公开(公告)号：US07169706B2

公开(公告)日：2007-01-30

申请号：US10687186

申请日：2003-10-16

申请人： Sergey D. Lopatin ,  Paul R. Besser ,  Alline F. Myers ,  Jeremias D. Romero ,  Minh Q. Tran ,  Lu You ,  Pin-Chin Connie Wang

发明人： Sergey D. Lopatin ,  Paul R. Besser ,  Alline F. Myers ,  Jeremias D. Romero ,  Minh Q. Tran ,  Lu You ,  Pin-Chin Connie Wang

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L21/76846 ,  H01L21/76877

摘要： An exemplary embodiment is related to a method of using an adhesion precursor in an integrated circuit fabrication process. The method includes providing a gas of material over a dielectric material and providing a copper layer over an adhesion precursor layer. The adhesion precursor layer is formed by the gas, and the dielectric material includes an aperture.

摘要翻译： 示例性实施例涉及在集成电路制造工艺中使用粘附前体的方法。 该方法包括在介电材料上提供材料的气体并在粘附前体层上提供铜层。 粘附前体层由气体形成，电介质材料包括孔。

公开(公告)号：US06992004B1

公开(公告)日：2006-01-31

申请号：US10209060

申请日：2002-07-31

申请人： Paul R. Besser ,  Matthew S. Buynoski ,  Minh Q. Tran ,  Pin-Chin Connie Wang ,  Lu You ,  Sergey D. Lopatin ,  Jeremias D. Romero

发明人： Paul R. Besser ,  Matthew S. Buynoski ,  Minh Q. Tran ,  Pin-Chin Connie Wang ,  Lu You ,  Sergey D. Lopatin ,  Jeremias D. Romero

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L21/76843 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76858 ,  H01L21/76859 ,  H01L21/76867

摘要： A method for manufacturing an integrated circuit having improved electromigration characteristics includes forming an aperture in an interlevel dielectric layer and providing a barrier layer in the aperture. The aperture is filled with a metal material and a barrier layer is provided above the metal material. An intermetallic region can be formed at an interface of the metal material and the barrier layer. The intermetallic material can be formed by implantation of species.

摘要翻译： 用于制造具有改善的电迁移特性的集成电路的方法包括在层间电介质层中形成孔，并在孔中提供阻挡层。 孔被金属材料填充，并且在金属材料上方设有阻挡层。 可以在金属材料和阻挡层的界面处形成金属间化合物区域。 金属间化合物可以通过种植物形成。

公开(公告)号：US06518167B1

公开(公告)日：2003-02-11

申请号：US10123588

申请日：2002-04-16

申请人： Lu You ,  Matthew S. Buynoski ,  Paul R. Besser ,  Jeremias D. Romero ,  Pin-Chin Connie Wang ,  Minh Q. Tran

发明人： Lu You ,  Matthew S. Buynoski ,  Paul R. Besser ,  Jeremias D. Romero ,  Pin-Chin Connie Wang ,  Minh Q. Tran

IPC分类号： H01L214763

CPC分类号： H01L21/76849 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76834

摘要： A method of forming a metal or metal nitride layer interface between a copper layer and a silicon nitride layer can include providing a metal organic gas or metal/metal nitride precursor over a copper layer, forming a metal or metal nitride layer from reactions between the metal organic gas or metal/metal nitride precursor and the copper layer, and depositing a silicon nitride layer over the metal or metal nitride layer and copper layer. The metal or metal nitride layer can provide a better interface adhesion between the silicon nitride layer and the copper layer. The metal layer can improve the interface between the copper layer and the silicon nitride layer, improving electromigration reliability and, thus, integrated circuit device performance.

