公开(公告)号：US07687799B2

公开(公告)日：2010-03-30

申请号：US12214737

申请日：2008-06-19

申请人： Mantu K. Hudait ,  Peter G. Tolchinsky ,  Loren A. Chow ,  Dmitri Loubychev ,  Joel M. Fastenau ,  Amy W. K. Liu

发明人： Mantu K. Hudait ,  Peter G. Tolchinsky ,  Loren A. Chow ,  Dmitri Loubychev ,  Joel M. Fastenau ,  Amy W. K. Liu

IPC分类号： H01L31/00 ,  H01L21/338

CPC分类号： H01L21/02546 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02466 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0251 ,  H01L29/127 ,  H01L29/205 ,  H01L29/66462

摘要： Methods and associated structures of forming a microelectronic device are described. Those methods may include forming a GaSb nucleation layer on a substrate, forming a Ga(Al)AsSb buffer layer on the GaSb nucleation layer, forming an In0.52Al0.48As bottom barrier layer on the Ga(Al)AsSb buffer layer, and forming a graded InxAl1-xAs layer on the In0.52Al0.48As bottom barrier layer thus enabling the fabrication of low defect, device grade InGaAs based quantum well structures.

摘要翻译： 描述形成微电子器件的方法和相关结构。 这些方法可以包括在衬底上形成GaSb成核层，在GaSb成核层上形成Ga（Al）AsSb缓冲层，在Ga（Al）AsSb缓冲层上形成In0.52Al0.48As底部阻挡层，并形成 因此In0.52Al0.48As底部阻挡层上的渐变InxAl1-xAs层因此能够制造低缺陷，基于器件级InGaAs的量子阱结构。

公开(公告)号：US4966138A

公开(公告)日：1990-10-30

申请号：US330419

申请日：1989-03-29

申请人： Peter P. Chow ,  Josephine N. Lo ,  Loren A. Chow

发明人： Peter P. Chow ,  Josephine N. Lo ,  Loren A. Chow

IPC分类号： A61B19/04 ,  A61F13/00 ,  A61F13/02 ,  A61F13/15 ,  A61M5/32

CPC分类号： A61M5/3205 ,  A61B42/00 ,  A61F13/023 ,  A61F13/0246 ,  A61F2013/00297 ,  A61F2013/00306 ,  A61F2013/00408 ,  A61F2013/15081 ,  Y10S128/919

摘要： A puncture protector having a flexible backing with adhesive on one side thereof and a shielding arrangement for blocking passage of needles, both of which can be conformed to that portion of the body of the needle user, often the fingers, which is desired to be protected.

摘要翻译： 一种穿刺保护器，其具有在其一侧上具有粘合剂的柔性背衬和用于阻止针的通过的屏蔽装置，两者都可以与针使用者的身体的那部分一致，通常是希望被保护的手指 。

公开(公告)号：US08617945B2

公开(公告)日：2013-12-31

申请号：US13366143

申请日：2012-02-03

申请人： Mantu K. Hudait ,  Mohamad A. Shaheen ,  Loren A. Chow ,  Peter G. Tolchinsky ,  Joel M. Fastenau ,  Dmitri Loubychev ,  Amy W. K. Liu

发明人： Mantu K. Hudait ,  Mohamad A. Shaheen ,  Loren A. Chow ,  Peter G. Tolchinsky ,  Joel M. Fastenau ,  Dmitri Loubychev ,  Amy W. K. Liu

IPC分类号： H01L21/338

CPC分类号： H01L29/7785 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02466 ,  H01L21/02549 ,  H01L21/02617 ,  H01L29/66462

摘要： A stacking fault and twin blocking barrier for forming a III-V device layer on a silicon substrate and the method of manufacture is described. Embodiments of the present invention enable III-V InSb device layers with defect densities below 1×108 cm−2 to be formed on silicon substrates. In an embodiment of the present invention, a buffer layer is positioned between a III-V device layer and a silicon substrate to glide dislocations. In an embodiment of the present invention, GaSb buffer layer is selected on the basis of lattice constant, band gap, and melting point to prevent many lattice defects from propagating out of the buffer into the III-V device layer. In a specific embodiment, a III-V InSb device layer is formed directly on the GaSb buffer.

