公开(公告)号：US07532513B2

公开(公告)日：2009-05-12

申请号：US11845690

申请日：2007-08-27

申请人： Han-Sung Chen ,  Su-Chueh Lo ,  Chun-Hsiung Hung ,  Nai-Ping Kuo ,  Ming-Chih Hsieh ,  Wen-Pin Tsai

发明人： Han-Sung Chen ,  Su-Chueh Lo ,  Chun-Hsiung Hung ,  Nai-Ping Kuo ,  Ming-Chih Hsieh ,  Wen-Pin Tsai

IPC分类号： G11C11/34

CPC分类号： G11C29/02 ,  G11C8/08 ,  G11C29/025 ,  G11C2029/1202 ,  G11C2029/5006

摘要： A method for detecting word line leakage in a memory device includes coupling a first plurality of word lines in the memory device to a voltage source while grounding a second plurality of word lines. Each of the second plurality of word lines is adjacent to a corresponding one of the first plurality of word lines. The method includes waiting for a period of time to allow the word lines to reach a predetermined read voltage level. The method also includes decoupling the first plurality of word lines from the voltage source and waiting for a second predetermined period of time to allow the first plurality of word lines to discharge. The method further includes sensing a current associated with the word lines, and comparing the current with a predetermined reference current which is selected for identifying a word line leakage condition associated with the first plurality of word lines.

摘要翻译： 一种用于检测存储器件中的字线泄漏的方法，包括：将所述存储器件中的第一多个字线耦合到电压源，同时接地第二多个字线。 第二多个字线中的每一个与第一多个字线中的相应一个字线相邻。 该方法包括等待一段时间以允许字线达到预定的读取电压电平。 该方法还包括将第一多个字线与电压源去耦，并等待第二预定时间段以允许第一个多个字线放电。 该方法还包括感测与字线相关联的电流，以及将电流与为了识别与第一多个字线相关联的字线泄漏状况而被选择的预定参考电流进行比较。

公开(公告)号：US20080282107A1

公开(公告)日：2008-11-13

申请号：US11745244

申请日：2007-05-07

申请人： Chun-Hsiung Hung ,  Han-Sung Chen ,  Nai-Ping Kuo ,  Su-Chueh Lo

发明人： Chun-Hsiung Hung ,  Han-Sung Chen ,  Nai-Ping Kuo ,  Su-Chueh Lo

IPC分类号： G06F11/26

CPC分类号： G11C29/56 ,  G11C29/56008 ,  G11C29/88

摘要： Methods and apparatuses are disclosed in which a repair instruction, such as from a tester, causes an integrated circuit undergoing testing to substitute defective locations of a first set of memory cells in the integrated circuit with a second set of memory cells in the integrated circuit, despite the repair instruction omitting the defective locations of the first set of memory cells of the integrated circuit.

摘要翻译： 公开了一种方法和装置，其中诸如来自测试者的修复指令使得正在进行测试的集成电路用集成电路中的第二组存储器单元替换集成电路中的第一组存储器单元的缺陷位置， 尽管修复指令省略了集成电路的第一组存储单元的缺陷位置。

公开(公告)号：US06421275B1

公开(公告)日：2002-07-16

申请号：US09683577

申请日：2002-01-22

申请人： Han-Sung Chen ,  Nai-Ping Kuo ,  Kuo-Yu Liao ,  Chun-Hsiung Hung

发明人： Han-Sung Chen ,  Nai-Ping Kuo ,  Kuo-Yu Liao ,  Chun-Hsiung Hung

IPC分类号： G11C1628

CPC分类号： G11C5/147 ,  G11C17/12

摘要： A reference current is generated by inputting an adjusting current, which is about two or three micro amperes larger than the drain current of the NROM cell having a highest threshold voltage of the flash memory, a reference current with an initial value, effectively the same as the drain current of the NROM cell with a lowest threshold voltage. The method involves sensing the difference between the reference current decreasing from its initial value, and the adjusting current under a predetermined memory speed.

