交换处理期间，存储在第一物理存储单元内的数据内容与第二物理存储单元的数据内容交换 物理存储单元具有较低值的写入访问号。