公开(公告)号：US07767540B2

公开(公告)日：2010-08-03

申请号：US11567268

申请日：2006-12-06

申请人： Igor Peidous ,  Thorsten Kammler ,  Andy Wei

发明人： Igor Peidous ,  Thorsten Kammler ,  Andy Wei

IPC分类号： H01L21/76

CPC分类号： H01L29/7843 ,  H01L21/26506 ,  H01L29/51 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7848

摘要： By appropriately orienting the channel length direction with respect to the crystallographic characteristics of the silicon layer, the stress-inducing effects of strained silicon/carbon material may be significantly enhanced compared to conventional techniques. In one illustrative embodiment, the channel may be oriented along the direction for a (100) surface orientation, thereby providing an electron mobility increase of approximately a factor of four.

摘要翻译： 通过相对于硅层的结晶特性适当地定向沟道长度方向，与常规技术相比，应变硅/碳材料的应力诱导效应可以显着提高。 在一个说明性实施例中，通道可以沿着（100）表面取向沿着<100>方向取向，从而提供大约四分之一的电子迁移率增加。

公开(公告)号：US20060246641A1

公开(公告)日：2006-11-02

申请号：US11288673

申请日：2005-11-29

申请人： Thorsten Kammler ,  Andy Wei ,  Markus Lenski

发明人： Thorsten Kammler ,  Andy Wei ,  Markus Lenski

IPC分类号： H01L21/338

CPC分类号： H01L21/823864 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823835 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7843

摘要： By removing an outer spacer, used for the formation of highly complex lateral dopant profiles, prior to the formation of metal silicide, a high degree of process compatibility with conventional processes is obtained, while at the same time a contact liner layer may be positioned more closely to the channel region, thereby allowing a highly efficient stress transfer mechanism for creating a corresponding strain in the channel region.

摘要翻译： 通过去除用于形成高度复杂的横向掺杂剂分布的外部间隔物，在形成金属硅化物之前，获得与常规方法的高度的工艺相容性，同时可以将接触衬垫层定位更多 与通道区域紧密相连，从而允许用于在通道区域中产生相应应变的高效应力传递机构。

公开(公告)号：US20060172511A1

公开(公告)日：2006-08-03

申请号：US11203848

申请日：2005-08-15

申请人： Thorsten Kammler ,  Andy Wei ,  Helmut Bierstedt

发明人： Thorsten Kammler ,  Andy Wei ,  Helmut Bierstedt

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/36

CPC分类号： H01L29/7848 ,  H01L21/26586 ,  H01L29/165 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7833

摘要： By performing a sequence of selective epitaxial growth processes with at least two different species, or by introducing a first dopant species prior to the epitaxial growth of a drain and source region, a halo region may be formed in a highly efficient manner, while at the same time the degree of lattice damage in the epitaxially grown semiconductor region is maintained at a low level.

摘要翻译： 通过用至少两种不同的物质执行选择性外延生长工艺的序列，或者通过在漏极和源极区域的外延生长之前引入第一掺杂剂物质，可以高效地形成卤素区域，而在 同时，外延生长的半导体区域的晶格损伤程度保持在较低的水平。

公开(公告)号：US20120329239A1

公开(公告)日：2012-12-27

申请号：US13167558

申请日：2011-06-23

申请人： Thorsten Kammler ,  Joerg Radecker ,  Christof Streck

发明人： Thorsten Kammler ,  Joerg Radecker ,  Christof Streck

IPC分类号： H01L21/762

CPC分类号： H01L21/76224

摘要： Methods and provided for fabricating a semiconductor IC having a hardened shallow trench isolation (STI). In accordance with one embodiment the method includes providing a semiconductor substrate and forming an etch mask having an opening exposing a portion the semiconductor substrate. The exposed portion is etched to form a trench extending into the semiconductor substrate and an oxide is deposited to at least partially fill the trench. At least the surface portion of the oxide is plasma nitrided to form a nitrided oxide layer and then the etch mask is removed.

摘要翻译： 提供用于制造具有硬化浅沟槽隔离（STI）的半导体IC的方法。 根据一个实施例，该方法包括提供半导体衬底并形成具有暴露半导体衬底的一部分的开口的蚀刻掩模。 蚀刻暴露部分以形成延伸到半导体衬底中的沟槽，并且沉积氧化物以至少部分地填充沟槽。 至少氧化物的表面部分被等离子体氮化以形成氮化氧化物层，然后去除蚀刻掩模。

公开(公告)号：US07763507B2

公开(公告)日：2010-07-27

申请号：US12135478

申请日：2008-06-09

申请人： Ralf Richter ,  Thorsten Kammler ,  Heike Salz ,  Volker Grimm

发明人： Ralf Richter ,  Thorsten Kammler ,  Heike Salz ,  Volker Grimm

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/31

CPC分类号： H01L21/823807 ,  H01L29/7843

摘要： By forming an etch control material with increased thickness on a first stressed dielectric layer in a dual stress liner approach, the surface topography may be smoothed prior to the deposition of the second stressed dielectric material, thereby allowing the deposition of an increased amount of stressed material while not contributing to yield loss caused by deposition-related defects.

