公开(公告)号：US07615607B2

公开(公告)日：2009-11-10

申请号：US11399230

申请日：2006-04-06

申请人： Yiliang Wu ,  Ping Liu ,  Beng S. Ong

发明人： Yiliang Wu ,  Ping Liu ,  Beng S. Ong

IPC分类号： C08G75/00

CPC分类号： C08G61/122 ,  C08G61/126

摘要： A polymer comprising those selected from the group consisting of at least one of Formula (I), Formula (II), or mixtures thereof wherein each R1 to R10 is independently hydrogen, alkyl, aryl, alkoxy, halogen, arylalkyl, cyano, or nitro providing that R1 and R2 exclude halogen, nitro and cyano; a and b represent the number of rings; and n represents the number of repeating groups or moieties.

摘要翻译： 包含选自式（I），式（II）或其混合物中的至少一种的那些的聚合物，其中每个R 1至R 10独立地为氢，烷基，芳基，烷氧基，卤素，芳基烷基，氰基或硝基 条件是R1和R2不包括卤素，硝基和氰基; a和b表示环数; 并且n表示重复基团或部分的数目。

公开(公告)号：US07550760B2

公开(公告)日：2009-06-23

申请号：US11399216

申请日：2006-04-06

申请人： Yuning Li ,  Ping Liu ,  Yiliang Wu ,  Beng S. Ong

发明人： Yuning Li ,  Ping Liu ,  Yiliang Wu ,  Beng S. Ong

IPC分类号： H01L35/24

CPC分类号： C08G61/02 ,  H01L51/0038 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545

摘要： An electronic device comprises a semiconductive material containing a homopolyacene of Formula (I): wherein R is a suitable hydrocarbon, a halogen, or a heteroatom containing group; each R′ and R″ are independently a suitable hydrocarbon, a heteroatom containing group, or a halogen; a represents a number of benzene rings on a left side of the central benzene ring; b represents a number of benzene rings on a right side of the central benzene ring; x represents a total number of R′ groups on the left side of the central benzene ring; y represents a total number of R″ groups on the right side of the central benzene ring; and n represents the number of repeating units and is from 2 to about 5,000.

摘要翻译： 电子器件包括含有式（I）的均聚并苯的半导体材料：其中R是合适的烃，卤素或含杂原子的基团; 每个R'和R“独立地是合适的烃，含杂原子的基团或卤素; a表示中心苯环左侧的多个苯环; b表示中心苯环右侧的苯环数目; x表示中心苯环左侧的R'基团的总数; y表示中心苯环右侧的R“基团的总数; n表示重复单元的数量，为2〜约5,000。

公开(公告)号：US20090127552A1

公开(公告)日：2009-05-21

申请号：US12360164

申请日：2009-01-27

申请人： Yuning Li ,  Beng S. Ong

发明人： Yuning Li ,  Beng S. Ong

IPC分类号： H01L29/10

CPC分类号： H01L29/7869 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/04 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0673

摘要： A thin film transistor is disclosed comprising comprises a substrate, a dielectric layer, and a semiconductor layer. The semiconductor layer, which is crystalline zinc oxide preferentially oriented with the c-axis perpendicular to the plane of the dielectric layer or substrate, is prepared by liquid depositing a zinc oxide nanodisk composition. The thin film transistor has good mobility and on/off ratio.

摘要翻译： 公开了一种薄膜晶体管，其包括衬底，电介质层和半导体层。 通过液体沉积氧化锌纳米盘组合物来制备半导体层，其是以c轴垂直于电介质层或衬底的平面优先取向的结晶氧化锌。 薄膜晶体管具有良好的迁移率和开/关比。

公开(公告)号：US07402681B2

公开(公告)日：2008-07-22

申请号：US11167512

申请日：2005-06-27

申请人： Beng S. Ong ,  Yu Qi ,  Yiliang Wu ,  Yuning Li

发明人： Beng S. Ong ,  Yu Qi ,  Yiliang Wu ,  Yuning Li

IPC分类号： C07D209/14 ,  C07D209/56

CPC分类号： H01L51/0072 ,  C07D487/04 ,  C07D487/14 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/0068 ,  H01L51/0516 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545

摘要： A compound composed of a plurality of optionally substituted indolocarbazole moieties which are the same or different from each other.

摘要翻译： 由多个彼此相同或不同的任选取代的吲哚咔唑部分组成的化合物。

公开(公告)号：US07396852B2

公开(公告)日：2008-07-08

申请号：US11280552

申请日：2005-11-16

申请人： Yuning Li ,  Beng S. Ong ,  Yiliang Wu ,  Ping Liu

发明人： Yuning Li ,  Beng S. Ong ,  Yiliang Wu ,  Ping Liu

IPC分类号： A61K31/40

CPC分类号： H01L51/0036 ,  C07D487/04 ,  C08G61/124 ,  C08G61/126

摘要： A compound including at least one type of an optionally substituted indolocarbazole moiety and at least one divalent linkage.

摘要翻译： 包括至少一种类型的任选取代的吲哚咔唑部分和至少一个二价键的化合物。

公开(公告)号：US20080142788A1

公开(公告)日：2008-06-19

申请号：US11638726

申请日：2006-12-14

申请人： Yuning Li ,  Beng S. Ong

发明人： Yuning Li ,  Beng S. Ong

IPC分类号： H01L51/05 ,  H01L51/30

CPC分类号： C08G61/126 ,  C08G2261/1424 ,  C08G2261/3223 ,  C08G2261/92 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545

摘要： An electronic device with a semiconductor layer of (I) wherein X is O or NR′; m represents the number of methylenes; M is a conjugated moiety; R and R′ are selected from the group consisting of at least one of hydrogen, a suitable hydrocarbon, and a suitable hetero-containing group; a represents the number of 3-substituted thiophene units; b represents the number of conjugated moieties, and n represents the number of polymer repeating units.

