公开(公告)号：US6046065A

公开(公告)日：2000-04-04

申请号：US928647

申请日：1997-09-12

申请人： Leon Goldstein ,  Fran.cedilla.ois Brillouet ,  Cathrine Fortin ,  Joel Jacquet ,  Paul Salet ,  Jean Luc Lafragette ,  Antonina Plais

发明人： Leon Goldstein ,  Fran.cedilla.ois Brillouet ,  Cathrine Fortin ,  Joel Jacquet ,  Paul Salet ,  Jean Luc Lafragette ,  Antonina Plais

IPC分类号： G02F1/015 ,  H01L21/203 ,  H01L33/00 ,  H01S5/00 ,  H01S5/02 ,  H01S5/024 ,  H01S5/042 ,  H01S5/183 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01S5/18305 ,  H01L33/0062 ,  H01S2302/00 ,  H01S5/0207 ,  H01S5/0215 ,  H01S5/02476 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/18311 ,  H01S5/18341 ,  H01S5/18369

摘要： An epitaxial deposition process is used to deposit materials that can be crystallized lattice matched to gallium arsenide onto an indium phosphide crystalline wafer. A material of this kind forms a metamorphic layer. Metamorphic layers of this kind constitute two semiconductor Bragg mirrors to form resonant cavities of surface emitting lasers of a matrix. This matrix is consolidated by a silicon support. Applications include optical telecommunications.

摘要翻译： 使用外延沉积工艺将可与砷化镓晶格匹配的材料沉积到磷化铟晶片上。 这种材料形成变质层。 这种变质层构成两个半导体布拉格反射镜，以形成矩阵的表面发射激光器的谐振腔。 该矩阵由硅支持整合。 应用包括光通信。