公开(公告)号：US20110248262A1

公开(公告)日：2011-10-13

申请号：US13166478

申请日：2011-06-22

申请人： Im-Kuk Kang ,  Dae-Won Kim

发明人： Im-Kuk Kang ,  Dae-Won Kim

IPC分类号： H01L33/08 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L27/1225 ,  G02F1/1333 ,  G02F2001/136231 ,  H01L23/4824 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/4908 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

摘要： A display device including an oxide thin film transistor (TFT) is disclosed. A nitride-based gate insulating layer of a gate pad area is etched when an oxide semiconductor layer of a pixel area is etched by using a half-tone mask, a metal layer is formed at a contact hole of the etched gate insulting layer, and then a passivation layer formed thereon is etched. Thus, an overhang of the passivation layer can be prevented from being generated when the gate insulating layer is etched, and accordingly, the fabrication process can be simplified.

摘要翻译： 公开了一种包括氧化物薄膜晶体管（TFT）的显示装置。 当通过使用半色调掩模蚀刻像素区域的氧化物半导体层时，蚀刻栅极焊盘区域的氮化物基栅极绝缘层，在蚀刻栅极绝缘层的接触孔处形成金属层，以及 然后蚀刻形成在其上的钝化层。 因此，当蚀刻栅极绝缘层时，可以防止钝化层的突出部产生，因此可以简化制造工艺。

公开(公告)号：US20100301327A1

公开(公告)日：2010-12-02

申请号：US12649880

申请日：2009-12-30

申请人： Im-Kuk KANG ,  Dae-Won Kim

发明人： Im-Kuk KANG ,  Dae-Won Kim

IPC分类号： H01L29/22 ,  H01L21/16 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01L27/1225 ,  G02F1/1333 ,  G02F2001/136231 ,  H01L23/4824 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/4908 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

摘要： A display device including an oxide thin film transistor (TFT) is disclosed. A nitride-based gate insulating layer of a gate pad area is etched when an oxide semiconductor layer of a pixel area is etched by using a half-tone mask, a metal layer is formed at a contact hole of the etched gate insulting layer, and then a passivation layer formed thereon is etched. Thus, an overhang of the passivation layer can be prevented from being generated when the gate insulating layer is etched, and accordingly, the fabrication process can be simplified.

摘要翻译： 公开了一种包括氧化物薄膜晶体管（TFT）的显示装置。 当通过使用半色调掩模蚀刻像素区域的氧化物半导体层时，蚀刻栅极焊盘区域的氮化物基栅极绝缘层，在蚀刻栅极绝缘层的接触孔处形成金属层，以及 然后蚀刻形成在其上的钝化层。 因此，当蚀刻栅极绝缘层时，可以防止钝化层的突出部产生，因此可以简化制造工艺。

公开(公告)号：US08148727B2

公开(公告)日：2012-04-03

申请号：US13166478

申请日：2011-06-22

申请人： Im-Kuk Kang ,  Dae-Won Kim

发明人： Im-Kuk Kang ,  Dae-Won Kim

IPC分类号： H01L29/04 ,  H01L31/036 ,  H01L31/0376 ,  H01L31/20

CPC分类号： H01L27/1225 ,  G02F1/1333 ,  G02F2001/136231 ,  H01L23/4824 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/4908 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

摘要： A display device including an oxide thin film transistor (TFT) is disclosed. A nitride-based gate insulating layer of a gate pad area is etched when an oxide semiconductor layer of a pixel area is etched by using a half-tone mask, a metal layer is formed at a contact hole of the etched gate insulting layer, and then a passivation layer formed thereon is etched. Thus, an overhang of the passivation layer can be prevented from being generated when the gate insulating layer is etched, and accordingly, the fabrication process can be simplified.

