公开(公告)号：US08981534B2

公开(公告)日：2015-03-17

申请号：US13616415

申请日：2012-09-14

申请人： Zhen-Yu Li ,  Chung-Pao Lin ,  Hsing-Kuo Hsia ,  Hao-Chung Kuo ,  Cindy Huichun Shu ,  Hsin-Chieh Huang

发明人： Zhen-Yu Li ,  Chung-Pao Lin ,  Hsing-Kuo Hsia ,  Hao-Chung Kuo ,  Cindy Huichun Shu ,  Hsin-Chieh Huang

IPC分类号： H01L29/06

CPC分类号： H01L33/0075 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/02035 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/268 ,  H01L21/30604 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/66462 ,  H01L33/0025 ,  H01L33/0066 ,  H01L33/12 ,  H01L33/20 ,  H01S5/0207 ,  H01S5/021 ,  H01S5/0218 ,  H01S5/34333

摘要： The present disclosure involves an apparatus. The apparatus includes a substrate having a front side a back side opposite the front side. The substrate includes a plurality of openings formed from the back side of the substrate. The openings collectively define a pattern on the back side of the substrate from a planar view. In some embodiments, the substrate is a silicon substrate or a silicon carbide substrate. Portions of the silicon substrate vertically aligned with the openings have vertical dimensions that vary from about 100 microns to about 300 microns. A III-V group compound layer is formed over the front side of the silicon substrate. The III-V group compound layer is a component of one of: a light-emitting diode (LED), a laser diode (LD), and a high-electron mobility transistor (HEMT).

摘要翻译： 本公开涉及一种装置。 该装置包括具有前侧与前侧相对的后侧的基板。 基板包括从基板的背面形成的多个开口。 这些开口从平面图中共同地在基板的背面上限定图案。 在一些实施例中，衬底是硅衬底或碳化硅衬底。 与开口垂直对准的硅衬底的部分具有约100微米至约300微米的垂直尺寸。 在硅衬底的正面上形成III-V族化合物层。 III-V族化合物层是发光二极管（LED），激光二极管（LD）和高电子迁移率晶体管（HEMT）之一的组分。

公开(公告)号：US20140077224A1

公开(公告)日：2014-03-20

申请号：US13616415

申请日：2012-09-14

申请人： Zhen-Yu Li ,  Chung-Pao Lin ,  Hsing-Kuo Hsia ,  Hao-Chung Kuo ,  Cindy Huichun Shu ,  Hsin-Chieh Huang

发明人： Zhen-Yu Li ,  Chung-Pao Lin ,  Hsing-Kuo Hsia ,  Hao-Chung Kuo ,  Cindy Huichun Shu ,  Hsin-Chieh Huang

IPC分类号： H01L29/12 ,  H01L33/02 ,  H01L21/20 ,  H01L29/165

CPC分类号： H01L33/0075 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/02035 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/268 ,  H01L21/30604 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/66462 ,  H01L33/0025 ,  H01L33/0066 ,  H01L33/12 ,  H01L33/20 ,  H01S5/0207 ,  H01S5/021 ,  H01S5/0218 ,  H01S5/34333

摘要： The present disclosure involves an apparatus. The apparatus includes a substrate having a front side a back side opposite the front side. The substrate includes a plurality of openings formed from the back side of the substrate. The openings collectively define a pattern on the back side of the substrate from a planar view. In some embodiments, the substrate is a silicon substrate or a silicon carbide substrate. Portions of the silicon substrate vertically aligned with the openings have vertical dimensions that vary from about 100 microns to about 300 microns. A III-V group compound layer is formed over the front side of the silicon substrate. The III-V group compound layer is a component of one of: a light-emitting diode (LED), a laser diode (LD), and a high-electron mobility transistor (HEMT).

摘要翻译： 本公开涉及一种装置。 该装置包括具有前侧与前侧相对的后侧的基板。 基板包括从基板的背面形成的多个开口。 这些开口从平面图中共同地在基板的背面上限定图案。 在一些实施例中，衬底是硅衬底或碳化硅衬底。 与开口垂直对准的硅衬底的部分具有约100微米至约300微米的垂直尺寸。 在硅衬底的正面上形成III-V族化合物层。 III-V族化合物层是发光二极管（LED），激光二极管（LD）和高电子迁移率晶体管（HEMT）之一的组分。