公开(公告)号：US08866136B2

公开(公告)日：2014-10-21

申请号：US12805379

申请日：2010-07-28

申请人： Ji-sim Jung ,  Chang-seung Lee ,  Jae-cheol Lee ,  Sang-yoon Lee ,  Jang-yeon Kwon ,  Kwang-hee Lee ,  Kyoung-seok Son

发明人： Ji-sim Jung ,  Chang-seung Lee ,  Jae-cheol Lee ,  Sang-yoon Lee ,  Jang-yeon Kwon ,  Kwang-hee Lee ,  Kyoung-seok Son

IPC分类号： H01L29/10 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L29/78606

摘要： Provided are a transistor, a method of manufacturing the transistor, and an electronic device including the transistor. The transistor may include a passivation layer on a channel layer, a source, a drain, and a gate, wherein the component of the passivation layer is varied in a height direction. The passivation layer may have a multi-layer structure including a silicon oxide layer, a silicon oxynitride layer, and a silicon nitride layer sequentially stacked. The channel layer may include an oxide semiconductor.

摘要翻译： 提供晶体管，晶体管的制造方法和包括该晶体管的电子器件。 晶体管可以包括沟道层上的钝化层，源极，漏极和栅极，其中钝化层的成分在高度方向上变化。 钝化层可以具有依次层叠的包括氧化硅层，氮氧化硅层和氮化硅层的多层结构。 沟道层可以包括氧化物半导体。

公开(公告)号：US20130221343A1

公开(公告)日：2013-08-29

申请号：US13588462

申请日：2012-08-17

申请人： Kyoung-seok SON ,  Myung-kwan RYU ,  Tae-sang KIM ,  Hyun-suk KIM ,  Joon-seok PARK ,  Jong-baek SEON ,  Sang-yoon LEE

发明人： Kyoung-seok SON ,  Myung-kwan RYU ,  Tae-sang KIM ,  Hyun-suk KIM ,  Joon-seok PARK ,  Jong-baek SEON ,  Sang-yoon LEE

IPC分类号： H01L29/786

CPC分类号： H01L29/78696 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78681 ,  H01L29/7869

摘要： A transistor may include a hole blocking layer between a channel layer including oxynitride and an electrode electrically connected to the channel layer. The hole blocking layer may be disposed in a region between the channel layer and at least one of a source electrode and a drain electrode. The channel layer may include, for example, zinc oxynitride (ZnON). A valence band maximum energy level of the hole blocking layer may be lower than a valence band maximum energy level of the channel layer.

摘要翻译： 晶体管可以包括在包括氮氧化物的沟道层和电连接到沟道层的电极之间的空穴阻挡层。 空穴阻挡层可以设置在沟道层与源电极和漏电极中的至少一个之间的区域中。 沟道层可以包括例如氮氧化锌（ZnON）。 空穴阻挡层的价带最大能级可以低于沟道层的价带最大能级。

公开(公告)号：US20130140551A1

公开(公告)日：2013-06-06

申请号：US13550752

申请日：2012-07-17

申请人： Joon-seok Park ,  Tae-sang Kim ,  Hyun-suk Kim ,  Myung-kwan Ryu ,  Jong-baek Seon ,  Kyoung-seok Son ,  Sang-yoon Lee ,  Seok-jun Seo

发明人： Joon-seok Park ,  Tae-sang Kim ,  Hyun-suk Kim ,  Myung-kwan Ryu ,  Jong-baek Seon ,  Kyoung-seok Son ,  Sang-yoon Lee ,  Seok-jun Seo

IPC分类号： H01L29/78 ,  B32B3/26 ,  H01L21/336

CPC分类号： B32B3/26 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/786 ,  H01L29/7869 ,  Y10T428/24479

摘要： A transistor may include a channel layer formed of an oxide semiconductor. The oxide semiconductor may include GaZnON, and a proportion of Ga content to a total content of Ga and Zn of the channel layer is about 0.5 to about 4.5 at %.

摘要翻译： 晶体管可以包括由氧化物半导体形成的沟道层。 氧化物半导体可以包括GaZnON，并且沟道层的Ga含量与Ga和Zn的总含量的比例为约0.5至约4.5原子％。

公开(公告)号：US08378342B2

公开(公告)日：2013-02-19

申请号：US12659837

申请日：2010-03-23

申请人： Tae-sang Kim ,  Sang-yoon Lee ,  Jang-yeon Kwon ,  Kyoung-seok Son ,  Ji-sim Jung ,  Kwang-hee Lee

发明人： Tae-sang Kim ,  Sang-yoon Lee ,  Jang-yeon Kwon ,  Kyoung-seok Son ,  Ji-sim Jung ,  Kwang-hee Lee

IPC分类号： H01L29/786

CPC分类号： H01L29/7869

摘要： Provided are an oxide semiconductor and an oxide thin film transistor including the oxide semiconductor. The oxide semiconductor may be formed of an indium (In)-zinc (Zn) oxide in which hafnium (Hf) is contained, wherein In, Zn, and Hf are contained in predetermined or given composition ratios.

