公开(公告)号：US20080260968A1

公开(公告)日：2008-10-23

申请号：US11865965

申请日：2007-10-02

申请人： Kyung Soo KIM ,  Geun Hag BAE ,  Ho Sik KIM

发明人： Kyung Soo KIM ,  Geun Hag BAE ,  Ho Sik KIM

IPC分类号： H05H1/24

CPC分类号： H05H1/46 ,  C23C16/26 ,  C23C16/45512 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/45576 ,  C23C16/5096 ,  H01J37/3244

摘要： A method of forming an amorphous carbon layer using a cross type hydrocarbon compound as a precursor and a method of forming a low-k dielectric layer using the same are disclosed. The present invention includes a step (a) of vaporizing a precursor containing a cross type hydrocarbon compound, a step (b) of supplying the vaporized precursor and a additive gas into a reaction chamber via a shower head, wherein the precursor and the additive gas are changed into plasma state, and a step (c) of depositing the amorphous carbon layer for the hard mask or the low-k dielectric in the reaction chamber.

摘要翻译： 公开了使用交叉型烃化合物作为前体形成无定形碳层的方法和使用其形成低k电介质层的方法。 本发明包括使包含交叉型烃化合物的前体蒸发的步骤（a），将经蒸发的前体和添加气体经由喷头供应到反应室中的步骤（b），其中前体和添加气体 改变为等离子体状态，以及在反应室中沉积用于硬掩模或低k电介质的无定形碳层的步骤（c）。

公开(公告)号：US20070221129A1

公开(公告)日：2007-09-27

申请号：US11684367

申请日：2007-03-09

申请人： Guen Hag Bae ,  Kyung Soo Kim ,  Ho Sik Kim

发明人： Guen Hag Bae ,  Kyung Soo Kim ,  Ho Sik Kim

IPC分类号： C23C16/00

CPC分类号： C23C16/45565 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/45574

摘要： An atomic layer deposition (ALD) apparatus using a gas separation type showerhead is provided. Accordingly, the ALD apparatus that employs the gas separation type showerhead including a gas supply module, a gas separation module, and a gas injection module. The ALD apparatus includes: a first precursor source storing the first precursor, which is connected to the outer supply tube; a second precursor source storing the second precursor, which is connected to the inner supply tube; a purge gas source storing a purge gas, which is connected to the outer and inner supply tubes; a power source which applies power for ionization to the gas separation module; and an exhaust unit which exhausts remaining materials of the reaction chamber.

摘要翻译： 提供了使用气体分离型喷头的原子层沉积（ALD）装置。 因此，采用包括气体供给模块，气体分离模块和气体注入模块的气体分离型喷头的ALD装置。 ALD装置包括：第一前体源，其存储连接到外部供给管的第一前体; 存储第二前体的第二前体源，其连接到内部供给管; 存储吹扫气体的吹扫气体源，其连接到外部和内部供应管; 对气体分离模块施加电离电力的电源; 以及排出反应室的剩余材料的排气单元。

公开(公告)号：US20070209686A1

公开(公告)日：2007-09-13

申请号：US11683108

申请日：2007-03-07

申请人： Guen Hag BAE ,  Kyung Soo KIM ,  Ho Sik KIM ,  Young Bea YUN ,  Duck Jin KIM ,  Nae Eung LEE

发明人： Guen Hag BAE ,  Kyung Soo KIM ,  Ho Sik KIM ,  Young Bea YUN ,  Duck Jin KIM ,  Nae Eung LEE

IPC分类号： B08B3/00 ,  C23F1/00 ,  C23C16/00

CPC分类号： C23C16/4405 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32862

摘要： An apparatus for cleaning an inside of a chamber using a gas separation type showerhead is provided. The apparatus includes: a gas supply module through which first and second gases are separately supplied; a gas separation module through which the first and second gases are separately dispersed; and a gas injection module that includes a plurality of holes through which the separately dispersed first and second gases are commonly injected into the chamber, wherein at least one gas of the first and second gases includes an ionized first cleaning gas including a gas containing fluorine (F) ingredient, and wherein at least one gas of the first and second gases includes a non-ionized second cleaning gas including nitrogen oxide based gas (NxOy, x and y are integers equal to or more than 1).

