公开(公告)号：US20120187584A1

公开(公告)日：2012-07-26

申请号：US13164015

申请日：2011-06-20

申请人： Yaojian Lin ,  Kang Chen ,  Yu Gu ,  Wei Meng ,  Chee Siang Ong

发明人： Yaojian Lin ,  Kang Chen ,  Yu Gu ,  Wei Meng ,  Chee Siang Ong

IPC分类号： H01L23/28 ,  H01L21/56

CPC分类号： H01L23/562 ,  H01L21/56 ,  H01L21/561 ,  H01L21/565 ,  H01L21/568 ,  H01L23/29 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/19 ,  H01L24/96 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor device has a semiconductor die and encapsulant deposited over the semiconductor die. A first insulating layer is formed over the die and encapsulant. The first insulating layer is cured with multiple dwell cycles to enhance adhesion to the die and encapsulant. A first conductive layer is formed over the first insulating layer. A second insulating layer is formed over the first insulating layer and first conductive layer. The second insulating layer is cured with multiple dwell cycles to enhance adhesion to the first insulating layer and first conductive layer. A second conductive layer is formed over the second insulating layer and first conductive layer. A third insulating layer is formed over the second insulating layer and second conductive layer. The first, second, and third insulating layers have different CTE. The second insulating layer or third insulating layer is cured to a dense state to block moisture.

摘要翻译： 半导体器件具有沉积在半导体管芯上的半导体管芯和密封剂。 在管芯和密封剂上形成第一绝缘层。 第一绝缘层通过多个停留周期固化，以增强与管芯和密封剂的粘合性。 在第一绝缘层上形成第一导电层。 在第一绝缘层和第一导电层上形成第二绝缘层。 第二绝缘层通过多个停留循环固化，以增强与第一绝缘层和第一导电层的粘合性。 在第二绝缘层和第一导电层上形成第二导电层。 在第二绝缘层和第二导电层上形成第三绝缘层。 第一，第二和第三绝缘层具有不同的CTE。 第二绝缘层或第三绝缘层固化至致密状态以阻止水分。

公开(公告)号：US20090042388A1

公开(公告)日：2009-02-12

申请号：US11836782

申请日：2007-08-10

申请人： Zhi-Qiang Sun ,  Tien-Cheng Lan ,  Hua-Kuo Lee ,  Jing-Hao Chen ,  Wen-Chun Huang ,  Run-Shun Wang ,  Jing-Ling Wang ,  Da-Jiang Yang ,  Chee-Siang Ong

发明人： Zhi-Qiang Sun ,  Tien-Cheng Lan ,  Hua-Kuo Lee ,  Jing-Hao Chen ,  Wen-Chun Huang ,  Run-Shun Wang ,  Jing-Ling Wang ,  Da-Jiang Yang ,  Chee-Siang Ong

IPC分类号： H01L21/302

CPC分类号： H01L21/02063

摘要： A semiconductor substrate is first provided. The semiconductor substrate includes a material layer and a patterned photoresist layer disposed on the material layer. Subsequently, a contact etching process is performed on the material layer by utilizing the patterned photoresist layer as an etching mask so to form an etched hole in the material layer. Thereafter, a solvent cleaning process is carried out on the semiconductor substrate by utilizing a cleaning solvent. Next, a water cleaning process is performed on the semiconductor substrate by utilizing deionized water. The temperature of the deionized water is in a range from 30° C. to 99° C.

摘要翻译： 首先提供半导体衬底。 半导体衬底包括材料层和设置在材料层上的图案化光致抗蚀剂层。 随后，通过利用图案化的光致抗蚀剂层作为蚀刻掩模在材料层上进行接触蚀刻处理，以在材料层中形成蚀刻孔。 此后，通过利用清洗溶剂在半导体衬底上进行溶剂清洗处理。 接下来，通过利用去离子水在半导体基板上进行水清洗处理。 去离子水的温度在30℃至99℃的范围内。

公开(公告)号：US08492203B2

公开(公告)日：2013-07-23

申请号：US13164015

申请日：2011-06-20

申请人： Yaojian Lin ,  Kang Chen ,  Yu Gu ,  Wei Meng ,  Chee Siang Ong

发明人： Yaojian Lin ,  Kang Chen ,  Yu Gu ,  Wei Meng ,  Chee Siang Ong

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/31 ,  H01L21/44

CPC分类号： H01L23/562 ,  H01L21/56 ,  H01L21/561 ,  H01L21/565 ,  H01L21/568 ,  H01L23/29 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/19 ,  H01L24/96 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor device has a semiconductor die and encapsulant deposited over the semiconductor die. A first insulating layer is formed over the die and encapsulant. The first insulating layer is cured with multiple dwell cycles to enhance adhesion to the die and encapsulant. A first conductive layer is formed over the first insulating layer. A second insulating layer is formed over the first insulating layer and first conductive layer. The second insulating layer is cured with multiple dwell cycles to enhance adhesion to the first insulating layer and first conductive layer. A second conductive layer is formed over the second insulating layer and first conductive layer. A third insulating layer is formed over the second insulating layer and second conductive layer. The first, second, and third insulating layers have different CTE. The second insulating layer or third insulating layer is cured to a dense state to block moisture.

摘要翻译： 半导体器件具有沉积在半导体管芯上的半导体管芯和密封剂。 在管芯和密封剂上形成第一绝缘层。 第一绝缘层通过多个停留周期固化，以增强与管芯和密封剂的粘合性。 在第一绝缘层上形成第一导电层。 在第一绝缘层和第一导电层上形成第二绝缘层。 第二绝缘层通过多个停留循环固化，以增强对第一绝缘层和第一导电层的粘合性。 在第二绝缘层和第一导电层上形成第二导电层。 在第二绝缘层和第二导电层上形成第三绝缘层。 第一，第二和第三绝缘层具有不同的CTE。 第二绝缘层或第三绝缘层固化至致密状态以阻止水分。