摘要翻译： 提供了包括氧化物半导体的氧化物半导体和氧化物薄膜晶体管。 氧化物半导体可以由其中含有铪（Hf）的铟（In） - 锌（Zn）氧化物形成，其中以预定或给定的组成比包含In，Zn和Hf。

公开(公告)号：US07008863B2

公开(公告)日：2006-03-07

申请号：US10934153

申请日：2004-09-03

申请人： Eok Su Kim ,  Ho Nyeon Lee ,  Myung Kwan Ryu ,  Jae Chul Park ,  Kyoung Seok Son ,  Jun Ho Lee ,  Se Yeoul Kwon

发明人： Eok Su Kim ,  Ho Nyeon Lee ,  Myung Kwan Ryu ,  Jae Chul Park ,  Kyoung Seok Son ,  Jun Ho Lee ,  Se Yeoul Kwon

IPC分类号： H01L21/36 ,  H01L21/205

CPC分类号： H01L21/0268 ,  B23K26/066 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/2026

摘要： Disclosed is a method for forming a polycrystalline silicon film by crystallizing an amorphous silicon film. A mask has first to third shot regions having the same length. The first to third shot regions have transmission sections and non-transmission sections, which are alternately aligned. The transmission sections of the first shot region are positioned corresponding to the non-transmission sections of the second shot region, the non-transmission sections of the first shot region are positioned corresponding to the transmission sections of the second shot region, and the transmission sections of the third shot region are aligned corresponding to center portions of the transmission sections of the first and second shot regions. Primary to nth laser irradiation processes are performed with respect to the glass substrate, thereby crystallizing the amorphous silicon film into the polycrystalline silicon film.

摘要翻译： 公开了通过使非晶硅膜结晶来形成多晶硅膜的方法。 掩模具有具有相同长度的第一至第三射击区域。 第一到第三射击区域具有交替对准的透射部分和非透射部分。 第一拍摄区域的发送部分对应于第二拍摄区域的非发送部分定位，第一拍摄区域的非透射部分对应于第二拍摄区域的发射部分定位，并且发射部分 对应于第一和第二射击区域的透射部分的中心部分对齐。 对玻璃基板进行初级至第n次激光照射处理，从而使非晶硅膜结晶成多晶硅膜。

公开(公告)号：US09035294B2

公开(公告)日：2015-05-19

申请号：US13550752

申请日：2012-07-17

申请人： Joon-seok Park ,  Tae-sang Kim ,  Hyun-suk Kim ,  Myung-kwan Ryu ,  Jong-baek Seon ,  Kyoung-seok Son ,  Sang-yoon Lee ,  Seok-jun Seo

发明人： Joon-seok Park ,  Tae-sang Kim ,  Hyun-suk Kim ,  Myung-kwan Ryu ,  Jong-baek Seon ,  Kyoung-seok Son ,  Sang-yoon Lee ,  Seok-jun Seo

IPC分类号： H01L29/10 ,  B32B3/26 ,  H01L29/786 ,  H01L29/49

CPC分类号： B32B3/26 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/786 ,  H01L29/7869 ,  Y10T428/24479

摘要： A transistor may include a channel layer formed of an oxide semiconductor. The oxide semiconductor may include GaZnON, and a proportion of Ga content to a total content of Ga and Zn of the channel layer is about 0.5 to about 4.5 at %.

摘要翻译： 晶体管可以包括由氧化物半导体形成的沟道层。 氧化物半导体可以包括GaZnON，并且沟道层的Ga含量与Ga和Zn的总含量的比例为约0.5至约4.5原子％。

公开(公告)号：US08735229B2

公开(公告)日：2014-05-27

申请号：US12110744

申请日：2008-04-28

申请人： Kyoung-seok Son ,  Sang-yoon Lee ,  Myung-kwan Ryu ,  Tae-sang Kim ,  Jang-yeon Kwon ,  Kyung-bae Park ,  Ji-sim Jung

发明人： Kyoung-seok Son ,  Sang-yoon Lee ,  Myung-kwan Ryu ,  Tae-sang Kim ,  Jang-yeon Kwon ,  Kyung-bae Park ,  Ji-sim Jung

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L29/7869

摘要： A ZnO-based thin film transistor (TFT) is provided herein. Also provided is a method for manufacturing the TFT. The ZnO-based TFT is very sensitive to the oxygen concentration present in a channel layer. In order to prevent damage to a channel layer of a bottom gate TFT, and to avoid a deep negative threshold voltage resulting from damage to the channel layer, the method for manufacturing the ZnO-based TFT comprises formation of an etch stop layer or a passivation layer comprising unstable or incompletely bonded oxygen, and annealing the layers to induce an interfacial reaction between the oxide layer and the channel layer and to reduce the carrier concentration.