摘要翻译： 公开了一种包括氧化物薄膜晶体管（TFT）的显示装置。 当通过使用半色调掩模蚀刻像素区域的氧化物半导体层时，蚀刻栅极焊盘区域的氮化物基栅极绝缘层，在蚀刻栅极绝缘层的接触孔处形成金属层，以及 然后蚀刻形成在其上的钝化层。 因此，当蚀刻栅极绝缘层时，可以防止钝化层的突出部产生，因此可以简化制造工艺。

公开(公告)号：US07989274B2

公开(公告)日：2011-08-02

申请号：US12649880

申请日：2009-12-30

申请人： Im-Kuk Kang ,  Dae-Won Kim

发明人： Im-Kuk Kang ,  Dae-Won Kim

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/84

CPC分类号： H01L27/1225 ,  G02F1/1333 ,  G02F2001/136231 ,  H01L23/4824 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/4908 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

摘要： A display device including an oxide thin film transistor (TFT) is disclosed. A nitride-based gate insulating layer of a gate pad area is etched when an oxide semiconductor layer of a pixel area is etched by using a half-tone mask, a metal layer is formed at a contact hole of the etched gate insulting layer, and then a passivation layer formed thereon is etched. Thus, an overhang of the passivation layer can be prevented from being generated when the gate insulating layer is etched, and accordingly, the fabrication process can be simplified.

摘要翻译： 公开了一种包括氧化物薄膜晶体管（TFT）的显示装置。 当通过使用半色调掩模蚀刻像素区域的氧化物半导体层时，蚀刻栅极焊盘区域的氮化物基栅极绝缘层，在蚀刻栅极绝缘层的接触孔处形成金属层，以及 然后蚀刻形成在其上的钝化层。 因此，当蚀刻栅极绝缘层时，可以防止钝化层的突出部产生，因此可以简化制造工艺。

公开(公告)号：USD712416S1

公开(公告)日：2014-09-02

申请号：US29421493

申请日：2012-07-31

申请人： Chang-Mo Yang ,  Dae-Won Kim ,  Jee-Yeun Wang ,  Chul-Ho Jang

设计人： Chang-Mo Yang ,  Dae-Won Kim ,  Jee-Yeun Wang ,  Chul-Ho Jang

公开(公告)号：US08710479B2

公开(公告)日：2014-04-29

申请号：US13544484

申请日：2012-07-09

申请人： Dae-Won Kim ,  Yong-Kwan Kim

发明人： Dae-Won Kim ,  Yong-Kwan Kim

IPC分类号： H01L29/02

CPC分类号： H01L45/06 ,  H01L27/2409 ,  H01L45/141 ,  H01L45/1625

摘要： According to example embodiments, there is provided a semiconductor device including a substrate and an isolation layer structure. The substrate includes an active region having an upper active pattern and a lower active pattern on the upper active pattern. The active region has a first aspect ratio larger than about 13:1 and a second aspect ratio smaller than about 13:1. The first aspect ratio is defined as a ratio of a sum of heights of the upper active pattern and the lower active pattern with respect to a width of the upper active pattern. The second aspect ratio is defined as a ratio of the sum of the heights of the upper active pattern and the lower active pattern with respect to a width of the lower active pattern. The isolation layer structure is adjacent to the active region.

摘要翻译： 根据示例性实施例，提供了一种包括衬底和隔离层结构的半导体器件。 衬底包括在上活性图案上具有上活性图案和下活性图案的有源区。 有源区具有大于约13:1的第一长宽比和小于约13:1的第二纵横比。 第一宽高比被定义为上活性图案和下活性图案的高度之和相对于上活性图案的宽度的比率。 第二纵横比被定义为上活动图案和下活动图案的高度之和相对于下活动图案的宽度的比率。 隔离层结构与有源区相邻。

公开(公告)号：US08497494B2

公开(公告)日：2013-07-30

申请号：US11798297

申请日：2007-05-11

申请人： Dae-Won Kim

发明人： Dae-Won Kim

IPC分类号： H01L51/05 ,  H01L51/10

CPC分类号： H01L51/052 ,  G02F1/1368 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545

摘要： An organic thin film transistor includes source and drain electrodes spaced apart from each other on a substrate, an organic semiconductor layer between the source and drain electrodes on the substrate, a gate insulating layer including an organic insulating material on the organic semiconductor layer, the gate insulating layer having a thickness of about 1,800 Å to about 2,500 Å, and a gate electrode on the gate insulating layer.

