公开(公告)号：US08912536B2

公开(公告)日：2014-12-16

申请号：US13156906

申请日：2011-06-09

申请人： Wan-joo Maeng ,  Myung-kwan Ryu ,  Tae-sang Kim ,  Joon-seok Park

发明人： Wan-joo Maeng ,  Myung-kwan Ryu ,  Tae-sang Kim ,  Joon-seok Park

IPC分类号： H01L29/10 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L29/7869

摘要： An oxide transistor includes: a channel layer formed of an oxide semiconductor; a source electrode contacting a first end portion of the channel layer; a drain electrode contacting a second end portion of the channel layer; a gate corresponding to the channel layer; and a gate insulating layer disposed between the channel layer and the gate. The oxide semiconductor includes hafnium-indium-zinc-oxide (HfInZnO). An electrical conductivity of a back channel region of the channel layer is lower than an electrical conductivity of a front channel region of the channel layer.

摘要翻译： 氧化物晶体管包括：由氧化物半导体形成的沟道层; 与所述沟道层的第一端部接触的源电极; 漏极，与所述沟道层的第二端部接触; 对应于沟道层的栅极; 以及设置在沟道层和栅极之间的栅极绝缘层。 氧化物半导体包括铪 - 铟 - 锌 - 氧化物（HfInZnO）。 沟道层的背沟道区域的导电率低于沟道层的前沟道区域的导电率。

公开(公告)号：US08759917B2

公开(公告)日：2014-06-24

申请号：US12929066

申请日：2010-12-28

申请人： Joon Seok Park ,  Tae Sang Kim ,  Yun-Hyuk Choi

发明人： Joon Seok Park ,  Tae Sang Kim ,  Yun-Hyuk Choi

IPC分类号： H01L29/786

CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606

摘要： A thin-film transistor (TFT) may include a channel layer, an etch stop multi-layer, a source, a drain, a gate, and a gate insulation layer. The etch stop multi-layer may include a first etch stop layer and a second etch stop layer. The second etch stop layer may prevent or reduce an etchant from contacting the channel layer.

摘要翻译： 薄膜晶体管（TFT）可以包括沟道层，蚀刻停止多层，源极，漏极，栅极和栅极绝缘层。 蚀刻停止多层可以包括第一蚀刻停止层和第二蚀刻停止层。 第二蚀刻停止层可以防止或减少蚀刻剂接触通道层。

公开(公告)号：US20130221343A1

公开(公告)日：2013-08-29

申请号：US13588462

申请日：2012-08-17

申请人： Kyoung-seok SON ,  Myung-kwan RYU ,  Tae-sang KIM ,  Hyun-suk KIM ,  Joon-seok PARK ,  Jong-baek SEON ,  Sang-yoon LEE

发明人： Kyoung-seok SON ,  Myung-kwan RYU ,  Tae-sang KIM ,  Hyun-suk KIM ,  Joon-seok PARK ,  Jong-baek SEON ,  Sang-yoon LEE

IPC分类号： H01L29/786

CPC分类号： H01L29/78696 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78681 ,  H01L29/7869

摘要： A transistor may include a hole blocking layer between a channel layer including oxynitride and an electrode electrically connected to the channel layer. The hole blocking layer may be disposed in a region between the channel layer and at least one of a source electrode and a drain electrode. The channel layer may include, for example, zinc oxynitride (ZnON). A valence band maximum energy level of the hole blocking layer may be lower than a valence band maximum energy level of the channel layer.

