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公开(公告)号：US07781298B2
公开(公告)日：2010-08-24
申请号：US12168016
申请日：2008-07-03
IPC分类号： H01L21/00
CPC分类号： H01L28/84 , H01L27/10805 , H01L27/1085
摘要： A method for forming a capacitor comprises providing a substrate. A bottom electrode material layer is formed on the substrate. A first mask layer is formed on the bottom electrode material layer. A second mask layer is formed on the first mask layer. The second mask layer is patterned to form a patterned second mask layer in a predetermined region for formation of a capacitor. A plurality of hemispherical grain structures are formed on a sidewall of the patterned second mask layer. The first mask layer is etched by using the hemispherical grain structures and the patterned second mask layer as a mask, thereby forming a patterned first mask layer having a pattern. The pattern of the first mask layer is transferred to the bottom electrode material layer. And, a capacitor dielectric layer and a top electrode layer are formed on the bottom electrode material layer to form the capacitor.
摘要翻译： 一种用于形成电容器的方法包括提供衬底。 在基板上形成底部电极材料层。 在底部电极材料层上形成第一掩模层。 在第一掩模层上形成第二掩模层。 图案化第二掩模层以在用于形成电容器的预定区域中形成图案化的第二掩模层。 在图案化的第二掩模层的侧壁上形成多个半球形晶粒结构。 通过使用半球形晶粒结构和图案化的第二掩模层作为掩模来蚀刻第一掩模层，从而形成具有图案的图案化的第一掩模层。 第一掩模层的图案被转印到底部电极材料层。 并且在底部电极材料层上形成电容器电介质层和顶部电极层以形成电容器。
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公开(公告)号：US20080042243A1
公开(公告)日：2008-02-21
申请号：US11561365
申请日：2006-11-17
申请人： Hengyuan Lee , Der-Sheng Chao
发明人： Hengyuan Lee , Der-Sheng Chao
IPC分类号： H01L29/12
CPC分类号： H01L45/06 , H01L27/2436 , H01L45/122 , H01L45/126 , H01L45/144 , H01L45/1683
摘要： Phase change memory devices and methods for fabricating the same. An exemplary phase change memory device comprises a conductive element formed in a dielectric layer. A phase change material layer is formed in the dielectric layer. A conductive layer extends in the dielectric layer to respectively electrically connect the phase change layer and a sidewall of the conductive element.
摘要翻译： 相变存储器件及其制造方法。 示例性相变存储器件包括形成在电介质层中的导电元件。 在电介质层中形成相变材料层。 导电层在电介质层中延伸，以分别电连接相变层和导电元件的侧壁。
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公开(公告)号：US07405122B2
公开(公告)日：2008-07-29
申请号：US11485236
申请日：2006-07-11
IPC分类号： H01L21/8242
CPC分类号： H01L28/84 , H01L27/10805 , H01L27/1085
摘要： A method for forming a capacitor comprises providing a substrate. A bottom electrode material layer is formed on the substrate. A first mask layer is formed on the bottom electrode material layer. A second mask layer is formed on the first mask layer. The second mask layer is patterned to form a patterned second mask layer in a predetermined region for formation of a capacitor. A plurality of hemispherical grain structures are formed on a sidewall of the patterned second mask layer. The first mask layer is etched by using the hemispherical grain structures and the patterned second mask layer as a mask, thereby forming a patterned first mask layer having a pattern. The pattern of the first mask layer is transferred to the bottom electrode material layer. And, a capacitor dielectric layer and a top electrode layer are formed on the bottom electrode material layer to form the capacitor.
摘要翻译： 一种用于形成电容器的方法包括提供衬底。 在基板上形成底部电极材料层。 在底部电极材料层上形成第一掩模层。 在第一掩模层上形成第二掩模层。 图案化第二掩模层以在用于形成电容器的预定区域中形成图案化的第二掩模层。 在图案化的第二掩模层的侧壁上形成多个半球形晶粒结构。 通过使用半球形晶粒结构和图案化的第二掩模层作为掩模来蚀刻第一掩模层，从而形成具有图案的图案化的第一掩模层。 第一掩模层的图案被转印到底部电极材料层。 并且在底部电极材料层上形成电容器电介质层和顶部电极层以形成电容器。
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4.发明授权Resistive random access memory having metal oxide layer with oxygen vacancies and method for fabricating the same 有权具有氧空位的金属氧化物层的电阻式随机存取存储器及其制造方法公开(公告)号：US08362454B2
公开(公告)日：2013-01-29
申请号：US12334203
申请日：2008-12-12
申请人： Hengyuan Lee , Pang-Hsu Chen , Tai-Yuan Wu , Ching-Chiun Wang
发明人： Hengyuan Lee , Pang-Hsu Chen , Tai-Yuan Wu , Ching-Chiun Wang
IPC分类号： H01L27/24
CPC分类号： H01L45/1641 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/146 , H01L45/1658
摘要： A resistive random access memory and a method for fabricating the same are provided. The method includes providing a bottom electrode formed on a substrate. A metal oxide layer is formed on the bottom electrode. An oxygen atom gettering layer is formed on the metal oxide layer. A top electrode is formed on the oxygen atom gettering layer. The previous mentioned structure is subjected to a thermal treatment, driving the oxygen atoms of the metal oxide layer to migrate into and react with the oxygen atom gettering layer, thus leaving a plurality of oxygen vacancies of the metal oxide layer.
