公开(公告)号：US20080142788A1

公开(公告)日：2008-06-19

申请号：US11638726

申请日：2006-12-14

申请人： Yuning Li ,  Beng S. Ong

发明人： Yuning Li ,  Beng S. Ong

IPC分类号： H01L51/05 ,  H01L51/30

CPC分类号： C08G61/126 ,  C08G2261/1424 ,  C08G2261/3223 ,  C08G2261/92 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545

摘要： An electronic device with a semiconductor layer of (I) wherein X is O or NR′; m represents the number of methylenes; M is a conjugated moiety; R and R′ are selected from the group consisting of at least one of hydrogen, a suitable hydrocarbon, and a suitable hetero-containing group; a represents the number of 3-substituted thiophene units; b represents the number of conjugated moieties, and n represents the number of polymer repeating units.

摘要翻译： 一种具有半导体层（I）的电子器件，其中X为O或NR'; m表示亚甲基的数量; M是共轭部分; R和R'选自氢，合适的烃和合适的含杂原子团中的至少一种; a表示3-取代噻吩单元的数目; b表示共轭部分的数目，n表示聚合物重复单元的数目。

公开(公告)号：US20080121869A1

公开(公告)日：2008-05-29

申请号：US11564438

申请日：2006-11-29

申请人： Yiliang Wu ,  Beng S. Ong

发明人： Yiliang Wu ,  Beng S. Ong

IPC分类号： H01L51/05 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L51/105 ,  H01L51/0037 ,  H01L51/0525 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545

摘要： A thin-film transistor (TFT) with dual-layer source and drain electrodes is provided. Each source and drain electrode comprises a first layer and a second layer. The first layer has a work function which differs from the energy level of the semiconductor by at least 0.5 eV and the second layer has a work function matching the energy level of the semiconductor. The semiconductor has a short channel length.

摘要翻译： 提供了具有双层源极和漏极的薄膜晶体管（TFT）。 每个源极和漏极包括第一层和第二层。 第一层具有与半导体的能级不同至少0.5eV的功函数，第二层具有与半导体的能级匹配的功函数。 半导体具有短的沟道长度。

公开(公告)号：US20080099803A1

公开(公告)日：2008-05-01

申请号：US11546857

申请日：2006-10-12

申请人： Yuning Li ,  Beng S. Ong

发明人： Yuning Li ,  Beng S. Ong

IPC分类号： H01L31/113 ,  H01L31/062

CPC分类号： H01L29/7869 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/04 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0673

摘要： A thin film transistor is disclosed comprising comprises a substrate, a dielectric layer, and a semiconductor layer. The semiconductor layer, which is crystalline zinc oxide preferentially oriented with the c-axis perpendicular to the plane of the dielectric layer or substrate, is prepared by liquid depositing a zinc oxide nanodisk composition. The thin film transistor has good mobility and on/off ratio.

摘要翻译： 公开了一种薄膜晶体管，其包括衬底，电介质层和半导体层。 通过液体沉积氧化锌纳米盘组合物来制备半导体层，其是以c轴垂直于电介质层或衬底的平面优先取向的结晶氧化锌。 薄膜晶体管具有良好的迁移率和开/关比。

公开(公告)号：US20080032443A1

公开(公告)日：2008-02-07

申请号：US11497826

申请日：2006-08-02

申请人： Yiliang Wu ,  Beng S. Ong

发明人： Yiliang Wu ,  Beng S. Ong

IPC分类号： H01L21/84 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L29/7869

摘要： A process for fabricating at least one semiconductor layer of an electronic device including: performing on a composition including a hydrolyzable zinc compound a number of activities including: (a) hydrolyzing at least a portion of the hydrolyzable zinc compound to form zinc oxide; (b) liquid depositing; and (c) optionally heating, wherein the activities (a), (b), and (c) are each accomplished a number of times in any effective arrangement, resulting in the at least one semiconductor layer comprising the zinc oxide.

