公开(公告)号：US06458984B1

公开(公告)日：2002-10-01

申请号：US09540584

申请日：2000-03-31

申请人： Thomas H. Baum ,  Chongying Xu ,  Frank R. Hedges ,  David Daniel Bernhard ,  Brian L. Benac ,  Scott L. Battle ,  John M. Lansdown

发明人： Thomas H. Baum ,  Chongying Xu ,  Frank R. Hedges ,  David Daniel Bernhard ,  Brian L. Benac ,  Scott L. Battle ,  John M. Lansdown

IPC分类号： C07F704

CPC分类号： C07F7/045 ,  C07F7/20

摘要： A method of purifying tetraethylorthosilicate (TEOS) to remove boron impurities therefrom, and a related method of analyzing TEOS to determine concentration of boron impurities therein.

摘要翻译： 纯化原硅酸四乙酯（TEOS）以除去硼杂质的方法，以及分析TEOS以确定其中硼杂质浓度的相关方法。

公开(公告)号：US07678393B1

公开(公告)日：2010-03-16

申请号：US11738797

申请日：2007-04-23

申请人： Bradford Ray Duncan ,  David Daniel Bernhard

发明人： Bradford Ray Duncan ,  David Daniel Bernhard

IPC分类号： A61K36/87 ,  A61K36/22 ,  A61K36/00 ,  A61K36/752 ,  A61K33/38

CPC分类号： A61K36/49 ,  A61K33/38 ,  A61K36/21 ,  A61K36/35 ,  A61K36/73 ,  A61K36/87 ,  A61K2300/00

摘要： A mixture composition useful in wound healing comprising solvent extraction of anthrocyanin/proanthrocyanidin sources, ascorbic acid source, tannin or gallic acid source or polymeric gallic acid source, microbe source, protein source, fat source, acidification agent or buffer and sulfur absorbing compound.

摘要翻译： 用于伤口愈合的混合物组合物，包括溶剂萃取花青素/花青素源，抗坏血酸源，单宁酸或没食子酸源或聚合没食子酸源，微生物来源，蛋白质来源，脂肪源，酸化剂或缓冲液和硫磺吸收化合物。

公开(公告)号：US20120302483A1

公开(公告)日：2012-11-29

申请号：US13568790

申请日：2012-08-07

申请人： David W. Minsek ,  Melissa K. Rath ,  David Daniel Bernhard ,  Thomas H. Baum

发明人： David W. Minsek ,  Melissa K. Rath ,  David Daniel Bernhard ,  Thomas H. Baum

IPC分类号： G03F7/42

CPC分类号： C11D3/30 ,  C11D1/72 ,  C11D3/044 ,  C11D3/3947 ,  C11D3/3955 ,  C11D3/3956 ,  C11D3/43 ,  C11D7/06 ,  C11D7/3209 ,  C11D7/3281 ,  C11D7/34 ,  C11D7/50 ,  C11D11/0047 ,  C23G1/20 ,  G03F7/423 ,  G03F7/425 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31133 ,  Y10S438/906

摘要： Disclosed herein is a composition and method for semiconductor processing. In one embodiment, a wet-cleaning composition for removal of photoresist is provided. The composition comprises a strong base; an oxidant; and a polar solvent. In another embodiment, a method for removing photoresist is provided. The method comprises the steps of applying a wet-cleaning composition comprising about 0.1 to about 30 weight percent strong base; about one to about 30 weight percent oxidant; about 20 to about 95 weight percent polar solvent; and removing the photoresist.

摘要翻译： 本文公开了一种用于半导体处理的组合物和方法。 在一个实施方案中，提供了用于去除光致抗蚀剂的湿清洁组合物。 组合物包含强碱; 氧化剂 和极性溶剂。 在另一个实施例中，提供了一种去除光致抗蚀剂的方法。 该方法包括以下步骤：施加包含约0.1至约30重量％的强碱的湿清洁组合物; 约1至约30重量％的氧化剂; 约20至约95重量％的极性溶剂; 并去除光致抗蚀剂。

公开(公告)号：US08236485B2

公开(公告)日：2012-08-07

申请号：US10389214

申请日：2003-03-14

申请人： David W. Minsek ,  Melissa K. Murphy ,  David Daniel Bernhard ,  Thomas H. Baum

发明人： David W. Minsek ,  Melissa K. Murphy ,  David Daniel Bernhard ,  Thomas H. Baum

IPC分类号： G03F7/42 ,  B08B3/04

CPC分类号： C11D3/30 ,  C11D1/72 ,  C11D3/044 ,  C11D3/3947 ,  C11D3/3955 ,  C11D3/3956 ,  C11D3/43 ,  C11D7/06 ,  C11D7/3209 ,  C11D7/3281 ,  C11D7/34 ,  C11D7/50 ,  C11D11/0047 ,  C23G1/20 ,  G03F7/423 ,  G03F7/425 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31133 ,  Y10S438/906

摘要： Disclosed herein is a composition and method for semiconductor processing. In one embodiment, a wet-cleaning composition for removal of photoresist is provided. The composition comprises a strong base; an oxidant; and a polar solvent. In another embodiment, a method for removing photoresist is provided. The method comprises the steps of applying a wet-cleaning composition comprising about 0.1 to about 30 weight percent strong base; about one to about 30 weight percent oxidant; about 20 to about 95 weight percent polar solvent; and removing the photoresist.

摘要翻译： 本文公开了一种用于半导体处理的组合物和方法。 在一个实施方案中，提供了用于去除光致抗蚀剂的湿清洁组合物。 组合物包含强碱; 氧化剂 和极性溶剂。 在另一个实施例中，提供了一种去除光致抗蚀剂的方法。 该方法包括以下步骤：施加包含约0.1至约30重量％的强碱的湿清洁组合物; 约1至约30重量％的氧化剂; 约20至约95重量％的极性溶剂; 并去除光致抗蚀剂。