摘要翻译： 提供了一种电阻随机存取存储器及其制造方法。 该方法包括提供形成在基板上的底部电极。 在底部电极上形成金属氧化物层。 在金属氧化物层上形成氧原子吸气层。 在氧原子吸气层上形成顶部电极。 对前述结构进行热处理，驱动金属氧化物层的氧原子迁移到氧原子吸气层中并与氧原子吸气层反应，从而留下金属氧化物层的多个氧空位。
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公开(公告)号：US20100038791A1
公开(公告)日：2010-02-18
申请号：US12334203
申请日：2008-12-12
申请人： Hengyuan Lee , Pang-Hsu Chen , Tai-Yuan Wu , Ching-Chiun Wang
发明人： Hengyuan Lee , Pang-Hsu Chen , Tai-Yuan Wu , Ching-Chiun Wang
CPC分类号： H01L45/1641 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/146 , H01L45/1658
摘要： A resistive random access memory and a method for fabricating the same are provided. The method includes providing a bottom electrode formed on a substrate. A metal oxide layer is formed on the bottom electrode. An oxygen atom gettering layer is formed on the metal oxide layer. A top electrode is formed on the oxygen atom gettering layer. The previous mentioned structure is subjected to a thermal treatment, driving the oxygen atoms of the metal oxide layer to migrate into and react with the oxygen atom gettering layer, thus leaving a plurality of oxygen vacancies of the metal oxide layer.
摘要翻译： 提供了一种电阻随机存取存储器及其制造方法。 该方法包括提供形成在基板上的底部电极。 在底部电极上形成金属氧化物层。 在金属氧化物层上形成氧原子吸气层。 在氧原子吸气层上形成顶部电极。 对前述结构进行热处理，驱动金属氧化物层的氧原子迁移到氧原子吸气层中并与氧原子吸气层反应，从而留下金属氧化物层的多个氧空位。
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公开(公告)号：US20080268593A1
公开(公告)日：2008-10-30
申请号：US12168016
申请日：2008-07-03
IPC分类号： H01L21/8242
CPC分类号： H01L28/84 , H01L27/10805 , H01L27/1085
摘要： A method for forming a capacitor comprises providing a substrate. A bottom electrode material layer is formed on the substrate. A first mask layer is formed on the bottom electrode material layer. A second mask layer is formed on the first mask layer. The second mask layer is patterned to form a patterned second mask layer in a predetermined region for formation of a capacitor. A plurality of hemispherical grain structures are formed on a sidewall of the patterned second mask layer. The first mask layer is etched by using the hemispherical grain structures and the patterned second mask layer as a mask, thereby forming a patterned first mask layer having a pattern. The pattern of the first mask layer is transferred to the bottom electrode material layer. And, a capacitor dielectric layer and a top electrode layer are formed on the bottom electrode material layer to form the capacitor.
摘要翻译： 一种用于形成电容器的方法包括提供衬底。 在基板上形成底部电极材料层。 在底部电极材料层上形成第一掩模层。 在第一掩模层上形成第二掩模层。 图案化第二掩模层以在用于形成电容器的预定区域中形成图案化的第二掩模层。 在图案化的第二掩模层的侧壁上形成多个半球形晶粒结构。 通过使用半球形晶粒结构和图案化的第二掩模层作为掩模来蚀刻第一掩模层，从而形成具有图案的图案化的第一掩模层。 第一掩模层的图案被转印到底部电极材料层。 并且在底部电极材料层上形成电容器电介质层和顶部电极层以形成电容器。
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公开(公告)号：US20070243690A1
公开(公告)日：2007-10-18
申请号：US11485236
申请日：2006-07-11
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： H01L28/84 , H01L27/10805 , H01L27/1085
摘要： A method for forming a capacitor comprises providing a substrate. A bottom electrode material layer is formed on the substrate. A first mask layer is formed on the bottom electrode material layer. A second mask layer is formed on the first mask layer. The second mask layer is patterned to form a patterned second mask layer in a predetermined region for formation of a capacitor. A plurality of hemispherical grain structures are formed on a sidewall of the patterned second mask layer. The first mask layer is etched by using the hemispherical grain structures and the patterned second mask layer as a mask, thereby forming a patterned first mask layer having a pattern. The pattern of the first mask layer is transferred to the bottom electrode material layer. And, a capacitor dielectric layer and a top electrode layer are formed on the bottom electrode material layer to form the capacitor.
摘要翻译： 一种用于形成电容器的方法包括提供衬底。 在基板上形成底部电极材料层。 在底部电极材料层上形成第一掩模层。 在第一掩模层上形成第二掩模层。 图案化第二掩模层以在用于形成电容器的预定区域中形成图案化的第二掩模层。 在图案化的第二掩模层的侧壁上形成多个半球形晶粒结构。 通过使用半球形晶粒结构和图案化的第二掩模层作为掩模来蚀刻第一掩模层，从而形成具有图案的图案化的第一掩模层。 第一掩模层的图案被转印到底部电极材料层。 并且在底部电极材料层上形成电容器电介质层和顶部电极层以形成电容器。
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公开(公告)号：US07745811B2
公开(公告)日：2010-06-29
申请号：US11561365
申请日：2006-11-17
申请人： Hengyuan Lee , Der-Sheng Chao
发明人： Hengyuan Lee , Der-Sheng Chao
CPC分类号： H01L45/06 , H01L27/2436 , H01L45/122 , H01L45/126 , H01L45/144 , H01L45/1683
摘要： Phase change memory devices and methods for fabricating the same. An exemplary phase change memory device includes a conductive element formed in a dielectric layer. A phase change material layer is formed in the dielectric layer. A conductive layer extends in the dielectric layer to respectively electrically connect the phase change layer and a sidewall of the conductive element.
摘要翻译： 相变存储器件及其制造方法。 示例性相变存储器件包括形成在电介质层中的导电元件。 在电介质层中形成相变材料层。 导电层在电介质层中延伸，以分别电连接相变层和导电元件的侧壁。
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