摘要翻译： 在铜层和氮化硅层之间形成金属或金属氮化物层界面的方法可以包括在铜层上提供金属有机气体或金属/金属氮化物前体，从金属或金属氮化物层之间的反应形成金属或金属氮化物层 有机气体或金属/金属氮化物前体和铜层，以及在金属或金属氮化物层和铜层上沉积氮化硅层。 金属或金属氮化物层可以在氮化硅层和铜层之间提供更好的界面粘合性。 金属层可以改善铜层和氮化硅层之间的界面，提高电迁移可靠性，从而提高集成电路器件的性能。

公开(公告)号：US5707484A

公开(公告)日：1998-01-13

申请号：US539029

申请日：1995-10-04

申请人： Jeremias D. Romero ,  Roger L. Alvis ,  Homi Fatemi

发明人： Jeremias D. Romero ,  Roger L. Alvis ,  Homi Fatemi

IPC分类号： H01L21/66 ,  H01L21/306

CPC分类号： H01L22/12

摘要： A method of accurately determining the composition of a dielectric film in a semiconductor device by performing a compositional analysis on a film only portion of the semiconductor device.

摘要翻译： 一种通过对半导体器件的仅薄膜部分进行组成分析来准确地确定半导体器件中的电介质膜的组成的方法。

公开(公告)号：US20080146028A1

公开(公告)日：2008-06-19

申请号：US11641647

申请日：2006-12-19

申请人： Wen Yu ,  Stephen B. Robie ,  Jeremias D. Romero

发明人： Wen Yu ,  Stephen B. Robie ,  Jeremias D. Romero

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L21/28556 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/76841 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： The present method of forming an electronic structure includes providing a tantalum base layer and depositing a layer of copper on the tantalum layer, the deposition being undertaken by physical vapor deposition with the temperature of the base layer at 50° C. or less, with the deposition taking place at a power level of 300 W or less.

摘要翻译： 本发明的形成电子结构的方法包括提供钽基层并在钽层上沉积一层铜，该沉积是通过基底层温度在50℃以下的物理气相沉积进行的，其中 放电发生在300W或更小的功率水平。

公开(公告)号：US5713667A

公开(公告)日：1998-02-03

申请号：US482229

申请日：1995-06-07

申请人： Roger Alvis ,  Andrew N. Erickson ,  Ayesha R. Raheem Kizchery ,  Jeremias D. Romero ,  Bryan M. Tracy

发明人： Roger Alvis ,  Andrew N. Erickson ,  Ayesha R. Raheem Kizchery ,  Jeremias D. Romero ,  Bryan M. Tracy

IPC分类号： G01K7/01

CPC分类号： G01Q60/58 ,  B82Y35/00 ,  G01K7/01 ,  Y10S977/875

摘要： A diode is formed at the tip of a pointed portion of a probe of a scanning probe microscope. When the diode is forward biased, the current through the diode varies with the temperature of the diode. The magnitude of the current is an indication of the temperature of the tip of the probe. If the tip is scanned over a surface, a thermal map of the surface can be made and hot spots on the surface located. In some embodiments, the pointed portion of the probe is made of a semiconductor material (for example, silicon). A layer of a metal (for example, platinum) is made to contact the semiconductor material of the pointed portion only at the tip of the pointed portion, thereby forming a very small temperature sensing Schottky diode at the tip of the pointed portion.

摘要翻译： 在扫描探针显微镜的探针的尖部的尖端形成二极管。 当二极管正向偏置时，通过二极管的电流随着二极管的温度而变化。 电流的大小表示探针尖端的温度。 如果尖端在表面上扫描，则可以制作表面的热图，并且表面上的热点位于。 在一些实施例中，探针的尖锐部分由半导体材料（例如硅）制成。 使一层金属（例如铂）仅在尖部的尖端与尖部的半导体材料接触，从而在尖部的尖端处形成非常小的温度感测肖特基二极管。

