利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册

搜索结果

26 条记录 (耗时 0.019 秒)

    Method for Forming Fine Pattern of Semiconductor Device
    2.
    发明申请
    Method for Forming Fine Pattern of Semiconductor Device 失效
    形成半导体器件精细图案的方法

    公开(公告)号：US20080272467A1

    公开(公告)日：2008-11-06

    申请号：US11964988

    申请日：2007-12-27

    申请人： Cheol Kyu Bok ,  Keun Do Ban

    发明人： Cheol Kyu Bok ,  Keun Do Ban

    IPC分类号： H01L21/306 ,  H01L29/06

    CPC分类号： H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  Y10S438/952

    摘要： A method for forming a fine pattern of a semiconductor device includes forming a deposition film over a substrate having an underlying layer. The deposition film includes first, second, and third mask films. The method also includes forming a photoresist pattern over the third mask film, patterning the third mask film to form a deposition pattern, and forming an amorphous carbon pattern at sidewalls of the deposition pattern. The method further includes filling a spin-on-carbon layer over the deposition pattern and the amorphous carbon pattern, polishing the spin-on-carbon layer, the amorphous carbon pattern, and the photoresist pattern to expose the third mask pattern, and performing an etching process to expose the first mask film with the amorphous carbon pattern as an etching mask. The etching process removes the third mask pattern and the exposed second mask pattern. The method also includes removing the spin-on-carbon layer and the amorphous carbon pattern, and forming a first mask pattern with the second mask pattern as an etching mask.

    摘要翻译： 用于形成半导体器件的精细图案的方法包括在具有下层的衬底上形成沉积膜。 沉积膜包括第一，第二和第三掩模膜。 该方法还包括在第三掩模膜上形成光致抗蚀剂图案，图案化第三掩模膜以形成沉积图案，并在沉积图案的侧壁处形成无定形碳图案。 该方法还包括在沉积图案和无定形碳图案上填充旋涂碳层，研磨自旋碳层，无定形碳图案和光致抗蚀剂图案以暴露第三掩模图案，并执行 蚀刻工艺以将无定形碳图案的第一掩模膜暴露为蚀刻掩模。 蚀刻工艺去除第三掩模图案和暴露的第二掩模图案。 该方法还包括除去碳 - 碳层和无定形碳图案，并且用第二掩模图案形成第一掩模图案作为蚀刻掩模。

    METHOD FOR FORMING PATTERN OF SEMICONDUCTOR DEVICE
    4.
    发明申请
    METHOD FOR FORMING PATTERN OF SEMICONDUCTOR DEVICE 有权
    形成半导体器件图案的方法

    公开(公告)号：US20100248153A1

    公开(公告)日：2010-09-30

    申请号：US12473242

    申请日：2009-05-27

    申请人： Ki Lyoung Lee ,  Cheol Kyu Bok ,  Keun Do Ban

    发明人： Ki Lyoung Lee ,  Cheol Kyu Bok ,  Keun Do Ban

    IPC分类号： G03F7/20

    CPC分类号： H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/32139

    摘要： A method for forming a pattern of a semiconductor device is provided. Specifically, in a method for manufacturing a NAND flash memory device using a spacer patterning process, a dummy pattern, which is not used in an actual device operation, is additionally formed in a peripheral circuit region when a photoresist pattern for forming a string pattern is formed in a cell region. As a result, the edge photoresist pattern is prevented from being bent, and a critical dimension difference between the center region and the edge region of the photoresist pattern lo is not generated, thereby improving a margin of DOF to obtain a reliable semiconductor device.

    摘要翻译： 提供了形成半导体器件的图案的方法。 具体地，在使用间隔物图案化工艺的NAND闪速存储器件的制造方法中，当用于形成线图案的光致抗蚀剂图案是（...）形状时，在外围电路区域中另外形成不用于实际器件操作的虚拟图案 形成在细胞区域中。 结果，防止边缘光致抗蚀剂图案弯曲，并且不产生光致抗蚀剂图案lo的中心区域和边缘区域之间的临界尺寸差异，从而提高DOF的余量以获得可靠的半导体器件。

    Method for forming a photoresist pattern
    5.
    发明授权
    Method for forming a photoresist pattern 有权
    形成光致抗蚀剂图案的方法

    公开(公告)号：US07781145B2

    公开(公告)日：2010-08-24

    申请号：US11935184

    申请日：2007-11-05

    申请人： Geun Su Lee ,  Sam Young Kim ,  Keun Do Ban

    发明人： Geun Su Lee ,  Sam Young Kim ,  Keun Do Ban

    IPC分类号： G03F7/004

    CPC分类号： G03F7/322 ,  C11D1/004 ,  C11D11/0047

    摘要： Disclosed herein are photoresist cleaning solutions useful for cleaning a semiconductor substrate in the last step of a developing step when photoresist patterns are formed. Also disclosed herein are methods for forming photoresist patterns using the solutions. The cleaning solutions of the present invention include H2O as a primary component, a surfactant as an additive, and optionally an alcohol compound. The cleaning solution of the present invention has lower surface tension than that of distilled water which has been used for conventional cleaning solutions, thereby improving resistance to pattern collapse and stabilizing the photoresist pattern formation.

