公开(公告)号：US6046065A

公开(公告)日：2000-04-04

申请号：US928647

申请日：1997-09-12

申请人： Leon Goldstein ,  Fran.cedilla.ois Brillouet ,  Cathrine Fortin ,  Joel Jacquet ,  Paul Salet ,  Jean Luc Lafragette ,  Antonina Plais

发明人： Leon Goldstein ,  Fran.cedilla.ois Brillouet ,  Cathrine Fortin ,  Joel Jacquet ,  Paul Salet ,  Jean Luc Lafragette ,  Antonina Plais

IPC分类号： G02F1/015 ,  H01L21/203 ,  H01L33/00 ,  H01S5/00 ,  H01S5/02 ,  H01S5/024 ,  H01S5/042 ,  H01S5/183 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01S5/18305 ,  H01L33/0062 ,  H01S2302/00 ,  H01S5/0207 ,  H01S5/0215 ,  H01S5/02476 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/18311 ,  H01S5/18341 ,  H01S5/18369

摘要： An epitaxial deposition process is used to deposit materials that can be crystallized lattice matched to gallium arsenide onto an indium phosphide crystalline wafer. A material of this kind forms a metamorphic layer. Metamorphic layers of this kind constitute two semiconductor Bragg mirrors to form resonant cavities of surface emitting lasers of a matrix. This matrix is consolidated by a silicon support. Applications include optical telecommunications.

摘要翻译： 使用外延沉积工艺将可与砷化镓晶格匹配的材料沉积到磷化铟晶片上。 这种材料形成变质层。 这种变质层构成两个半导体布拉格反射镜，以形成矩阵的表面发射激光器的谐振腔。 该矩阵由硅支持整合。 应用包括光通信。

公开(公告)号：US5747366A

公开(公告)日：1998-05-05

申请号：US773355

申请日：1996-12-26

申请人： Fran.cedilla.ois Brillouet ,  Leon Goldstein ,  Joel Jacquet ,  Antonina Plais ,  Paul Salet

发明人： Fran.cedilla.ois Brillouet ,  Leon Goldstein ,  Joel Jacquet ,  Antonina Plais ,  Paul Salet

IPC分类号： H01S5/00 ,  H01S5/183 ,  H01L21/00 ,  H01S3/19

CPC分类号： H01S5/18341 ,  H01S5/0207 ,  H01S5/18311 ,  H01S5/18369

摘要： In a method of fabricating a surface emitting semiconductor layer, to achieve good electrical confinement and good flatness of the mirrors delimiting the resonant cavity of the laser, an electrical confinement layer is made by growing a localized aluminum alloy layer on the active layer, except for an opening area on top of which the mirror is to be formed. After epitaxial regrowth, the alloy layer is oxidized laterally. Applications include the fabrication of semiconductor lasers on III-V substrates such as InP and GaAs.

摘要翻译： 在制造表面发射半导体层的方法中，为了实现良好的电气限制和限定激光器的谐振腔的镜子的良好的平坦度，通过在有源层上生长局部铝合金层来制造电限制层，除了 在其上形成反射镜的开口区域。 在外延再生后，合金层被横向氧化。 应用包括在诸如InP和GaAs的III-V衬底上制造半导体激光器。

公开(公告)号：US6023354A

公开(公告)日：2000-02-08

申请号：US102655

申请日：1998-06-23

申请人： Leon Goldstein ,  Hans Bissessur ,  Alain Bodere ,  Fran.cedilla.ois Brillouet ,  Jean Louis Gentner ,  Catherine Graver

发明人： Leon Goldstein ,  Hans Bissessur ,  Alain Bodere ,  Fran.cedilla.ois Brillouet ,  Jean Louis Gentner ,  Catherine Graver

IPC分类号： G02B5/08 ,  G02B5/18 ,  G02B5/32 ,  G02B6/12 ,  G02B6/122 ,  G02B6/124 ,  G02B6/136 ,  H01L33/00 ,  H01S5/12 ,  H01S5/125 ,  H01S5/20

CPC分类号： G02B6/124 ,  G02B6/136 ,  H01S5/12 ,  G02B2006/12107 ,  G02B2006/12176 ,  H01S5/2081

摘要： A semiconductor Bragg reflector and to a method of fabricating it. The reflector comprises a plurality of stacked layers on a substrate of a III-V type material, one of the stacked layers forming a holographic grating. The layer forming the grating comprises an alternating succession of air pockets and of III-V type material. Such a reflector is particularly suitable for use in laser devices.

摘要翻译： 半导体布拉格反射器及其制造方法。 反射器包括在III-V型材料的衬底上的多个层叠层，层叠层之一形成全息光栅。 形成光栅的层包括交替连续的气穴和III-V型材料。 这种反射器特别适用于激光装置。

公开(公告)号：US5712864A

公开(公告)日：1998-01-27

申请号：US616382

申请日：1996-03-15

申请人： Leon Goldstein ,  Jean-Louis Gentner ,  Fran.cedilla.ois Brillouet

发明人： Leon Goldstein ,  Jean-Louis Gentner ,  Fran.cedilla.ois Brillouet

IPC分类号： G02F1/025 ,  G02B6/12 ,  G02B6/42 ,  H01L31/10 ,  H01L31/12 ,  H01S5/00 ,  H01S5/026 ,  H01S5/042 ,  H04B10/12 ,  H04B10/24 ,  H01S3/19 ,  H01S3/08 ,  H01S3/10

CPC分类号： G02B6/4246 ,  H01S5/0262 ,  H01S5/0265 ,  G02B2006/12164

摘要： A semiconductor photonic diplex transceiver includes a laser to generate a first optical signal having a certain wavelength and a photodetector to detect a second optical signal having another wavelength. The diplex transceiver also includes an absorber of the first signal disposed between the laser and the detector which form integral parts of an optical waveguide. The laser generates the first signal in the form of a continuous wave and is disposed between the absorber and a selective modulator of the first signal. This reduces the problems of optical and electrical crosstalk between the transmit and receive functions. Applications include user premises optical fiber transmit/receive equipments.

摘要翻译： 半导体光子二重收发器包括用于产生具有一定波长的第一光信号的激光器和用于检测具有另一波长的第二光信号的光电检测器。 双工收发器还包括设置在激光器和检测器之间的第一信号的吸收器，其形成光波导的整体部分。 激光器以连续波的形式产生第一信号，并且设置在吸收器和第一信号的选择性调制器之间。 这减少了发射和接收功能之间的光和电串扰的问题。 应用包括用户住宅光纤发射/接收设备。