摘要翻译： 通过输入调节电流产生参考电流，该调整电流大于具有闪存的最高阈值电压的NROM单元的漏极电流大约两个或三个微安，具有初始值的参考电流，与 具有最低阈值电压的NROM单元的漏极电流。 该方法涉及感测从其初始值减小的参考电流与在预定存储器速度下的调整电流之间的差异。

公开(公告)号：US20090225607A1

公开(公告)日：2009-09-10

申请号：US12421523

申请日：2009-04-09

申请人： Han-Sung Chen ,  Su-Chueh Lo ,  Chun-Hsiung Hung ,  Nai-Ping Kuo ,  Ming-Chih Hsieh ,  Wen-Pin Tsai

发明人： Han-Sung Chen ,  Su-Chueh Lo ,  Chun-Hsiung Hung ,  Nai-Ping Kuo ,  Ming-Chih Hsieh ,  Wen-Pin Tsai

IPC分类号： G11C7/00 ,  G11C5/14

CPC分类号： G11C29/02 ,  G11C8/08 ,  G11C29/025 ,  G11C2029/1202 ,  G11C2029/5006

摘要： Some embodiments of the present invention provide a memory device including a first memory array having a first word line and a comparator circuit having a first terminal coupled to a reference voltage and a second terminal coupled to a first switch selectively coupling the first word line to a power source or the second terminal. In an embodiment, the reference voltage is selected for identifying a leakage condition associated with the first word line. In another embodiment, the first switch is configured to couple the first word line to the power source for a first predetermined period of time to allow charging of the first word line. In another embodiment, the first switch is configured to couple the first word line to the second terminal of the comparator for at least a second predetermined period of time.

摘要翻译： 本发明的一些实施例提供了一种存储器件，其包括具有第一字线的第一存储器阵列和具有耦合到参考电压的第一端子的比较器电路，以及耦合到选择性地将第一字线耦合到第一字线的第一开关的第二端子 电源或第二终端。 在一个实施例中，选择参考电压以识别与第一字线相关联的泄漏状况。 在另一个实施例中，第一开关被配置为将第一字线耦合到电源第一预定时间段以允许对第一字线充电。 在另一个实施例中，第一开关被配置为将第一字线耦合到比较器的第二端子至少第二预定时间段。

公开(公告)号：US08977912B2

公开(公告)日：2015-03-10

申请号：US11745244

申请日：2007-05-07

申请人： Chun-Hsiung Hung ,  Han-Sung Chen ,  Nai-Ping Kuo ,  Su-Chueh Lo

发明人： Chun-Hsiung Hung ,  Han-Sung Chen ,  Nai-Ping Kuo ,  Su-Chueh Lo

IPC分类号： G11C29/24 ,  G11C29/56 ,  G11C29/00 ,  G11C29/54

CPC分类号： G11C29/56 ,  G11C29/56008 ,  G11C29/88

摘要： Methods and apparatuses are disclosed in which a repair instruction, such as from a tester, causes an integrated circuit undergoing testing to substitute defective locations of a first set of memory cells in the integrated circuit with a second set of memory cells in the integrated circuit, despite the repair instruction omitting the defective locations of the first set of memory cells of the integrated circuit.

摘要翻译： 公开了一种方法和装置，其中诸如来自测试者的修复指令使得正在进行测试的集成电路用集成电路中的第二组存储器单元替换集成电路中的第一组存储器单元的缺陷位置， 尽管修复指令省略了集成电路的第一组存储单元的缺陷位置。

公开(公告)号：US07835178B2

公开(公告)日：2010-11-16

申请号：US12421523

申请日：2009-04-09

申请人： Han-Sung Chen ,  Su-Chueh Lo ,  Chun-Hsiung Hung ,  Nai-Ping Kuo ,  Ming-Chih Hsieh ,  Wen-Pin Tsai

发明人： Han-Sung Chen ,  Su-Chueh Lo ,  Chun-Hsiung Hung ,  Nai-Ping Kuo ,  Ming-Chih Hsieh ,  Wen-Pin Tsai

IPC分类号： G11C16/04

CPC分类号： G11C29/02 ,  G11C8/08 ,  G11C29/025 ,  G11C2029/1202 ,  G11C2029/5006

摘要： Some embodiments of the present invention provide a memory device including a first memory array having a first word line and a comparator circuit having a first terminal coupled to a reference voltage and a second terminal coupled to a first switch selectively coupling the first word line to a power source or the second terminal. In an embodiment, the reference voltage is selected for identifying a leakage condition associated with the first word line. In another embodiment, the first switch is configured to couple the first word line to the power source for a first predetermined period of time to allow charging of the first word line. In another embodiment, the first switch is configured to couple the first word line to the second terminal of the comparator for at least a second predetermined period of time.