    摘要翻译： 本文公开了当形成光致抗蚀剂图案时在显影步骤的最后步骤中用于清洁半导体衬底的光致抗蚀剂清洁溶液。 本文还公开了使用该溶液形成光致抗蚀剂图案的方法。 本发明的清洗溶液包括作为主要成分的H 2 O，作为添加剂的表面活性剂和任选的醇化合物。 本发明的清洗液比常规清洗液使用的蒸馏水具有更低的表面张力，从而提高了图案的崩溃性和稳定光刻胶图形的形成。

    Semiconductor device and method for forming pattern in the same
    6.
    发明授权
    Semiconductor device and method for forming pattern in the same 失效
    用于在其中形成图案的半导体器件和方法

    公开(公告)号：US07776747B2

    公开(公告)日：2010-08-17

    申请号：US11759055

    申请日：2007-06-06

    申请人： Keun Do Ban ,  Cheol Kyu Bok ,  Jun Hyeub Sun

    发明人： Keun Do Ban ,  Cheol Kyu Bok ,  Jun Hyeub Sun

    IPC分类号： H01L21/302 ,  H01L21/461

    CPC分类号： H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/31144

    摘要： A method for forming a fine pattern of a semiconductor device includes forming a first hard mask layer over a semiconductor substrate, forming a second hard mask layer pattern over the first hard mask layer, forming a spacer on a sidewall of the second hard mask layer pattern, selectively etching the first hard mask layer by using the spacer and the second hard mask layer pattern as an etching mask to form a first hard mask layer pattern, forming a first insulating film filling the second hard mask layer pattern and the first hard mask layer pattern, selectively etching the second hard mask layer pattern and the underlying first hard mask layer pattern to form a third hard mask layer pattern, removing the first insulating film and the spacer, and patterning the semiconductor substrate by using the third hard mask layer pattern as an etching mask to form a fine pattern.

    摘要翻译： 一种用于形成半导体器件的精细图案的方法包括在半导体衬底上形成第一硬掩模层，在第一硬掩模层上形成第二硬掩模层图案，在第二硬掩模层图案的侧壁上形成间隔物 通过使用间隔物和第二硬掩模层图案作为蚀刻掩模选择性蚀刻第一硬掩模层以形成第一硬掩模层图案，形成填充第二硬掩模层图案的第一绝缘膜和第一硬掩模层 选择性蚀刻第二硬掩模层图案和下面的第一硬掩模层图案以形成第三硬掩模层图案，去除第一绝缘膜和间隔物，并且通过使用第三硬掩模层图案将半导体基板图案化为 蚀刻掩模以形成精细图案。

    Method for forming a pattern of a semiconductor device
    7.
    发明授权
    Method for forming a pattern of a semiconductor device 有权
    用于形成半导体器件的图案的方法

    公开(公告)号：US07651950B2

    公开(公告)日：2010-01-26

    申请号：US12165388

    申请日：2008-06-30

    申请人： Keun Do Ban

    发明人： Keun Do Ban

    IPC分类号： H01L21/302 ,  H01L21/461

    CPC分类号： H01L21/32139 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L27/105 ,  H01L27/1052

    摘要： In a method for forming a fine pattern of a semiconductor device, forming a spacer for double patterning of a cell region is performed separate from forming a mask pattern that defines a dummy pattern for a pad of a peripheral circuit region.

