公开(公告)号：US20120104412A1

公开(公告)日：2012-05-03

申请号：US13349342

申请日：2012-01-12

申请人： Hong Zhong ,  Anurag Tyagi ,  Kenneth J. Vampola ,  James S. Speck ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura

发明人： Hong Zhong ,  Anurag Tyagi ,  Kenneth J. Vampola ,  James S. Speck ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura

IPC分类号： H01L33/32 ,  H01L33/58

CPC分类号： H01L33/22 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/10 ,  H01L33/18 ,  H01L33/20 ,  H01L33/32 ,  H01L2933/0083

摘要： A III-nitride light emitting diode (LED) and method of fabricating the same, wherein at least one surface of a semipolar or nonpolar plane of a III-nitride layer of the LED is textured, thereby forming a textured surface in order to increase light extraction. The texturing may be performed by plasma assisted chemical etching, photolithography followed by etching, or nano-imprinting followed by etching.

摘要翻译： III族氮化物发光二极管（LED）及其制造方法，其中LED的III族氮化物层的半极性或非极性面的至少一个表面被纹理化，从而形成纹理表面以增加光 萃取。 纹理可以通过等离子体辅助化学蚀刻，光刻，然后进行蚀刻或纳米压印，然后蚀刻来进行。

公开(公告)号：US20090146170A1

公开(公告)日：2009-06-11

申请号：US12325946

申请日：2008-12-01

申请人： Hong Zhong ,  Anurag Tyagi ,  Kenneth J. Vampola ,  James S. Speck ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura

发明人： Hong Zhong ,  Anurag Tyagi ,  Kenneth J. Vampola ,  James S. Speck ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L21/18

CPC分类号： H01L33/22 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/10 ,  H01L33/18 ,  H01L33/20 ,  H01L33/32 ,  H01L2933/0083

摘要： A III-nitride light emitting diode (LED) and method of fabricating the same, wherein at least one surface of a semipolar or nonpolar plane of a III-nitride layer of the LED is textured, thereby forming a textured surface in order to increase light extraction. The texturing may be performed by plasma assisted chemical etching, photolithography followed by etching, or nano-imprinting followed by etching.

摘要翻译： III族氮化物发光二极管（LED）及其制造方法，其中LED的III族氮化物层的半极性或非极性面的至少一个表面被纹理化，从而形成纹理表面以增加光 萃取。 纹理可以通过等离子体辅助化学蚀刻，光刻，然后进行蚀刻或纳米压印，然后进行蚀刻来进行。

公开(公告)号：US08835200B2

公开(公告)日：2014-09-16

申请号：US13349342

申请日：2012-01-12

申请人： Hong Zhong ,  Anurag Tyagi ,  Kenneth J. Vampola ,  James S. Speck ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura

发明人： Hong Zhong ,  Anurag Tyagi ,  Kenneth J. Vampola ,  James S. Speck ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura

IPC分类号： H01L33/32 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L33/22 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/10 ,  H01L33/18 ,  H01L33/20 ,  H01L33/32 ,  H01L2933/0083

摘要： A III-nitride light emitting diode (LED) and method of fabricating the same, wherein at least one surface of a semipolar or nonpolar plane of a III-nitride layer of the LED is textured, thereby forming a textured surface in order to increase light extraction. The texturing may be performed by plasma assisted chemical etching, photolithography followed by etching, or nano-imprinting followed by etching.

摘要翻译： III族氮化物发光二极管（LED）及其制造方法，其中LED的III族氮化物层的半极性或非极性面的至少一个表面被纹理化，从而形成纹理表面以增加光 萃取。 纹理可以通过等离子体辅助化学蚀刻，光刻，然后进行蚀刻或纳米压印，然后蚀刻来进行。

公开(公告)号：US08114698B2

公开(公告)日：2012-02-14

申请号：US12325946

申请日：2008-12-01

申请人： Hong Zhong ,  Anurag Tyagi ,  Kenneth J. Vampola ,  James S. Speck ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura

发明人： Hong Zhong ,  Anurag Tyagi ,  Kenneth J. Vampola ,  James S. Speck ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L33/22 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/10 ,  H01L33/18 ,  H01L33/20 ,  H01L33/32 ,  H01L2933/0083

摘要： A III-nitride light emitting diode (LED) and method of fabricating the same, wherein at least one surface of a semipolar or nonpolar plane of a III-nitride layer of the LED is textured, thereby forming a textured surface in order to increase light extraction. The texturing may be performed by plasma assisted chemical etching, photolithography followed by etching, or nano-imprinting followed by etching.

摘要翻译： III族氮化物发光二极管（LED）及其制造方法，其中LED的III族氮化物层的半极性或非极性面的至少一个表面被纹理化，从而形成纹理表面以增加光 萃取。 纹理可以通过等离子体辅助化学蚀刻，光刻，然后进行蚀刻或纳米压印，然后蚀刻来进行。