摘要翻译： 晶体管可以包括在包括氮氧化物的沟道层和电连接到沟道层的电极之间的空穴阻挡层。 空穴阻挡层可以设置在沟道层与源电极和漏电极中的至少一个之间的区域中。 沟道层可以包括例如氮氧化锌（ZnON）。 空穴阻挡层的价带最大能级可以低于沟道层的价带最大能级。

公开(公告)号：US20130140551A1

公开(公告)日：2013-06-06

申请号：US13550752

申请日：2012-07-17

申请人： Joon-seok Park ,  Tae-sang Kim ,  Hyun-suk Kim ,  Myung-kwan Ryu ,  Jong-baek Seon ,  Kyoung-seok Son ,  Sang-yoon Lee ,  Seok-jun Seo

发明人： Joon-seok Park ,  Tae-sang Kim ,  Hyun-suk Kim ,  Myung-kwan Ryu ,  Jong-baek Seon ,  Kyoung-seok Son ,  Sang-yoon Lee ,  Seok-jun Seo

IPC分类号： H01L29/78 ,  B32B3/26 ,  H01L21/336

CPC分类号： B32B3/26 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/786 ,  H01L29/7869 ,  Y10T428/24479

摘要： A transistor may include a channel layer formed of an oxide semiconductor. The oxide semiconductor may include GaZnON, and a proportion of Ga content to a total content of Ga and Zn of the channel layer is about 0.5 to about 4.5 at %.

摘要翻译： 晶体管可以包括由氧化物半导体形成的沟道层。 氧化物半导体可以包括GaZnON，并且沟道层的Ga含量与Ga和Zn的总含量的比例为约0.5至约4.5原子％。

公开(公告)号：US20120309771A1

公开(公告)日：2012-12-06

申请号：US13578590

申请日：2011-02-11

申请人： Joon Seok Park ,  Kyung A. Yu ,  Yun Soo Yoon ,  Mi Ryeong Han ,  Ji Duck Kim

发明人： Joon Seok Park ,  Kyung A. Yu ,  Yun Soo Yoon ,  Mi Ryeong Han ,  Ji Duck Kim

IPC分类号： A61K31/454 ,  A61P31/10 ,  C07D401/14 ,  C07D401/06 ,  A61K31/506 ,  A61K31/4545

CPC分类号： C07D401/14 ,  A61K31/4196 ,  C07D401/06 ,  C07D401/12

摘要： Disclosed are novel triazole derivatives. Exhibiting excellent antifungal activity and in vivo safety, they are useful for the treatment or prevention of fungal infections caused by a wide spectrum of fungi.

摘要翻译： 公开了新的三唑衍生物。 展示优良的抗真菌活性和体内安全性，它们可用于治疗或预防由广谱真菌引起的真菌感染。

公开(公告)号：US08063229B2

公开(公告)日：2011-11-22

申请号：US12520945

申请日：2007-12-28

申请人： Joon Seok Park ,  Kyung A Yu ,  Yun Soo Yoon ,  Mi Ryeong Han

发明人： Joon Seok Park ,  Kyung A Yu ,  Yun Soo Yoon ,  Mi Ryeong Han

IPC分类号： C07D233/00 ,  C07D249/00

CPC分类号： C07D403/06 ,  C07D401/14 ,  C07D403/14 ,  C07D405/14

摘要： The present invention relates to triazole derivaties, a method for the preparation thereof, and a pharmaceutical composition containing the same as an active ingredient. The inventive triazole derivaties have an excellent antifungal activity against various pathogens.

摘要翻译： 本发明涉及三唑衍生物，其制备方法和含有该组合物作为活性成分的药物组合物。 本发明的三唑衍生物对各种病原体具有优异的抗真菌活性。

公开(公告)号：US20110163310A1

公开(公告)日：2011-07-07

申请号：US12929066

申请日：2010-12-28

申请人： Joon Seok Park ,  Tae Sang Kim ,  Yun-Hyuk Choi

发明人： Joon Seok Park ,  Tae Sang Kim ,  Yun-Hyuk Choi

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606

摘要： A thin-film transistor (TFT) may include a channel layer, an etch stop multi-layer, a source, a drain, a gate, and a gate insulation layer. The etch stop multi-layer may include a first etch stop layer and a second etch stop layer. The second etch stop layer may prevent or reduce an etchant from contacting the channel layer.

