公开(公告)号：US20110248262A1

公开(公告)日：2011-10-13

申请号：US13166478

申请日：2011-06-22

申请人： Im-Kuk Kang ,  Dae-Won Kim

发明人： Im-Kuk Kang ,  Dae-Won Kim

IPC分类号： H01L33/08 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L27/1225 ,  G02F1/1333 ,  G02F2001/136231 ,  H01L23/4824 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/4908 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

摘要： A display device including an oxide thin film transistor (TFT) is disclosed. A nitride-based gate insulating layer of a gate pad area is etched when an oxide semiconductor layer of a pixel area is etched by using a half-tone mask, a metal layer is formed at a contact hole of the etched gate insulting layer, and then a passivation layer formed thereon is etched. Thus, an overhang of the passivation layer can be prevented from being generated when the gate insulating layer is etched, and accordingly, the fabrication process can be simplified.

摘要翻译： 公开了一种包括氧化物薄膜晶体管（TFT）的显示装置。 当通过使用半色调掩模蚀刻像素区域的氧化物半导体层时，蚀刻栅极焊盘区域的氮化物基栅极绝缘层，在蚀刻栅极绝缘层的接触孔处形成金属层，以及 然后蚀刻形成在其上的钝化层。 因此，当蚀刻栅极绝缘层时，可以防止钝化层的突出部产生，因此可以简化制造工艺。

公开(公告)号：US08324111B2

公开(公告)日：2012-12-04

申请号：US12849405

申请日：2010-08-03

申请人： Jong-Uk Bae ,  Hyun-Sik Seo ,  Im-Kuk Kang

发明人： Jong-Uk Bae ,  Hyun-Sik Seo ,  Im-Kuk Kang

IPC分类号： H01L21/308

CPC分类号： H01L27/1225 ,  H01L27/12 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869

摘要： Disclosed are a liquid crystal display device employing an amorphous zinc oxide-based semiconductor as an active layer, and a method for fabricating the same, whereby device stability can be secured by employing an etch stopper structure and device characteristics can be enhanced by minimizing exposure and deterioration of the active layer excluding content regions by virtue of the design of the etching stopper in a shape like “H”. Also, the liquid crystal display device and the fabrication method thereof can further form a semiconductor pattern and an insulating layer pattern on the intersection between the gate line and the data line, so as to compensate a stepped portion, thereby preventing an occurrence of short-circuit.

摘要翻译： 公开了一种使用无定形氧化锌基半导体作为有源层的液晶显示装置及其制造方法，由此可以通过使用蚀刻停止结构来确保器件稳定性，并且可以通过最小化曝光和 由于蚀刻停止件的设计，除了内容物区域之外的有源层的劣化是类似于H的形状。另外，液晶显示装置及其制造方法还可以在半导体图案和绝缘层图案之间的交点上形成 栅极线和数据线，以便补偿台阶部分，从而防止发生短路。

公开(公告)号：US08148727B2

公开(公告)日：2012-04-03

申请号：US13166478

申请日：2011-06-22

申请人： Im-Kuk Kang ,  Dae-Won Kim

发明人： Im-Kuk Kang ,  Dae-Won Kim

IPC分类号： H01L29/04 ,  H01L31/036 ,  H01L31/0376 ,  H01L31/20

CPC分类号： H01L27/1225 ,  G02F1/1333 ,  G02F2001/136231 ,  H01L23/4824 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/4908 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

摘要： A display device including an oxide thin film transistor (TFT) is disclosed. A nitride-based gate insulating layer of a gate pad area is etched when an oxide semiconductor layer of a pixel area is etched by using a half-tone mask, a metal layer is formed at a contact hole of the etched gate insulting layer, and then a passivation layer formed thereon is etched. Thus, an overhang of the passivation layer can be prevented from being generated when the gate insulating layer is etched, and accordingly, the fabrication process can be simplified.

