公开(公告)号：US6046065A

公开(公告)日：2000-04-04

申请号：US928647

申请日：1997-09-12

申请人： Leon Goldstein ,  Fran.cedilla.ois Brillouet ,  Cathrine Fortin ,  Joel Jacquet ,  Paul Salet ,  Jean Luc Lafragette ,  Antonina Plais

发明人： Leon Goldstein ,  Fran.cedilla.ois Brillouet ,  Cathrine Fortin ,  Joel Jacquet ,  Paul Salet ,  Jean Luc Lafragette ,  Antonina Plais

IPC分类号： G02F1/015 ,  H01L21/203 ,  H01L33/00 ,  H01S5/00 ,  H01S5/02 ,  H01S5/024 ,  H01S5/042 ,  H01S5/183 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01S5/18305 ,  H01L33/0062 ,  H01S2302/00 ,  H01S5/0207 ,  H01S5/0215 ,  H01S5/02476 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/18311 ,  H01S5/18341 ,  H01S5/18369

摘要： An epitaxial deposition process is used to deposit materials that can be crystallized lattice matched to gallium arsenide onto an indium phosphide crystalline wafer. A material of this kind forms a metamorphic layer. Metamorphic layers of this kind constitute two semiconductor Bragg mirrors to form resonant cavities of surface emitting lasers of a matrix. This matrix is consolidated by a silicon support. Applications include optical telecommunications.

摘要翻译： 使用外延沉积工艺将可与砷化镓晶格匹配的材料沉积到磷化铟晶片上。 这种材料形成变质层。 这种变质层构成两个半导体布拉格反射镜，以形成矩阵的表面发射激光器的谐振腔。 该矩阵由硅支持整合。 应用包括光通信。

公开(公告)号：US5747366A

公开(公告)日：1998-05-05

申请号：US773355

申请日：1996-12-26

申请人： Fran.cedilla.ois Brillouet ,  Leon Goldstein ,  Joel Jacquet ,  Antonina Plais ,  Paul Salet

发明人： Fran.cedilla.ois Brillouet ,  Leon Goldstein ,  Joel Jacquet ,  Antonina Plais ,  Paul Salet

IPC分类号： H01S5/00 ,  H01S5/183 ,  H01L21/00 ,  H01S3/19

CPC分类号： H01S5/18341 ,  H01S5/0207 ,  H01S5/18311 ,  H01S5/18369

摘要： In a method of fabricating a surface emitting semiconductor layer, to achieve good electrical confinement and good flatness of the mirrors delimiting the resonant cavity of the laser, an electrical confinement layer is made by growing a localized aluminum alloy layer on the active layer, except for an opening area on top of which the mirror is to be formed. After epitaxial regrowth, the alloy layer is oxidized laterally. Applications include the fabrication of semiconductor lasers on III-V substrates such as InP and GaAs.

摘要翻译： 在制造表面发射半导体层的方法中，为了实现良好的电气限制和限定激光器的谐振腔的镜子的良好的平坦度，通过在有源层上生长局部铝合金层来制造电限制层，除了 在其上形成反射镜的开口区域。 在外延再生后，合金层被横向氧化。 应用包括在诸如InP和GaAs的III-V衬底上制造半导体激光器。

公开(公告)号：US5854088A

公开(公告)日：1998-12-29

申请号：US885843

申请日：1997-06-30

申请人： Antonina Plais ,  Paul Salet ,  Joel Jacquet ,  Francis Poingt ,  Estelle Derouin

发明人： Antonina Plais ,  Paul Salet ,  Joel Jacquet ,  Francis Poingt ,  Estelle Derouin

IPC分类号： H01S5/00 ,  H01S5/183 ,  H01S5/20 ,  H01S5/22 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01S5/18341 ,  H01S5/0207 ,  H01S5/18316 ,  H01S5/18338 ,  H01S5/2081 ,  H01S5/209 ,  H01S5/3202

摘要： In a method of fabricating a surface-emitting laser, to assure good electrical confinement and good flatness of the mirrors defining the resonant cavity of the laser an electrical confinement layer is formed by carrying out the following steps: forming an undercut layer, at least one growth step on the undercut layer, forming a mesa defining the shape and the location of the top mirror and exposing the undercut layer on its vertical walls, and controlled lateral etching of the undercut layer. Applications include the fabrication of a semiconductor laser on a III-V (e.g. InP or GaAs) substrate.