摘要翻译： 有机薄膜晶体管包括在基板上彼此间隔开的源极和漏极电极，在基板上的源极和漏极之间的有机半导体层，在有机半导体层上包括有机绝缘材料的栅极绝缘层，栅极 具有约1,800至约2500厚度的绝缘层，以及栅极绝缘层上的栅电极。

公开(公告)号：US20130007737A1

公开(公告)日：2013-01-03

申请号：US13434696

申请日：2012-03-29

申请人： Myeong-Hoon OH ,  Sun-Wook Kim ,  Dae-Won Kim ,  Seong-Woon Kim

发明人： Myeong-Hoon OH ,  Sun-Wook Kim ,  Dae-Won Kim ,  Seong-Woon Kim

IPC分类号： G06F9/455 ,  G06F15/16

CPC分类号： G06F9/4445 ,  G06F9/4451 ,  G06F9/452 ,  G06F9/45533

摘要： The present invention relates to a method and an architecture capable of efficiently providing a virtual desktop service. The service architecture for the virtual desktop service includes a connection broker for performing the management of virtual machines, a server monitoring function, and a protocol coordination function. A resource pool is configured to manage software resources that are transferred to a specific virtual machine in a streaming form at a predetermined time and that are executed on the specific virtual machine and to provide provision information about the managed software resources at the request of the connection broker, in order to provide an on-demand virtual desktop service. A virtual machine infrastructure is configured to support hardware resources, generate virtual machines in which the software of the user terminal is operated, and provide the virtual machines as virtual desktops.

摘要翻译： 本发明涉及能够有效提供虚拟桌面服务的方法和架构。 虚拟桌面服务的服务架构包括用于执行虚拟机的管理的连接代理，服务器监视功能和协议协调功能。 资源池被配置为管理在预定时间以流形式传送到特定虚拟机的软件资源，并且在特定虚拟机上执行资源池，并且在连接请求下提供关于被管理软件资源的提供信息 经纪人，以提供点播虚拟桌面服务。 虚拟机基础设施被配置为支持硬件资源，生成运行用户终端软件的虚拟机，并将虚拟机提供为虚拟桌面。

公开(公告)号：US20090178707A1

公开(公告)日：2009-07-16

申请号：US12121894

申请日：2008-05-16

申请人： In-Sik Moon ,  Dae-Won Kim

发明人： In-Sik Moon ,  Dae-Won Kim

IPC分类号： H01L31/0224

CPC分类号： H01L31/022433 ,  H01L31/02245 ,  Y02E10/50

摘要： A solar cell having an improved electrode structure includes a semiconductor substrate having a via hole, an emitter portion, a base, a first electrode, and a second electrode. The semiconductor substrate includes a first surface and a second surface opposite to each other. The emitter portion is formed adjacent to the first surface of the semiconductor substrate and extends to the second surface of the semiconductor substrate through a portion adjacent to the via hole. The base forms a p-n junction in the semiconductor substrate along with the emitter portion, the first electrode is electrically connected to the emitter portion, and the second electrode is electrically connected to the base. The first electrode includes a first electrode portion formed on the first surface of the semiconductor substrate. The first electrode portion includes a first portion having a first width and a second portion having a second width larger than the first width, and the second portion corresponds to the via hole.

摘要翻译： 具有改进的电极结构的太阳能电池包括具有通孔，半导体部分，基极，第一电极和第二电极的半导体衬底。 半导体衬底包括彼此相对的第一表面和第二表面。 发射极部分形成在与半导体衬底的第一表面相邻并且通过与通孔相邻的部分延伸到半导体衬底的第二表面。 基极与发射极部分一起在半导体衬底中形成p-n结，第一电极电连接到发射极部分，第二电极与基极电连接。 第一电极包括形成在半导体衬底的第一表面上的第一电极部分。 第一电极部分包括具有第一宽度的第一部分和具有大于第一宽度的第二宽度的第二部分，并且第二部分对应于通孔。

公开(公告)号：USD573552S1

公开(公告)日：2008-07-22

申请号：US29280588

申请日：2007-05-31

申请人： Dae-Won Kim ,  Mi-Hae Kim

设计人： Dae-Won Kim ,  Mi-Hae Kim