摘要翻译： 公开了一种包括氧化物薄膜晶体管（TFT）的显示装置。 当通过使用半色调掩模蚀刻像素区域的氧化物半导体层时，蚀刻栅极焊盘区域的氮化物基栅极绝缘层，在蚀刻栅极绝缘层的接触孔处形成金属层，以及 然后蚀刻形成在其上的钝化层。 因此，当蚀刻栅极绝缘层时，可以防止钝化层的突出部产生，因此可以简化制造工艺。

公开(公告)号：US20110108832A1

公开(公告)日：2011-05-12

申请号：US12849405

申请日：2010-08-03

申请人： Jong-Uk Bae ,  Hyun-Sik Seo ,  Im-Kuk Kang

发明人： Jong-Uk Bae ,  Hyun-Sik Seo ,  Im-Kuk Kang

IPC分类号： H01L33/28 ,  H01L21/44

CPC分类号： H01L27/1225 ,  H01L27/12 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869

摘要： Disclosed are a liquid crystal display device employing an amorphous zinc oxide-based semiconductor as an active layer, and a method for fabricating the same, whereby device stability can be secured by employing an etch stopper structure and device characteristics can be enhanced by minimizing exposure and deterioration of the active layer excluding content regions by virtue of the design of the etching stopper in a shape like “H”. Also, the liquid crystal display device and the fabrication method thereof can further form a semiconductor pattern and an insulating layer pattern on the intersection between the gate line and the data line, so as to compensate a stepped portion, thereby preventing an occurrence of short-circuit.

摘要翻译： 公开了一种使用无定形氧化锌基半导体作为有源层的液晶显示装置及其制造方法，由此可以通过使用蚀刻停止结构来确保器件稳定性，并且可以通过最小化曝光和 凭借像“H”形状的蚀刻停止件的设计，不包括内容物区域的活性层的劣化。 此外，液晶显示装置及其制造方法还可以在栅极线和数据线之间的交叉点上形成半导体图案和绝缘层图案，以补偿台阶部分，从而防止短路的发生， 电路。

公开(公告)号：US20100301327A1

公开(公告)日：2010-12-02

申请号：US12649880

申请日：2009-12-30

申请人： Im-Kuk KANG ,  Dae-Won Kim

发明人： Im-Kuk KANG ,  Dae-Won Kim

IPC分类号： H01L29/22 ,  H01L21/16 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01L27/1225 ,  G02F1/1333 ,  G02F2001/136231 ,  H01L23/4824 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/4908 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

摘要： A display device including an oxide thin film transistor (TFT) is disclosed. A nitride-based gate insulating layer of a gate pad area is etched when an oxide semiconductor layer of a pixel area is etched by using a half-tone mask, a metal layer is formed at a contact hole of the etched gate insulting layer, and then a passivation layer formed thereon is etched. Thus, an overhang of the passivation layer can be prevented from being generated when the gate insulating layer is etched, and accordingly, the fabrication process can be simplified.

摘要翻译： 公开了一种包括氧化物薄膜晶体管（TFT）的显示装置。 当通过使用半色调掩模蚀刻像素区域的氧化物半导体层时，蚀刻栅极焊盘区域的氮化物基栅极绝缘层，在蚀刻栅极绝缘层的接触孔处形成金属层，以及 然后蚀刻形成在其上的钝化层。 因此，当蚀刻栅极绝缘层时，可以防止钝化层的突出部产生，因此可以简化制造工艺。

公开(公告)号：US07989274B2

公开(公告)日：2011-08-02

申请号：US12649880

申请日：2009-12-30

申请人： Im-Kuk Kang ,  Dae-Won Kim

发明人： Im-Kuk Kang ,  Dae-Won Kim

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/84

CPC分类号： H01L27/1225 ,  G02F1/1333 ,  G02F2001/136231 ,  H01L23/4824 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/4908 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

摘要： A display device including an oxide thin film transistor (TFT) is disclosed. A nitride-based gate insulating layer of a gate pad area is etched when an oxide semiconductor layer of a pixel area is etched by using a half-tone mask, a metal layer is formed at a contact hole of the etched gate insulting layer, and then a passivation layer formed thereon is etched. Thus, an overhang of the passivation layer can be prevented from being generated when the gate insulating layer is etched, and accordingly, the fabrication process can be simplified.

摘要翻译： 公开了一种包括氧化物薄膜晶体管（TFT）的显示装置。 当通过使用半色调掩模蚀刻像素区域的氧化物半导体层时，蚀刻栅极焊盘区域的氮化物基栅极绝缘层，在蚀刻栅极绝缘层的接触孔处形成金属层，以及 然后蚀刻形成在其上的钝化层。 因此，当蚀刻栅极绝缘层时，可以防止钝化层的突出部产生，因此可以简化制造工艺。