摘要翻译： 提供了一种使用气体分离型喷头清洁室内部的装置。 该装置包括：气体供应模块，分别供应第一和第二气体; 气体分离模块，第一和第二气体通过该气体分离模块分开分散; 以及气体注入模块，其包括多个孔，所述分开的分散的第一和第二气体通过所述孔被共同地注入到所述室中，其中所述第一和第二气体中的至少一种气体包括离子化的第一清洁气体，所述第一清洁气体包括含氟气体 F）成分，并且其中所述第一和第二气体中的至少一种气体包括包含氮氧化物基气体（N x O y，x和y为等于或大于1的整数）的非电离的第二清洁气体。

公开(公告)号：US6117765A

公开(公告)日：2000-09-12

申请号：US391616

申请日：1999-09-07

申请人： Han Seong Kim ,  Young Soo Jeon ,  Ho Sik Kim ,  Gi Ho Seo

发明人： Han Seong Kim ,  Young Soo Jeon ,  Ho Sik Kim ,  Gi Ho Seo

IPC分类号： H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/498 ,  H01L23/52 ,  H01L23/522 ,  H01L23/538 ,  H01L23/58 ,  H01L21/44 ,  H01L21/4763 ,  H01L23/48

CPC分类号： H01L23/5383 ,  H01L23/49822 ,  H01L2924/0002

摘要： A semiconductor device having a metal layer pattern which prevents cracks from forming in insulating spaces. The semiconductor device includes a plurality of metal layers stacked vertically and a plurality of insulating layers, interposed vertically between the plurality of metal layers. A metal wiring pattern is formed on each of the plurality of metal layers. The wiring patterns are separated by insulating spaces, and the insulating spaces in each of the plurality of metal layers are vertically shifted with regard to the neighboring one of the plurality of metal layers.

摘要翻译： 具有防止在绝缘空间中形成裂纹的金属层图案的半导体器件。 半导体器件包括垂直堆叠的多个金属层和垂直插入在多个金属层之间的多个绝缘层。 金属布线图案形成在多个金属层中的每一个上。 布线图案由绝缘空间分开，并且多个金属层中的每一个中的绝缘空间相对于多个金属层中的相邻的一个金属层垂直移动。

公开(公告)号：US05998872A

公开(公告)日：1999-12-07

申请号：US137934

申请日：1998-08-21

申请人： Han Seong Kim ,  Young Soo Jeon ,  Ho Sik Kim ,  Gi Ho Seo

发明人： Han Seong Kim ,  Young Soo Jeon ,  Ho Sik Kim ,  Gi Ho Seo

IPC分类号： H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/498 ,  H01L23/52 ,  H01L23/522 ,  H01L23/538 ,  H01L23/48

CPC分类号： H01L23/5383 ,  H01L23/49822 ,  H01L2924/0002

摘要： A semiconductor device having a metal layer pattern which prevents cracks from forming in insulating spaces. The semiconductor device includes a plurality of metal layers stacked vertically and a plurality of insulating layers, interposed vertically between the plurality of metal layers. A metal wiring pattern is formed on each of the plurality of metal layers. The wiring patterns are separated by insulating spaces, and the insulating spaces in each of the plurality of metal layers are vertically shifted with regard to the neighboring one of the plurality of metal layers.

摘要翻译： 具有防止在绝缘空间中形成裂纹的金属层图案的半导体器件。 半导体器件包括垂直堆叠的多个金属层和垂直插入在多个金属层之间的多个绝缘层。 金属布线图案形成在多个金属层中的每一个上。 布线图案由绝缘空间分开，并且多个金属层中的每一个中的绝缘空间相对于多个金属层中的相邻的一个金属层垂直移动。