公开(公告)号：US08278666B1

公开(公告)日：2012-10-02

申请号：US12821877

申请日：2010-06-23

申请人： Narsingh B. Singh ,  Sean R. McLaughlin ,  Thomas J. Knight ,  Robert M. Young ,  Brian P. Wagner ,  David A. Kahler ,  Andre E. Berghmans ,  David J. Knuteson ,  Ty R. McNutt ,  Jerry W. Hedrick, Jr. ,  George M. Bates ,  Kenneth Petrosky

发明人： Narsingh B. Singh ,  Sean R. McLaughlin ,  Thomas J. Knight ,  Robert M. Young ,  Brian P. Wagner ,  David A. Kahler ,  Andre E. Berghmans ,  David J. Knuteson ,  Ty R. McNutt ,  Jerry W. Hedrick, Jr. ,  George M. Bates ,  Kenneth Petrosky

IPC分类号： H01L29/15 ,  H01L31/0312

CPC分类号： H01L21/02381 ,  C30B23/02 ,  C30B25/02 ,  C30B25/183 ,  C30B29/36 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262

摘要： The disclosure relates to a high purity 2H-SiC composition and methods for making same. The embodiments represented herein apply to both thin film and bulk growth of 2H-SiC. According to one embodiment, the disclosure relates to doping an underlying substrate or support layer with one or more surfactants to nucleate and grow high purity 2H-SiC. In another embodiment, the disclosure relates to a method for preparing 2H-SiC compositions by nucleating 2H-SiC on another SiC polytype using one or more surfactants. The surfactants can include AlN, Te, Sb and similar compositions. These nucleate SiC into disc form which changes to hexagonal 2H-SiC material.

摘要翻译： 本公开涉及高纯度2H-SiC组合物及其制备方法。 这里所示的实施方案适用于2H-SiC的薄膜和体积生长。 根据一个实施方案，本公开涉及用一种或多种表面活性剂掺杂下面的基底或支撑层以使高纯度2H-SiC成核和生长。 在另一个实施方案中，本公开内容涉及通过使用一种或多种表面活性剂在其它SiC多型体上成核2H-SiC制备2H-SiC组合物的方法。 表面活性剂可以包括AlN，Te，Sb和类似组合物。 这些将SiC成核转变成六角形2H-SiC材料的盘形。