摘要翻译： 本文提供了一种ZnO基薄膜晶体管（TFT）。 还提供了一种用于制造TFT的方法。 ZnO基TFT对通道层中存在的氧浓度非常敏感。 为了防止对底栅TFT的沟道层的损坏，并且为了避免由于对沟道层的损坏而产生的深负阈值电压，制造ZnO基TFT的方法包括形成蚀刻停止层或钝化层 层，其包含不稳定或不完全结合的氧，并且退火层以在氧化物层和沟道层之间引起界面反应并降低载流子浓度。

公开(公告)号：US20120168757A1

公开(公告)日：2012-07-05

申请号：US13165301

申请日：2011-06-21

申请人： Kyung-bae Park ,  Myung-kwan Ryu ,  Kwang-hee Lee ,  Tae-sang Kim ,  Eok-su Kim ,  Kyoung-seok Son ,  Hyun-suk Kim ,  Wan-joo Maeng ,  Joon-seok Park

发明人： Kyung-bae Park ,  Myung-kwan Ryu ,  Kwang-hee Lee ,  Tae-sang Kim ,  Eok-su Kim ,  Kyoung-seok Son ,  Hyun-suk Kim ,  Wan-joo Maeng ,  Joon-seok Park

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L29/78693

摘要： A transistor includes a channel layer disposed above a gate and including an oxide semiconductor. A source electrode contacts a first end portion of the channel layer, and a drain electrode contacts a second end portion of the channel layer. The channel layer further includes a fluorine-containing region formed in an upper portion of the channel layer between the source electrode and the drain electrode.

摘要翻译： 晶体管包括设置在栅极上方并包括氧化物半导体的沟道层。 源电极接触沟道层的第一端部，漏极接触沟道层的第二端部。 沟道层还包括形成在源极和漏极之间的沟道层的上部的含氟区。

公开(公告)号：US20110170031A1

公开(公告)日：2011-07-14

申请号：US12805382

申请日：2010-07-28

申请人： Kyoung-seok Son ,  Kwang-hee Lee ,  Jang-yeon Kwon ,  Ji-sim Jung

发明人： Kyoung-seok Son ,  Kwang-hee Lee ,  Jang-yeon Kwon ,  Ji-sim Jung

IPC分类号： G02F1/136

CPC分类号： H01L27/124 ,  G02F1/13624 ,  G09G3/3659 ,  G09G2300/0426 ,  G09G2310/067 ,  G09G2320/043 ,  H01L27/1225

摘要： Example embodiments are directed to a switching device of an active display device and a method of driving the switching device, such that electrical reliability of the active display device is improved. The switching device of the active display device includes a plurality of thin film transistors (TFTs) that are connected in series. Except for a refresh time duration during which the plurality of TFTs of the switching device are simultaneously turned ON, a positive voltage is applied to at least one of the plurality of TFTs of the switching device so that a reliability of the switching device may be improved.

摘要翻译： 示例性实施例涉及有源显示装置的开关装置和驱动开关装置的方法，使得主动显示装置的电可靠性得到改善。 有源显示装置的开关装置包括串联连接的多个薄膜晶体管（TFT）。 除了开关装置的多个TFT同时导通的刷新持续时间之外，对开关装置的多个TFT中的至少一个施加正电压，从而可以提高开关装置的可靠性 。

公开(公告)号：US20110017990A1

公开(公告)日：2011-01-27

申请号：US12659153

申请日：2010-02-26

申请人： Kyoung-seok Son ,  Jang-yeon Kwon ,  Hyoung-sub Kim ,  Hoo-jeong Lee ,  Mi-ran Moon ,  Kyung Park

发明人： Kyoung-seok Son ,  Jang-yeon Kwon ,  Hyoung-sub Kim ,  Hoo-jeong Lee ,  Mi-ran Moon ,  Kyung Park

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/44

CPC分类号： H01L29/7869

摘要： Example embodiments relate to thin-film transistors (TFT) and methods for fabricating the same. A thin-film transistor according to example embodiments may include a gate, a gate insulation layer, a channel layer including a first oxide semiconductor layer and a second oxide semiconductor layer, and a source and drain on opposite sides of the channel layer. The first oxide semiconductor layer may have relatively large crystal grains compared to the second oxide semiconductor layer.

摘要翻译： 示例性实施例涉及薄膜晶体管（TFT）及其制造方法。 根据示例性实施例的薄膜晶体管可以包括栅极，栅极绝缘层，包括第一氧化物半导体层和第二氧化物半导体层的沟道层，以及在沟道层的相对侧上的源极和漏极。 与第二氧化物半导体层相比，第一氧化物半导体层可以具有相对较大的晶粒。