摘要翻译： 通过在双应力衬垫方法中在第一应力介电层上形成具有增加的厚度的蚀刻控制材料，在沉积第二应力介电材料之前，可以平滑表面形貌，从而允许沉积增加量的应力材料 而不会导致沉积相关缺陷引起的屈服损失。

公开(公告)号：US20090140396A1

公开(公告)日：2009-06-04

申请号：US12135478

申请日：2008-06-09

申请人： Ralf Richter ,  Thorsten Kammler ,  Heike Salz ,  Volker Grimm

发明人： Ralf Richter ,  Thorsten Kammler ,  Heike Salz ,  Volker Grimm

IPC分类号： H01L21/31 ,  H01L29/51

CPC分类号： H01L21/823807 ,  H01L29/7843

摘要： By forming an etch control material with increased thickness on a first stressed dielectric layer in a dual stress liner approach, the surface topography may be smoothed prior to the deposition of the second stressed dielectric material, thereby allowing the deposition of an increased amount of stressed material while not contributing to yield loss caused by deposition-related defects.

摘要翻译： 通过在双应力衬垫方法中在第一应力介电层上形成具有增加的厚度的蚀刻控制材料，在沉积第二应力介电材料之前，可以平滑表面形貌，从而允许沉积增加量的应力材料 而不会导致沉积相关缺陷引起的屈服损失。

公开(公告)号：US07456062B1

公开(公告)日：2008-11-25

申请号：US11209871

申请日：2005-08-23

申请人： William G. En ,  Thorsten Kammler ,  Eric N. Paton ,  Paul R. Besser ,  Simon Siu-Sing Chan

发明人： William G. En ,  Thorsten Kammler ,  Eric N. Paton ,  Paul R. Besser ,  Simon Siu-Sing Chan

IPC分类号： H01L21/8238 ,  H01L21/336 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/4763

CPC分类号： H01L29/7834 ,  H01L21/28035 ,  H01L21/28123 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66628

摘要： A sidewall spacer structure is formed adjacent to a gate structure whereby a material forming an outer surface of the sidewall spacer structure contains nitrogen. Subsequent to its formation the sidewall spacer structure is annealed to harden the sidewall spacer structure from a subsequent cleaning process. An epitaxial layer is formed subsequent to the cleaning process.

公开(公告)号：US07223662B2

公开(公告)日：2007-05-29

申请号：US11082122

申请日：2005-03-16

申请人： Thorsten Kammler ,  Scott Luning ,  Linda Black

发明人： Thorsten Kammler ,  Scott Luning ,  Linda Black

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/44 ,  H01L21/302 ,  H01L21/461

CPC分类号： H01L21/26506 ,  H01L21/28035 ,  H01L29/41783 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66772

摘要： By substantially amorphizing a selectively epitaxially grown silicon layer used for forming a raised drain and source region and a portion of the underlying substrate, or just the surface region of the substrate (prior to growing the silicon overlayer), the number of interface defects located between the grown silicon layer and the initial substrate surface may be significantly reduced. Consequently, deleterious effects such as charge carrier gettering or creating diffusion paths for dopants may be suppressed.

摘要翻译： 通过使用于形成隆起的漏极和源极区域以及下部衬底的一部分或仅仅衬底的表面区域（在生长硅覆盖层之前）的选择性外延生长的硅层基本上非晶化，位于 可以显着减少生长的硅层和初始衬底表面。 因此，可以抑制诸如电荷载体吸杂或产生掺杂剂的扩散路径的有害影响。

公开(公告)号：US20060252191A1

公开(公告)日：2006-11-09

申请号：US11120857

申请日：2005-05-03

申请人： Thorsten Kammler ,  Helmut Bierstedt ,  Scott Luning

发明人： Thorsten Kammler ,  Helmut Bierstedt ,  Scott Luning

IPC分类号： H01L21/8234 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8238

CPC分类号： H01L29/7833 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/823814 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/78621

摘要： A first gate structure and a second gate structure are formed overlying a semiconductor substrate. A first protective layer is formed overlying the first gate structure and an associate source drain region. A first epitaxial layer is formed overlying the second source drain prior to removal of the first protective layer.

摘要翻译： 第一栅极结构和第二栅极结构形成在半导体衬底上。 第一保护层形成在第一栅极结构和相关源极漏极区之上。 在去除第一保护层之前，在第二源极漏极上形成第一外延层。

公开(公告)号：US20060003533A1

公开(公告)日：2006-01-05

申请号：US11082122

申请日：2005-03-16

申请人： Thorsten Kammler ,  Scott Luning ,  Linda Black

发明人： Thorsten Kammler ,  Scott Luning ,  Linda Black

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/425

CPC分类号： H01L21/26506 ,  H01L21/28035 ,  H01L29/41783 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66772

摘要： By substantially amorphizing a selectively epitaxially grown silicon layer used for forming a raised drain and source region and a portion of the underlying substrate, or just the surface region of the substrate (prior to growing the silicon overlayer), the number of interface defects located between the grown silicon layer and the initial substrate surface may be significantly reduced. Consequently, deleterious effects such as charge carrier gettering or creating diffusion paths for dopants may be suppressed.

摘要翻译： 通过使用于形成隆起的漏极和源极区域以及下部衬底的一部分或仅仅衬底的表面区域（在生长硅覆盖层之前）的选择性外延生长的硅层基本上非晶化，位于 可以显着减少生长的硅层和初始衬底表面。 因此，可以抑制诸如电荷载体吸杂或产生掺杂剂的扩散路径的有害影响。