摘要翻译： 一种具有半导体层（I）的电子器件，其中X为O或NR'; m表示亚甲基的数量; M是共轭部分; R和R'选自氢，合适的烃和合适的含杂原子团中的至少一种; a表示3-取代噻吩单元的数目; b表示共轭部分的数目，n表示聚合物重复单元的数目。

公开(公告)号：US20080122881A1

公开(公告)日：2008-05-29

申请号：US11563989

申请日：2006-11-28

申请人： Gabriel Iftime ,  Yiliang Wu ,  Paul F. Smith ,  Peter M. Kazmaier ,  Beng S. Ong

发明人： Gabriel Iftime ,  Yiliang Wu ,  Paul F. Smith ,  Peter M. Kazmaier ,  Beng S. Ong

IPC分类号： B41J29/38 ,  G06K19/06

CPC分类号： B41J29/393 ,  G06K19/067 ,  Y10S283/901

摘要： Disclosed is an item, for example a document, including a substrate having thereon a multiplicity of separate printed markings, wherein the printed markings include both conductive printed markings and substantially non-conductive printed markings. The different conductive and substantially non-conductive regions on the substrate can be detected, for example by measuring the resistance or current of each printed marking. The pattern of different conductive and substantially non-conductive regions can be used as a security pattern of authenticity that cannot be replicated by standard office equipment, and/or can be used to encrypt information in binary code form in the item. A system for forming and detecting the different printed markings is also described.

摘要翻译： 公开了一种物品，例如文件，包括其上具有多个分开的印刷标记的基板，其中印刷的标记包括导电印刷标记和基本不导电的印刷标记。 可以例如通过测量每个印刷标记的电阻或电流来检测衬底上不同的导电和基本不导电的区域。 可以将不同的导电和基本上不导电的区域的图案用作标准办公设备不能复制的真实性的安全模式，和/或可用于加密该项目中二进制代码形式的信息。 还描述了用于形成和检测不同印刷标记的系统。

公开(公告)号：US20080121869A1

公开(公告)日：2008-05-29

申请号：US11564438

申请日：2006-11-29

申请人： Yiliang Wu ,  Beng S. Ong

发明人： Yiliang Wu ,  Beng S. Ong

IPC分类号： H01L51/05 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L51/105 ,  H01L51/0037 ,  H01L51/0525 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545

摘要： A thin-film transistor (TFT) with dual-layer source and drain electrodes is provided. Each source and drain electrode comprises a first layer and a second layer. The first layer has a work function which differs from the energy level of the semiconductor by at least 0.5 eV and the second layer has a work function matching the energy level of the semiconductor. The semiconductor has a short channel length.

摘要翻译： 提供了具有双层源极和漏极的薄膜晶体管（TFT）。 每个源极和漏极包括第一层和第二层。 第一层具有与半导体的能级不同至少0.5eV的功函数，第二层具有与半导体的能级匹配的功函数。 半导体具有短的沟道长度。

公开(公告)号：US20080099803A1

公开(公告)日：2008-05-01

申请号：US11546857

申请日：2006-10-12

申请人： Yuning Li ,  Beng S. Ong

发明人： Yuning Li ,  Beng S. Ong

IPC分类号： H01L31/113 ,  H01L31/062

CPC分类号： H01L29/7869 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/04 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0673

摘要： A thin film transistor is disclosed comprising comprises a substrate, a dielectric layer, and a semiconductor layer. The semiconductor layer, which is crystalline zinc oxide preferentially oriented with the c-axis perpendicular to the plane of the dielectric layer or substrate, is prepared by liquid depositing a zinc oxide nanodisk composition. The thin film transistor has good mobility and on/off ratio.

摘要翻译： 公开了一种薄膜晶体管，其包括衬底，电介质层和半导体层。 通过液体沉积氧化锌纳米盘组合物来制备半导体层，其是以c轴垂直于电介质层或衬底的平面优先取向的结晶氧化锌。 薄膜晶体管具有良好的迁移率和开/关比。

公开(公告)号：US20080032443A1

公开(公告)日：2008-02-07

申请号：US11497826

申请日：2006-08-02

申请人： Yiliang Wu ,  Beng S. Ong

发明人： Yiliang Wu ,  Beng S. Ong

IPC分类号： H01L21/84 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L29/7869

摘要： A process for fabricating at least one semiconductor layer of an electronic device including: performing on a composition including a hydrolyzable zinc compound a number of activities including: (a) hydrolyzing at least a portion of the hydrolyzable zinc compound to form zinc oxide; (b) liquid depositing; and (c) optionally heating, wherein the activities (a), (b), and (c) are each accomplished a number of times in any effective arrangement, resulting in the at least one semiconductor layer comprising the zinc oxide.

摘要翻译： 一种用于制造电子器件的至少一个半导体层的方法，包括：对包含可水解锌化合物的组合物进行多种活性，包括：（a）水解可水解的锌化合物的至少一部分以形成氧化锌; （b）液体沉积; 和（c）可选地加热，其中活性（a），（b）和（c）各自以任何有效布置实现多次，导致至少一个包含氧化锌的半导体层。