摘要翻译： 一种用于制造电子器件的至少一个半导体层的方法，包括：对包含可水解锌化合物的组合物进行多种活性，包括：（a）水解可水解的锌化合物的至少一部分以形成氧化锌; （b）液体沉积; 和（c）可选地加热，其中活性（a），（b）和（c）各自以任何有效布置实现多次，导致至少一个包含氧化锌的半导体层。

公开(公告)号：US07294850B2

公开(公告)日：2007-11-13

申请号：US10865620

申请日：2004-06-10

申请人： Beng S. Ong ,  Ping Liu ,  Yiliang Wu

发明人： Beng S. Ong ,  Ping Liu ,  Yiliang Wu

IPC分类号： H01L35/24

CPC分类号： H01L51/0036 ,  H01L51/0052 ,  H01L51/0068 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545

摘要： An electronic device composed of a semiconductor layer in contact with a number of electrodes, wherein the semiconductor layer includes a small molecular thiophene compound consisting of: at least one divalent linkage; and a plurality of thiophene units, each thiophene unit being represented by structure (A) wherein each thiophene unit is bonded at either or both of the second ring position and the fifth ring position, wherein there is at least one thiophene unit where R1 is present at the third ring position or the fourth ring position, or at both the third ring position and the fourth ring position, wherein for any two adjacent thiophene units there is excluded the simultaneous presence of the same or different R1 at the 3-position of one thiophene unit and at the 3′-position of the other thiophene unit, and wherein the number of the thiophene units is at least 6.

摘要翻译： 由与多个电极接触的半导体层构成的电子器件，其中所述半导体层包括由以下组成的小分子噻吩化合物：至少一个二价键; 和多个噻吩单元，每个噻吩单元由结构（A）表示，其中每个噻吩单元在第二环位置和第五环位置的一个或两个上键合，其中存在至少一个噻吩单元，其中R _{1 存在于第三环位置或第四环位置处，或在第三环位置和第四环位置处，其中对于任何两个相邻的噻吩单元，排除了同时存在相同或不同的 R 1在一个噻吩单元的3-位和另一个噻吩单元的3'-位上，并且其中噻吩单元的数目至少为6。}

公开(公告)号：US20070235720A1

公开(公告)日：2007-10-11

申请号：US11398941

申请日：2006-04-06

申请人： Yiliang Wu ,  Ping Liu ,  Beng S. Ong

发明人： Yiliang Wu ,  Ping Liu ,  Beng S. Ong

IPC分类号： H01L29/08

CPC分类号： H01L51/0059 ,  C08G61/122 ,  C08G73/0694 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/006 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545

摘要： An electronic device, such as a thin film transistor, containing a polymer of the formula or structure wherein at least one of each R, R1, R2, R3, R4, R5 and R6 is independently hydrogen, alkyl, aryl, alkoxy, halogen, arylalkyl, cyano, or nitro; x and y represent the number of R substituents; a and b represent the number of rings; and n represents the number of repeating groups or moieties.

摘要翻译： 一种电子器件，例如薄膜晶体管，其含有下式或结构的聚合物，其中R 1，R 2，R 2，R 2，R 2， R 3，R 4，R 5和R 6独立地是氢，烷基，芳基，烷氧基，卤素，芳烷基， 氰基或硝基; x和y表示R取代基的数目; a和b表示环数; 并且n表示重复基团或部分的数目。

公开(公告)号：US07102017B2

公开(公告)日：2006-09-05

申请号：US10865029

申请日：2004-06-10

申请人： Ping Liu ,  Yiliang Wu ,  Beng S. Ong ,  Maria Birau

发明人： Ping Liu ,  Yiliang Wu ,  Beng S. Ong ,  Maria Birau

IPC分类号： C07D409/00

CPC分类号： C08G61/126 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0068 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545

摘要： A process composed of subjecting a reaction mixture comprising a reaction medium, a coupling agent, and a precursor to a coupling temperature to preferentially form a desired small molecular thiophene compound in a single-step synthesis, wherein the precursor consists of: (i) an optional divalent linkage, and (ii) a plurality of thiophene units, each thiophene unit being represented by structure (A) wherein each thiophene unit is bonded at either or both of the second ring position and the fifth ring position.

摘要翻译： 一种方法是将包含反应介质，偶联剂和前体的反应混合物与偶合温度进行反应，以在单步合成中优先形成所需的小分子噻吩化合物，其中前体由以下物质组成：（i） 任选的二价键，和（ii）多个噻吩单元，每个噻吩单元由结构（A）表示，其中每个噻吩单元在第二环位置和第五环位置中的任一个或两个结合。

公开(公告)号：US06992167B2

公开(公告)日：2006-01-31

申请号：US10874929

申请日：2004-06-23

申请人： Beng S. Ong ,  Lu Jiang ,  Yiliang Wu ,  Dasarao K. Murti

发明人： Beng S. Ong ,  Lu Jiang ,  Yiliang Wu ,  Dasarao K. Murti

IPC分类号： C08G75/00

CPC分类号： C08G61/126 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0043 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545

摘要： Polythiophenes of the formula wherein R and R′ are side chains; A is a divalent linkage; x and y represent the number of unsubstituted thienylene units; z represents the number of groups, and wherein the sum of x and y represents the number of groups; m represents the number of segments; and n represents the degree of polymerization.