公开(公告)号：US5290588A

公开(公告)日：1994-03-01

申请号：US812244

申请日：1991-12-19

申请人： Jeremias D. Romero ,  Homi Fatemi ,  Eugene A. Delenia ,  Muhib M. Khan

发明人： Jeremias D. Romero ,  Homi Fatemi ,  Eugene A. Delenia ,  Muhib M. Khan

IPC分类号： C23C14/14 ,  C23C14/58 ,  H01L21/48 ,  H01L23/498 ,  B05D5/12 ,  B05D3/02

CPC分类号： C23C14/5806 ,  C23C14/14 ,  C23C14/58 ,  C23C14/5893 ,  H01L21/4846 ,  H01L23/49866 ,  H01L2924/0002

摘要： An improved process is provided for forming a multilayer structure (18) suitable for tape automated bonding thereto or for forming contacts. In the process, a first layer (12) of aluminum is formed on a substrate (10), a second layer (14) of a TiW alloy is formed on the first layer of aluminum, and a third layer (16) of gold is formed on the second layer of the TiW alloy, to which third layer of gold bonding is done. The improvement comprises annealing the second layer of the TiW alloy in an inert atmosphere at a temperature less than about 500.degree. C. for a period of time sufficient to form a film of an Al--TiW phase (20), believed to comprise TiAl.sub.3, at the interface between the first layer of aluminum and the second layer of the TiW alloy. The annealing is done prior to forming the third layer of gold on the second layer of the TiW alloy.

摘要翻译： 提供了一种改进的方法，用于形成适于胶带自动粘合或用于形成接触的多层结构（18）。 在该方法中，在基板（10）上形成铝的第一层（12），在第一层铝上形成TiW合金的第二层（14），并且金的第三层（16）为 形成在TiW合金的第二层上，进行第三层金键合。 该改进包括在惰性气氛中在小于约500℃的温度下退火TiW合金的第二层足够长的时间以形成被认为包含TiAl 3的Al-TiW相（20）的膜， 在第一层铝和第二层TiW合金之间的界面处。 在TiW合金的第二层上形成第三层金之前进行退火。

公开(公告)号：US08791018B2

公开(公告)日：2014-07-29

申请号：US11641647

申请日：2006-12-19

申请人： Wen Yu ,  Stephen B. Robie ,  Jeremias D. Romero

发明人： Wen Yu ,  Stephen B. Robie ,  Jeremias D. Romero

IPC分类号： H01L21/441 ,  H01L21/443 ,  H01L21/283 ,  H01L21/285 ,  H01L23/532 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L21/28556 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/76841 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： The present method of forming an electronic structure includes providing a tantalum base layer and depositing a layer of copper on the tantalum layer, the deposition being undertaken by physical vapor deposition with the temperature of the base layer at 50° C. or less, with the deposition taking place at a power level of 300 W or less.

摘要翻译： 本发明的形成电子结构的方法包括提供钽基层并在钽层上沉积一层铜，该沉积是通过基底层温度在50℃以下的物理气相沉积进行的，其中 放电发生在300W或更小的功率水平。

公开(公告)号：US06791081B1

公开(公告)日：2004-09-14

申请号：US10109517

申请日：2002-03-27

申请人： Robert Matthew Ulfig ,  Suzette K. Pangrle ,  Alline F. Myers ,  Jeremias D. Romero

发明人： Robert Matthew Ulfig ,  Suzette K. Pangrle ,  Alline F. Myers ,  Jeremias D. Romero

IPC分类号： G01B528

CPC分类号： G01Q60/24 ,  G01N15/088 ,  Y10S977/852

摘要： A method for measuring porosity of nanoporous materials is provided using atomic force microscopy (AFM). A surface topology map with sub-atomic resolution is created using AFM wherein the pore shape and size can be determined by measuring the pores that intersect the top or fracture surface. For porous materials requiring more accurate measurements, small scan areas with slow scan speed and fine AFM tips are used and a general estimation on distribution can be made from a sample area.

摘要翻译： 使用原子力显微镜（AFM）提供了一种测量纳米多孔材料孔隙率的方法。 使用AFM创建具有亚原子分辨率的表面拓扑图，其中孔形状和尺寸可以通过测量与顶部或断裂面相交的孔来确定。 对于需要更精确测量的多孔材料，使用扫描速度慢的微小扫描区域和精细的AFM尖端，并且可以从样品区域进行一般的分布估计。