公开(公告)号：US09514945B2

公开(公告)日：2016-12-06

申请号：US14568155

申请日：2014-12-12

申请人： Cheong Min Hong ,  Euhngi Lee

发明人： Cheong Min Hong ,  Euhngi Lee

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L27/115

CPC分类号： H01L21/28282 ,  H01L21/28273 ,  H01L27/11517 ,  H01L27/11563 ,  H01L29/42328 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/7881

摘要： A charge-storing device includes a charge-storing layer including nanocrystals. The nanocrystals are formed by a deposition technique incorporating deuterated hydrides. The deuterated hydride can be used to form an amorphous semiconductor material that is annealed to form nanoparticles to be incorporated into the charge-storing layer.

摘要翻译： 电荷存储装置包括具有纳米晶体的电荷存储层。 纳米晶体通过结合氘代氢化物的沉积技术形成。 氘代氢化物可用于形成非晶半导体材料，其被退火以形成要并入电荷存储层的纳米颗粒。

公开(公告)号：US09356106B2

公开(公告)日：2016-05-31

申请号：US14476827

申请日：2014-09-04

申请人： Euhngi Lee ,  Sung-Taeg Kang

发明人： Euhngi Lee ,  Sung-Taeg Kang

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L29/423 ,  H01L29/792 ,  H01L21/28 ,  H01L21/324 ,  H01L21/308 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L29/42348 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02601 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/324 ,  H01L21/3247 ,  H01L29/42328 ,  H01L29/42344 ,  H01L29/7881 ,  H01L29/792

摘要： Methods for fabricating dense arrays of electrically conductive nanocrystals that are self-aligned in depressions at target locations on a substrate, and semiconductor devices configured with nanocrystals situated within a gate stack as a charge storage area for a nonvolatile memory (NVM) device, are provided.

摘要翻译： 提供了在衬底上的目标位置处的凹陷中自对准的导电纳米晶体的致密阵列的制造方法，以及配置有位于栅极堆叠内的纳米晶体作为非易失性存储器（NVM）装置的电荷存储区域的半导体器件的方法 。

公开(公告)号：US20160172199A1

公开(公告)日：2016-06-16

申请号：US14568155

申请日：2014-12-12

申请人： Cheong Min Hong ,  Euhngi Lee

发明人： Cheong Min Hong ,  Euhngi Lee

IPC分类号： H01L21/28

CPC分类号： H01L21/28282 ,  H01L21/28273 ,  H01L27/11517 ,  H01L27/11563 ,  H01L29/42328 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/7881

摘要： A charge-storing device includes a charge-storing layer including nanocrystals. The nanocrystals are formed by a deposition technique incorporating deuterated hydrides. The deuterated hydride can be used to form an amorphous semiconductor material that is annealed to form nanoparticles to be incorporated into the charge-storing layer.

摘要翻译： 电荷存储装置包括具有纳米晶体的电荷存储层。 纳米晶体通过结合氘代氢化物的沉积技术形成。 氘代氢化物可用于形成非晶半导体材料，其被退火以形成要并入电荷存储层的纳米颗粒。

公开(公告)号：US20160071943A1

公开(公告)日：2016-03-10

申请号：US14476827

申请日：2014-09-04

申请人： Euhngi Lee ,  Sung-Taeg Kang

发明人： Euhngi Lee ,  Sung-Taeg Kang

IPC分类号： H01L29/423 ,  H01L21/02 ,  H01L21/324 ,  H01L21/308 ,  H01L29/792 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L29/42348 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02601 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/324 ,  H01L21/3247 ,  H01L29/42328 ,  H01L29/42344 ,  H01L29/7881 ,  H01L29/792

摘要： Methods for fabricating dense arrays of electrically conductive nanocrystals that are self-aligned in depressions at target locations on a substrate, and semiconductor devices configured with nanocrystals situated within a gate stack as a charge storage area for a nonvolatile memory (NVM) device, are provided.

摘要翻译： 提供了在衬底上的目标位置处的凹陷中自对准的导电纳米晶体的致密阵列的制造方法，以及配置有位于栅极堆叠内的纳米晶体作为非易失性存储器（NVM）装置的电荷存储区域的半导体器件的方法 。

公开(公告)号：US20160049303A1

公开(公告)日：2016-02-18

申请号：US14457556

申请日：2014-08-12

申请人： EUHNGI LEE ,  CHEONG M. HONG ,  SUNG-TAEG KANG ,  MARC A. ROSSOW

发明人： EUHNGI LEE ,  CHEONG M. HONG ,  SUNG-TAEG KANG ,  MARC A. ROSSOW

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/285

摘要： A method of forming a semiconductor structure uses a substrate. A first insulating layer is formed over the substrate. An amorphous silicon layer is formed over the first insulating layer. Heat is applied to the amorphous silicon layer to form a plurality of seed nanocrystals over the first insulating layer. Silicon is epitaxially grown on the plurality of seed nanocrystals to leave resulting nanocrystals.

摘要翻译： 形成半导体结构的方法使用基板。 在衬底上形成第一绝缘层。 在第一绝缘层上形成非晶硅层。 对非晶硅层施加热量，以在第一绝缘层上形成多个晶种纳米晶体。 在多个种子纳米晶体上外延生长硅以留下所得的纳米晶体。