摘要翻译： 本发明的一些实施例提供了一种存储器件，其包括具有第一字线的第一存储器阵列和具有耦合到参考电压的第一端子的比较器电路，以及耦合到选择性地将第一字线耦合到第一字线的第一开关的第二端子 电源或第二终端。 在一个实施例中，选择参考电压以识别与第一字线相关联的泄漏状况。 在另一个实施例中，第一开关被配置为将第一字线耦合到电源第一预定时间段以允许对第一字线充电。 在另一个实施例中，第一开关被配置为将第一字线耦合到比较器的第二端子至少第二预定时间段。

公开(公告)号：US08018772B2

公开(公告)日：2011-09-13

申请号：US12899439

申请日：2010-10-06

申请人： Han-Sung Chen ,  Su-Chueh Lo ,  Chun-Hsiung Hung ,  Nai-Ping Kuo ,  Ming-Chih Hsieh ,  Wen-Pin Tsai

发明人： Han-Sung Chen ,  Su-Chueh Lo ,  Chun-Hsiung Hung ,  Nai-Ping Kuo ,  Ming-Chih Hsieh ,  Wen-Pin Tsai

IPC分类号： G11C11/34

CPC分类号： G11C29/02 ,  G11C8/08 ,  G11C29/025 ,  G11C2029/1202 ,  G11C2029/5006

摘要： According to an embodiment of the present invention, a method for detecting word line leakage in a memory device includes coupling a first word line in the memory device to a voltage source while coupling a second word line in the memory device to a ground level voltage. Next, the first word line is decoupled from the voltage source. The method also includes comparing a current of the first word line with a predetermined reference current for determining a leakage condition of the word line.

摘要翻译： 根据本发明的实施例，一种用于检测存储器件中的字线泄漏的方法包括将存储器件中的第一字线耦合到电压源，同时将存储器件中的第二字线耦合到地电平电压。 接下来，第一个字线与电压源去耦。 该方法还包括将第一字线的电流与用于确定字线的泄漏状况的预定参考电流进行比较。

公开(公告)号：US20090063918A1

公开(公告)日：2009-03-05

申请号：US11845690

申请日：2007-08-27

申请人： Han-Sung Chen ,  Su-Chueh Lo ,  Chun-Hsiung Hung ,  Nai-Ping Kuo ,  Ming-Chih Hsieh ,  Wen-Pin Tsai

发明人： Han-Sung Chen ,  Su-Chueh Lo ,  Chun-Hsiung Hung ,  Nai-Ping Kuo ,  Ming-Chih Hsieh ,  Wen-Pin Tsai

IPC分类号： G11C29/08

CPC分类号： G11C29/02 ,  G11C8/08 ,  G11C29/025 ,  G11C2029/1202 ,  G11C2029/5006

摘要： A method for detecting word line leakage in a memory device includes coupling a first plurality of word lines in the memory device to a voltage source while grounding a second plurality of word lines. Each of the second plurality of word lines is adjacent to a corresponding one of the first plurality of word lines. The method includes waiting for a period of time to allow the word lines to reach a predetermined read voltage level. The method also includes decoupling the first plurality of word lines from the voltage source and waiting for a second predetermined period of time to allow the first plurality of word lines to discharge. The method further includes sensing a current associated with the word lines, and comparing the current with a predetermined reference current which is selected for identifying a word line leakage condition associated with the first plurality of word lines.