摘要翻译： 在制造表面发射激光器的方法中，为了确保限定激光器的谐振腔的镜子的良好的电气限制和良好的平坦度，通过执行以下步骤形成电限制层：形成底切层，至少一个 在底切层上形成生长步骤，形成限定上反射镜的形状和位置的台面，并在其垂直壁上暴露底切层，以及控制底切层的横向蚀刻。 应用包括在III-V（例如InP或GaAs）衬底上制造半导体激光器。

公开(公告)号：US6052398A

公开(公告)日：2000-04-18

申请号：US53704

申请日：1998-04-02

申请人： Francois Brillouet ,  Joel Jacquet ,  Paul Salet ,  Leon Goldstein ,  Patrick Garabedian ,  Christophe Starck ,  Julien Boucart

发明人： Francois Brillouet ,  Joel Jacquet ,  Paul Salet ,  Leon Goldstein ,  Patrick Garabedian ,  Christophe Starck ,  Julien Boucart

IPC分类号： H01S5/00 ,  H01S5/042 ,  H01S5/183 ,  H01S3/19

CPC分类号： H01S5/18305 ,  H01S2302/00 ,  H01S5/18308 ,  H01S5/18394 ,  H01S5/3095

摘要： Two semiconductor layers of the laser form a tunnel junction enabling an electrical current for pumping the laser to pass from an N doped semiconductor Bragg mirror to a P doped injection layer belonging to the light-amplifying structure. The Bragg mirror co-operates with another mirror of the same type having the same doping to include said structure in an optical cavity of the laser. In a variant, the tunnel junction may be buried and located so as to constitute confinement means for said pumping current. The laser can be used in an optical fiber communications network.

摘要翻译： 激光器的两个半导体层形成隧道结，能够使电流泵浦激光从N掺杂半导体布拉格反射镜传递到属于光放大结构的P掺杂注入层。 布拉格反射镜与具有相同掺杂的相同类型的另一个反射镜配合，以在激光器的光腔中包括所述结构。 在一个变型中，隧道结可以被埋置和定位，以便构成用于所述泵送电流的约束装置。 激光可用于光纤通信网络。

公开(公告)号：US06609839B1

公开(公告)日：2003-08-26

申请号：US09411228

申请日：1999-10-04

申请人： Fabrice Devaux ,  Alexandre Shen ,  Philippe Pagnod-Rossiaux ,  Paul Salet ,  Christophe Starck

发明人： Fabrice Devaux ,  Alexandre Shen ,  Philippe Pagnod-Rossiaux ,  Paul Salet ,  Christophe Starck

IPC分类号： H01S330

CPC分类号： G02F1/3523 ,  B82Y20/00 ,  G02F1/017 ,  G02F1/17

摘要： In a device for regenerating a wavelength-division multiplex optical signal, the optical signal to be regenerated comes from an optical fiber and is injected back into the same optical fiber or into another fiber. The device comprises at least one dispersive medium for receiving the wavelength-division multiplex signal and emitting a corresponding dispersed wave into a free space and a saturable absorber which receives the dispersed wave and transmits a corresponding regenerated wave.

摘要翻译： 在用于再生波分复用光信号的装置中，要再生的光信号来自光纤，并且被注入到相同的光纤或另一光纤中。 该装置包括用于接收波分复用信号并将相应的分散波发射到自由空间中的至少一个分散介质和接收分散波并传输相应的再生波的可饱和吸收体。

公开(公告)号：US6137625A

公开(公告)日：2000-10-24

申请号：US188222

申请日：1998-11-09

申请人： Paul Salet ,  Franck Gerard

发明人： Paul Salet ,  Franck Gerard

IPC分类号： H01S5/026 ,  H01S5/042 ,  H01S5/10 ,  H01S5/20 ,  H01S5/50 ,  H01S3/063

CPC分类号： H01S5/10 ,  H01S5/50 ,  H01S5/026 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/1064 ,  H01S5/20 ,  H01S5/2036

摘要： To avoid the phenomena of self-focusing and astigmatism of the amplified wave, the amplifier includes in succession: an input segment having an input waveguide adapted to guide a monomode input wave; a diffraction segment comprising a first medium transparent to said monomode input wave and adapted to widen it; a collimation segment; and an amplification segment having an amplifier waveguide wider than said input waveguide. The amplifier can provide a high-power laser source supplying a widened fundamental mode wave. Application to producing waves for pumping fiber optic amplifiers.

摘要翻译： 为了避免放大波的自聚焦和散光的现象，放大器依次包括：具有适于引导单模输入波的输入波导的输入段; 衍射段，包括对所述单模输入波透明并适于加宽的第一介质; 准直段 以及具有比所述输入波导宽的放大器波导的放大段。 放大器可以提供提供加宽的基波模式的大功率激光源。 应用于产生用于泵浦光纤放大器的波形。

公开(公告)号：US5818862A

公开(公告)日：1998-10-06

申请号：US773360

申请日：1996-12-26

申请人： Paul Salet

发明人： Paul Salet

IPC分类号： H01S5/00 ,  G02B26/00 ,  H01S5/183 ,  H01S5/22 ,  H01S3/19

CPC分类号： H01S5/18308 ,  G02B26/001 ,  H01S5/0207 ,  H01S5/18311 ,  H01S5/18316 ,  H01S5/18341 ,  H01S5/18369

摘要： To improve the efficiency and to reduce the temperature rise of a surface emitting semiconductor laser, the laser includes between a buried active layer and a mirror, a current blocking layer incorporating an opening centered on the active layer and having dimensions less than those of the latter. Applications include optical telecommunication systems.

摘要翻译： 为了提高效率并降低表面发射半导体激光器的温度升高，激光器包括掩埋有源层和反射镜之间，电流阻挡层包含以有源层为中心的开口，其尺寸小于后者的尺寸 。 应用包括光通信系统。