公开(公告)号：US20140061900A1

公开(公告)日：2014-03-06

申请号：US13955422

申请日：2013-07-31

申请人： No Sun Park ,  Ji Yeon Ryu ,  Go Woon Jung

发明人： No Sun Park ,  Ji Yeon Ryu ,  Go Woon Jung

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L21/48

CPC分类号： H01L23/49811 ,  H01L21/4853 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/525 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/02123 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/0235 ,  H01L2224/02373 ,  H01L2224/02375 ,  H01L2224/0347 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05011 ,  H01L2224/05012 ,  H01L2224/05018 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/05078 ,  H01L2224/0508 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05171 ,  H01L2224/05557 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/06051 ,  H01L2224/06137 ,  H01L2224/10 ,  H01L2224/13027 ,  H01L2224/13028 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/05552

摘要： A semiconductor package with improved redistribution layer design and fabricating method thereof are disclosed and may include a semiconductor die comprising bond pads, a first redistribution layer (RDL) formed on the semiconductor die. The first RDL has a first end coupled to a bond pad and a second end coupled to a solder bump via under bump metal layers. A second RDL is formed in a same plane of the semiconductor die as the first RDL and is electrically isolated from the first RDL. A first end of the second RDL may be coupled to a bond pad and the second RDL may pass underneath, but be electrically isolated from, the solder bump. A passivation layer may be formed on the first and second RDLs exposing the second end of the first RDL. The under bump metal layers may be formed on the second end of the first RDL exposed by the passivation layer.

摘要翻译： 公开了具有改进的再分布层设计及其制造方法的半导体封装，并且可以包括半导体管芯，其包括接合焊盘，形成在半导体管芯上的第一再分配层（RDL）。 第一RDL具有耦合到接合焊盘的第一端和通过下凸块金属层耦合到焊料凸块的第二端。 第二RDL形成在与第一RDL相同的半导体管芯的平面中，并且与第一RDL电隔离。 第二RDL的第一端可以耦合到接合焊盘，并且第二RDL可以在下面通过，但是与焊料凸块电隔离。 可以在露出第一RDL的第二端的第一和第二RDL上形成钝化层。 底部凸块金属层可以形成在由钝化层暴露的第一RDL的第二端上。