    摘要翻译： 在形成半导体器件的精细图案的方法中，形成用于单元区域的双重图案化的间隔物与形成限定用于外围电路区域的焊盘的虚拟图案的掩模图案分离地执行。

    Forming fine pattern of semiconductor device using three mask layers and CMP of spin-on carbon layer
    8.
    发明授权
    Forming fine pattern of semiconductor device using three mask layers and CMP of spin-on carbon layer 失效
    使用三个掩模层和旋涂碳层的CMP形成半导体器件的精细图案

    公开(公告)号：US07615497B2

    公开(公告)日：2009-11-10

    申请号：US11964988

    申请日：2007-12-27

    申请人： Cheol Kyu Bok ,  Keun Do Ban

    发明人： Cheol Kyu Bok ,  Keun Do Ban

    IPC分类号： H01L21/306 ,  H01L29/06

    CPC分类号： H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  Y10S438/952

    摘要： A method for forming a fine pattern of a semiconductor device includes forming a deposition film over a substrate having an underlying layer. The deposition film includes first, second, and third mask films. The method also includes forming a photoresist pattern over the third mask film, patterning the third mask film to form a deposition pattern, and forming an amorphous carbon pattern at sidewalls of the deposition pattern. The method further includes filling a spin-on-carbon layer over the deposition pattern and the amorphous carbon pattern, polishing the spin-on-carbon layer, the amorphous carbon pattern, and the photoresist pattern to expose the third mask pattern, and performing an etching process to expose the first mask film with the amorphous carbon pattern as an etching mask. The etching process removes the third mask pattern and the exposed second mask pattern. The method also includes removing the spin-on-carbon layer and the amorphous carbon pattern, and forming a first mask pattern with the second mask pattern as an etching mask.

    摘要翻译： 用于形成半导体器件的精细图案的方法包括在具有下层的衬底上形成沉积膜。 沉积膜包括第一，第二和第三掩模膜。 该方法还包括在第三掩模膜上形成光致抗蚀剂图案，图案化第三掩模膜以形成沉积图案，并在沉积图案的侧壁处形成无定形碳图案。 该方法还包括在沉积图案和无定形碳图案上填充旋涂碳层，研磨自旋碳层，无定形碳图案和光致抗蚀剂图案以暴露第三掩模图案，并执行 蚀刻工艺以将无定形碳图案的第一掩模膜暴露为蚀刻掩模。 蚀刻工艺去除第三掩模图案和暴露的第二掩模图案。 该方法还包括除去碳 - 碳层和无定形碳图案，并且用第二掩模图案形成第一掩模图案作为蚀刻掩模。

    Method for Manufacturing a Semiconductor Device
    9.
    发明申请
    Method for Manufacturing a Semiconductor Device 失效
    半导体器件的制造方法

    公开(公告)号：US20090170275A1

    公开(公告)日：2009-07-02

    申请号：US12147135

    申请日：2008-06-26

    申请人： Keun Do Ban

    发明人： Keun Do Ban

    IPC分类号： H01L21/764

    CPC分类号： H01L21/823487 ,  H01L27/10876 ,  H01L27/10885 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/7827

    摘要： A method for manufacturing a semiconductor device includes forming a spin-on-carbon (SOC) film that facilitates a low temperature baking process, can prevent collapse of vertical transistors while forming a bit line, thereby providing a more simple manufacturing method and improving manufacturing yields.

    摘要翻译： 一种半导体器件的制造方法，其特征在于，形成有助于低温烧成工序的自旋碳（SOC）膜，能够在形成位线的同时防止垂直晶体管的塌陷，从而提供更简单的制造方法并提高制造成品率 。

    METHOD FOR MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE
    10.
    发明申请
    METHOD FOR MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE 失效
    制造半导体器件的方法

    公开(公告)号：US20090162795A1

    公开(公告)日：2009-06-25

    申请号：US12266459

    申请日：2008-11-06

    申请人： Ki Lyoung LEE ,  Cheol Kyu BOK ,  Keun Do BAN ,  Jung Gun HEO

    发明人： Ki Lyoung LEE ,  Cheol Kyu BOK ,  Keun Do BAN ,  Jung Gun HEO

    IPC分类号： G03F7/20

    CPC分类号： H01L21/308 ,  H01L21/0337

    摘要： A method for manufacturing a semiconductor device includes forming an etch-target layer over a semiconductor substrate having a lower structure, forming a first mask pattern over the etch-target layer, forming a spacer material layer with a uniform thickness over the etch-target layer including the first mask pattern, forming a second mask pattern on an indented region of the space material layer, and etching the etch-target layer with the first mask pattern and the second mask pattern as an etch mask to form a fine pattern.

    摘要翻译： 一种用于制造半导体器件的方法包括在具有较低结构的半导体衬底上形成蚀刻目标层，在蚀刻靶层上形成第一掩模图案，在蚀刻靶层上形成均匀厚度的间隔物材料层 包括第一掩模图案，在空间材料层的凹入区域上形成第二掩模图案，并且用第一掩模图案和第二掩模图案蚀刻蚀刻目标层作为蚀刻掩模以形成精细图案。