公开(公告)号：US4387145A

公开(公告)日：1983-06-07

申请号：US306116

申请日：1981-09-28

申请人： William I. Lehrer ,  John H. Vincak

发明人： William I. Lehrer ,  John H. Vincak

IPC分类号： G03F7/09 ,  H01L21/027 ,  H01L21/033 ,  H01L21/316 ,  G03C5/00 ,  B44C1/22 ,  G03F5/00

CPC分类号： H01L21/02112 ,  G03F7/094 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/0272 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/31608 ,  Y10S438/944 ,  Y10S438/951

摘要： A method for forming a predetermined configuration of a film material comprises the steps of forming a layer of a first material on a surface, forming a layer of a second material on the first material wherein the first material has an etch rate greater than that of the second material when the first material and the second material are exposed to a common etchant, etching portions of the second material and underlying portions of the first material to expose portions of the surface, forming a layer of film material on the exposed portions of the surface, forming a layer of film material on the exposed portions of the surface and on the remaining portions of the second material, and removing the remaining portions of the first material such that the overlying second material and the film material thereon is also removed.

摘要翻译： 用于形成薄膜材料的预定构造的方法包括以下步骤：在表面上形成第一材料层，在第一材料上形成第二材料层，其中第一材料的蚀刻速率大于 当第一材料和第二材料暴露于常见的蚀刻剂时，蚀刻第二材料，蚀刻第二材料的部分和第一材料的下面部分以暴露表面的部分，在表面的暴露部分上形成薄膜材料层 在所述表面的暴露部分和所述第二材料的剩余部分上形成薄膜材料层，以及去除所述第一材料的剩余部分，使得其上覆盖的第二材料和所述薄膜材料也被去除。