公开(公告)号：US20090046497A1

公开(公告)日：2009-02-19

申请号：US12285858

申请日：2008-10-15

申请人： Te-Ho Wu ,  Alberto Canizo Cabrera ,  Lin-Xiu Ye

发明人： Te-Ho Wu ,  Alberto Canizo Cabrera ,  Lin-Xiu Ye

IPC分类号： G11C11/02

CPC分类号： H01L43/08 ,  B82Y25/00 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1675 ,  H01F10/126 ,  H01F10/3236 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3286 ,  H01F10/329

摘要： A system and a method for reducing critical current of magnetic random access memory (MRAM) are disclosed. The magnetic device includes at least a pinned layer, a spacer layer and a free layer, and the material of the pinned layer and the free layer is perpendicularly anisotropic ferrimagnetic. The spacer layer is an insulator. By the modified Landau-Lifshitz-Gilbert equations, the varying trend of the critical current can be estimated.

摘要翻译： 公开了一种用于减小磁随机存取存储器（MRAM）的临界电流的系统和方法。 磁性装置至少包括钉扎层，间隔层和自由层，并且钉扎层和自由层的材料是垂直的各向异性亚铁磁性材料。 间隔层是绝缘体。 通过改进的Landau-Lifshitz-Gilbert方程，可以估计临界电流的变化趋势。

公开(公告)号：US20070215967A1

公开(公告)日：2007-09-20

申请号：US11645550

申请日：2006-12-27

申请人： Te-Ho Wu ,  Alberto Canizo Cabrera ,  Lin-Xiu Ye

发明人： Te-Ho Wu ,  Alberto Canizo Cabrera ,  Lin-Xiu Ye

IPC分类号： H01L43/00

CPC分类号： H01L43/08 ,  B82Y25/00 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1675 ,  H01F10/126 ,  H01F10/3236 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3286 ,  H01F10/329

摘要： A system and a method for reducing critical current of magnetic random access memory (MRAM) are disclosed. The magnetic device includes at least a pinned layer, a spacer layer and a free layer, and the material of the pinned layer and the free layer is perpendicularly anisotropic ferrimagnetic. The spacer layer is an insulator. By the modified Landau-Lifshitz-Gilbert equations, the varying trend of the critical current can be estimated.

摘要翻译： 公开了一种用于减小磁随机存取存储器（MRAM）的临界电流的系统和方法。 磁性装置至少包括钉扎层，间隔层和自由层，并且钉扎层和自由层的材料是垂直的各向异性亚铁磁性材料。 间隔层是绝缘体。 通过改进的Landau-Lifshitz-Gilbert方程，可以估计临界电流的变化趋势。

公开(公告)号：US07596017B2

公开(公告)日：2009-09-29

申请号：US11679827

申请日：2007-02-27

申请人： Te-Ho Wu ,  Alberto Canizo Cabrera ,  Lin-Hsiu Ye

发明人： Te-Ho Wu ,  Alberto Canizo Cabrera ,  Lin-Hsiu Ye

IPC分类号： G11C11/14

CPC分类号： H01L43/10 ,  G11C11/16 ,  Y10S977/933 ,  Y10S977/935

摘要： A magnetic random access memory includes a substrate, a free layer and a spacer layer. The substrate and the free layer are made of a vertical anisotropy ferrimagentic thin film. The spacer layer is sandwiched between the substrate and the free layer and is made of an insulating layer. The method uses a modified Landau-Lifshitz-Gilbert equation to obtain a critical current value as a function of exchange coupling constant. The critical current value is predictable under several external magnetic fields being applied. When the exchange coupling constant is proportionally varied, the critical current value is reduced to a third of its original value under an optimum state.

摘要翻译： 磁性随机存取存储器包括衬底，自由层和间隔层。 衬底和自由层由垂直各向异性铁素体薄膜制成。 间隔层夹在基片和自由层之间，由绝缘层制成。 该方法使用修正的Landau-Lifshitz-Gilbert方程来获得临界电流值作为交换耦合常数的函数。 在应用的几个外部磁场下，临界电流值是可预测的。 当交换耦合常数成比例地变化时，在最佳状态下临界电流值减小到其初始值的三分之一。

公开(公告)号：US20080205123A1

公开(公告)日：2008-08-28

申请号：US11679827

申请日：2007-02-27

申请人： Te-Ho Wu ,  Alberto Canizo Cabrera ,  Lin-Hsiu Ye

发明人： Te-Ho Wu ,  Alberto Canizo Cabrera ,  Lin-Hsiu Ye

IPC分类号： G11C11/00

CPC分类号： H01L43/10 ,  G11C11/16 ,  Y10S977/933 ,  Y10S977/935

摘要： A magnetic random access memory includes a substrate, a free layer and a spacer layer. The substrate and the free layer are made of a vertical anisotropy ferrimagentic thin film. The spacer layer is sandwiched between the substrate and the free layer and is made of an insulating layer. The method uses a modified Landau-Lifshitz-Gilbert equation to obtain a critical current value as a function of exchange coupling constant. The critical current value is predictable under several external magnetic fields being applied. When the exchange coupling constant is proportionally varied, the critical current value is reduced to a third of its original value under an optimum state.

摘要翻译： 磁性随机存取存储器包括衬底，自由层和间隔层。 衬底和自由层由垂直各向异性铁素体薄膜制成。 间隔层夹在基片和自由层之间，由绝缘层制成。 该方法使用修正的Landau-Lifshitz-Gilbert方程来获得临界电流值作为交换耦合常数的函数。 在应用的几个外部磁场下，临界电流值是可预测的。 当交换耦合常数成比例地变化时，在最佳状态下临界电流值减小到其初始值的三分之一。