摘要翻译： 下式的聚噻吩其中R和R'是侧链; A是二价键; x和y表示未取代的噻吩基单元的数目; z表示组的数目，并且其中x和y的和表示组的数目; m表示段数; n表示聚合度。

公开(公告)号：US5858601A

公开(公告)日：1999-01-12

申请号：US127851

申请日：1998-08-03

申请人： Beng S. Ong ,  T. Hwee Ng ,  Walter Mychajlowskij ,  Raj D. Patel ,  Patricia A. Burns

发明人： Beng S. Ong ,  T. Hwee Ng ,  Walter Mychajlowskij ,  Raj D. Patel ,  Patricia A. Burns

IPC分类号： G03G9/08 ,  G03G9/093

CPC分类号： G03G9/093 ,  G03G9/0804

摘要： A process for the preparation of toner comprising(i) blending (a) a colorant dispersion containing a first ionic surfactant with (b) a latex emulsion comprised of an aqueous dispersion of core-shell polymer particles with a crosslinked polymer core and a linear polymer shell, and optional nonionic surfactant and a second ionic surfactant with a charge polarity opposite to that of said first ionic surfactant in said colorant dispersion;(ii) heating the resulting mixture at about below the glass transition temperature (Tg) of the linear latex shell polymer to form aggregates; and(iii) subsequently heating said aggregates about above the Tg of the linear latex shell polymer to effect coalescence and fusion of said aggregates.

摘要翻译： 一种制备调色剂的方法，包括（i）将（a）含有第一离子表面活性剂的着色剂分散体与（b）由核 - 壳聚合物颗粒的水性分散体与交联的聚合物核心和线性聚合物组成的胶乳乳液 壳和任选的非离子表面活性剂和在所述着色剂分散体中具有与所述第一离子表面活性剂的电荷极性相反的电荷的第二离子表面活性剂; （ii）将所得混合物加热至低于线性胶乳壳聚合物的玻璃化转变温度（Tg）以形成聚集体; 和（iii）随后将所述聚集体加热至高于线性胶乳壳聚合物的Tg，以实现所述聚集体的聚结和熔融。

公开(公告)号：US5763133A

公开(公告)日：1998-06-09

申请号：US825451

申请日：1997-03-28

申请人： Beng S. Ong ,  Walter Mychajlowskij ,  Grazyna E. Kmiecik-Lawrynowicz ,  Raj D. Patel ,  David J. Sanders ,  Stephan V. Drappel

发明人： Beng S. Ong ,  Walter Mychajlowskij ,  Grazyna E. Kmiecik-Lawrynowicz ,  Raj D. Patel ,  David J. Sanders ,  Stephan V. Drappel

IPC分类号： G03G9/08 ,  G03G9/087 ,  G03G9/09 ,  G03G9/097

CPC分类号： G03G9/08793 ,  G03G9/0804 ,  G03G9/08708 ,  G03G9/08711 ,  G03G9/08728 ,  G03G9/08731 ,  G03G9/08733

摘要： A process for the preparation of toner comprising (i) blending (a) an aqueous pigment dispersion containing a first ionic surfactant and an optional charge control agent with (b) a latex blend comprised of linear polymer and crosslinked polymer particles, optional nonionic surfactant and a second ionic surfactant with a charge polarity opposite to that of said first ionic surfactant in said pigment dispersion; (ii) heating the resulting mixture at about below the glass transition temperature (Tg) of the linear latex polymer to form toner sized aggregates; and (iii) subsequently heating said aggregate suspension about above the Tg of the linear latex polymer to effect fusion or coalescence of said aggregates.

摘要翻译： 一种制备调色剂的方法，包括（i）将（a）含有第一离子型表面活性剂和任选的电荷控制剂的水性颜料分散体与（b）由线性聚合物和交联聚合物颗粒组成的胶乳共混物，任选的非离子表面活性剂和 在所述颜料分散体中具有与所述第一离子型表面活性剂相反的电荷极性的第二离子表面活性剂; （ii）将所得混合物加热至低于线性胶乳聚合物的玻璃化转变温度（Tg），以形成调色剂尺寸的聚集体; 和（iii）随后将所述聚集体悬浮液加热至高于线性胶乳聚合物的Tg，以实现所述聚集体的熔融或聚结。