摘要翻译： 薄膜晶体管（TFT）可以包括沟道层，蚀刻停止多层，源极，漏极，栅极和栅极绝缘层。 蚀刻停止多层可以包括第一蚀刻停止层和第二蚀刻停止层。 第二蚀刻停止层可以防止或减少蚀刻剂接触通道层。

公开(公告)号：US09184300B2

公开(公告)日：2015-11-10

申请号：US13588462

申请日：2012-08-17

申请人： Kyoung-seok Son ,  Myung-kwan Ryu ,  Tae-sang Kim ,  Hyun-suk Kim ,  Joon-seok Park ,  Jong-baek Seon ,  Sang-yoon Lee

发明人： Kyoung-seok Son ,  Myung-kwan Ryu ,  Tae-sang Kim ,  Hyun-suk Kim ,  Joon-seok Park ,  Jong-baek Seon ,  Sang-yoon Lee

IPC分类号： H01L29/786

CPC分类号： H01L29/78696 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78681 ,  H01L29/7869

摘要： A transistor may include a hole blocking layer between a channel layer including oxynitride and an electrode electrically connected to the channel layer. The hole blocking layer may be disposed in a region between the channel layer and at least one of a source electrode and a drain electrode. The channel layer may include, for example, zinc oxynitride (ZnON). A valence band maximum energy level of the hole blocking layer may be lower than a valence band maximum energy level of the channel layer.

摘要翻译： 晶体管可以包括在包括氮氧化物的沟道层和电连接到沟道层的电极之间的空穴阻挡层。 空穴阻挡层可以设置在沟道层与源电极和漏电极中的至少一个之间的区域中。 沟道层可以包括例如氮氧化锌（ZnON）。 空穴阻挡层的价带最大能级可以低于沟道层的价带最大能级。

公开(公告)号：US09099561B2

公开(公告)日：2015-08-04

申请号：US13489888

申请日：2012-06-06

申请人： Hyun-suk Kim ,  Sang-yoon Lee ,  Myung-kwan Ryu ,  Tae-sang Kim ,  Jong-baek Seon ,  Kyoung-seok Son ,  Won-mook Choi ,  Joon-seok Park ,  Mi-jeong Song

发明人： Hyun-suk Kim ,  Sang-yoon Lee ,  Myung-kwan Ryu ,  Tae-sang Kim ,  Jong-baek Seon ,  Kyoung-seok Son ,  Won-mook Choi ,  Joon-seok Park ,  Mi-jeong Song

IPC分类号： H01L29/786

CPC分类号： H01L29/78633 ,  H01L29/78669 ,  H01L29/78678 ,  H01L29/7869

摘要： A transistor may include a light-blocking layer that blocks light incident on a channel layer. The light-blocking layer may include a carbon-based material. The carbon-based material may include graphene oxide, graphite oxide, graphene or carbon nanotube (CNT). The light-blocking layer may be between a gate and at least one of the channel layer, a source and a drain.

摘要翻译： 晶体管可以包括阻挡入射在沟道层上的光的遮光层。 遮光层可以包括碳基材料。 碳基材料可以包括氧化石墨烯，氧化石墨，石墨烯或碳纳米管（CNT）。 遮光层可以在栅极和沟道层，源极和漏极中的至少一个之间。

公开(公告)号：US08581244B2

公开(公告)日：2013-11-12

申请号：US13004981

申请日：2011-01-12

申请人： Joon Seok Park ,  Tae Sang Kim

发明人： Joon Seok Park ,  Tae Sang Kim

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/34

CPC分类号： H01L29/7869 ,  B82Y10/00

摘要： Example embodiments are directed to oxide thin film transistors and methods of manufacturing the oxide thin film transistors. The oxide thin film transistor includes an active region in a gate insulation layer and under a source and a drain in a bottom gate structure, thus improving electrical characteristics of the oxide thin film transistor.

摘要翻译： 示例性实施例涉及氧化物薄膜晶体管和制造氧化物薄膜晶体管的方法。 氧化物薄膜晶体管包括栅极绝缘层中的有源区和底栅结构中的源极和漏极，从而改善氧化物薄膜晶体管的电特性。