摘要翻译： 一种用于检测存储器件中的字线泄漏的方法，包括：将所述存储器件中的第一多个字线耦合到电压源，同时接地第二多个字线。 第二多个字线中的每一个与第一多个字线中的相应一个字线相邻。 该方法包括等待一段时间以允许字线达到预定的读取电压电平。 该方法还包括将第一多个字线与电压源去耦，并等待第二预定时间段以允许第一个多个字线放电。 该方法还包括感测与字线相关联的电流，以及将电流与为了识别与第一多个字线相关联的字线泄漏状况而被选择的预定参考电流进行比较。

公开(公告)号：US06845052B1

公开(公告)日：2005-01-18

申请号：US10250040

申请日：2003-05-30

申请人： Hsin-Yi Ho ,  Nai-Ping Kuo ,  Chun-Hsiung Hung ,  Gin-Liang Chen ,  Wen-Chiao Ho ,  Ho-Chun Liou

发明人： Hsin-Yi Ho ,  Nai-Ping Kuo ,  Chun-Hsiung Hung ,  Gin-Liang Chen ,  Wen-Chiao Ho ,  Ho-Chun Liou

IPC分类号： G11C7/06 ,  G11C7/14 ,  G11C16/28 ,  G11C7/02

CPC分类号： G11C7/14 ,  G11C7/062 ,  G11C16/28 ,  G11C2207/2227

摘要： The present invention provides a dual reference cell sensing scheme for non-volatile memory. A high voltage reference cell and a low voltage reference cell are individually coupled to two sense amplifiers for providing two distinct reference voltages for comparison against the memory cell voltage. The output of the two sense amplifiers is further connected to a second stage sense amplifier to determine the status of the memory. The dual reference cell sensing scheme provides an increased sensing window which increases performance under low voltage application. The dual reference cell sensing scheme can be implemented by either voltage-based, current-based, or ground.

摘要翻译： 本发明提供了一种用于非易失性存储器的双参考单元感测方案。 高电压参考单元和低电压参考单元分别耦合到两个读出放大器，用于提供用于与存储单元电压进行比较的两个不同的参考电压。 两个读出放大器的输出进一步连接到第二级读出放大器以确定存储器的状态。 双参考电池感测方案提供增加的感测窗口，其在低电压应用下增加性能。 双参考电池感测方案可以通过基于电压，基于电流或接地来实现。

公开(公告)号：US06665216B1

公开(公告)日：2003-12-16

申请号：US10202245

申请日：2002-07-23

申请人： Hsin-Yi Ho ,  Nai-Ping Kuo ,  Chun-Hsiung Hung ,  Gin-Laing Chen ,  Wen-Chiao Ho ,  Ho-Chun Liou

发明人： Hsin-Yi Ho ,  Nai-Ping Kuo ,  Chun-Hsiung Hung ,  Gin-Laing Chen ,  Wen-Chiao Ho ,  Ho-Chun Liou

IPC分类号： G11C700

CPC分类号： G11C16/28 ,  G11C7/062

摘要： A system for reading data in a memory cell includes three comparators, each of which has two inputs. A first reference cell having a low reference voltage is coupled to one input of the first comparator. A second reference cell having a high reference voltage is coupled to one input of the second comparator. A memory cell having a memory cell voltage is coupled to the other input of the first and second comparators. One input of the third comparator is coupled to the first comparator's output signal, which includes a difference voltage between the memory cell voltage and the low reference voltage. The other input of the third comparator is coupled to the second comparator's output signal, which includes a difference voltage between the memory cell voltage and the high reference voltage. A method and apparatus for reading data in a memory cell also are described.

摘要翻译： 用于读取存储器单元中的数据的系统包括三个比较器，每个比较器具有两个输入。 具有低参考电压的第一参考单元耦合到第一比较器的一个输入端。 具有高参考电压的第二参考单元耦合到第二比较器的一个输入端。 具有存储单元电压的存储单元耦合到第一和第二比较器的另一个输入端。 第三比较器的一个输入耦合到第一比较器的输出信号，其包括存储单元电压和低参考电压之间的差电压。 第三比较器的另一输入端耦合到第二比较器的输出信号，其包括存储单元电压和高参考电压之间的差电压。 还描述了一种用于在存储器单元中读取数据的方法和装置。