摘要翻译： 描述了在硅衬底上形成III-V器件层的层叠故障和双阻挡屏障及其制造方法。 本发明的实施方案能够在硅衬底上形成缺陷密度低于1×10 8 cm -2的III-V InSb器件层。 在本发明的实施例中，缓冲层位于III-V器件层和硅衬底之间以滑动位错。 在本发明的一个实施例中，基于晶格常数，带隙和熔点选择GaSb缓冲层，以防止许多晶格缺陷从缓冲器传播到III-V器件层中。 在具体实施例中，III-V InSb器件层直接形成在GaSb缓冲器上。

公开(公告)号：US07494911B2

公开(公告)日：2009-02-24

申请号：US11527785

申请日：2006-09-27

申请人： Mantu K. Hudait ,  Mohamad A. Shaheen ,  Loren A. Chow ,  Peter G. Tolchinsky ,  Joel M. Fastenau ,  Dmitri Loubychev ,  Amy W. K. Liu

发明人： Mantu K. Hudait ,  Mohamad A. Shaheen ,  Loren A. Chow ,  Peter G. Tolchinsky ,  Joel M. Fastenau ,  Dmitri Loubychev ,  Amy W. K. Liu

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/20 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L29/7784 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02466 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02549 ,  H01L29/045 ,  H01L29/201 ,  H01L29/205 ,  H01L29/66462

摘要： Various embodiments proved a buffer layer that is grown over a silicon substrate that provides desirable isolation for devices formed relative to III-V material device layers, such as InSb-based devices, as well as bulk thin film grown on a silicon substrate. In addition, the buffer layer can mitigate parallel conduction issues between transistor devices and the silicon substrate. In addition, the buffer layer addresses and mitigates lattice mismatches between the film relative to which the transistor is formed and the silicon substrate.

摘要翻译： 各种实施例证明了在硅衬底上生长的缓冲层，其为相对于III-V材料器件层（例如基于InSb的器件）形成的器件以及在硅衬底上生长的体薄膜提供期望的隔离。 此外，缓冲层可以减轻晶体管器件和硅衬底之间的并联传导问题。 此外，缓冲层解决了薄膜相对于其形成晶体管和硅衬底之间的晶格失配。

公开(公告)号：US20080032478A1

公开(公告)日：2008-02-07

申请号：US11498901

申请日：2006-08-02

申请人： Mantu K. Hudait ,  Mohamad A. Shaheen ,  Loren A. Chow ,  Peter G. Tolchinsky ,  Joel M. Fastenau ,  Dmitri Loubychev ,  Amy W.K. Liu

发明人： Mantu K. Hudait ,  Mohamad A. Shaheen ,  Loren A. Chow ,  Peter G. Tolchinsky ,  Joel M. Fastenau ,  Dmitri Loubychev ,  Amy W.K. Liu

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7785 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02466 ,  H01L21/02549 ,  H01L21/02617 ,  H01L29/66462

摘要： A stacking fault and twin blocking barrier for forming a III-V device layer on a silicon substrate and the method of manufacture is described. Embodiments of the present invention enable III-V InSb device layers with defect densities below 1×108 cm−2 to be formed on silicon substrates. In an embodiment of the present invention, a buffer layer is positioned between a III-V device layer and a silicon substrate to glide dislocations. In an embodiment of the present invention, GaSb buffer layer is selected on the basis of lattice constant, band gap, and melting point to prevent many lattice defects from propagating out of the buffer into the III-V device layer. In a specific embodiment, a III-V InSb device layer is formed directly on the GaSb buffer.

摘要翻译： 描述了在硅衬底上形成III-V器件层的层叠故障和双阻挡屏障及其制造方法。 本发明的实施方案能够在硅衬底上形成缺陷密度低于1×10 8 cm -2的III-V InSb器件层。 在本发明的实施例中，缓冲层位于III-V器件层和硅衬底之间以滑动位错。 在本发明的一个实施例中，基于晶格常数，带隙和熔点选择GaSb缓冲层，以防止许多晶格缺陷从缓冲器传播到III-V器件层中。 在具体实施例中，III-V InSb器件层直接形成在GaSb缓冲器上。

公开(公告)号：US06876081B2

公开(公告)日：2005-04-05

申请号：US10659068

申请日：2003-09-08

申请人： Loren A. Chow

发明人： Loren A. Chow

IPC分类号： H01L21/318 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532 ,  H01L23/48

CPC分类号： H01L23/5329 ,  H01L21/318 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76885 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： An apparatus including a contact point formed on a device layer of a circuit substrate or interconnect layer on a substrate; a first dielectric layer including cubic boron nitride on the substrate; and a different second dielectric layer on the substrate and separated from the device layer by the first dielectric layer. Also, an apparatus including a circuit substrate including a device layer and a composite dielectric layer. The composite dielectric includes a first dielectric material including cubic boron nitride and a different second dielectric material. The first dielectric material surrounds the second dielectric material.

摘要翻译： 一种装置，包括形成在基板上的电路基板或互连层的器件层上的接触点; 在基板上包括立方氮化硼的第一电介质层; 以及衬底上的不同的第二电介质层，并且通过第一介电层与器件层分离。 而且，一种包括电路基板的装置，包括装置层和复合电介质层。 复合电介质包括包括立方氮化硼和不同的第二电介质材料的第一电介质材料。 第一电介质材料围绕第二电介质材料。

公开(公告)号：US5031229A

公开(公告)日：1991-07-09

申请号：US406785

申请日：1989-09-13

申请人： Loren A. Chow

发明人： Loren A. Chow

IPC分类号： C23C14/24 ,  F27B14/00 ,  F27B14/10 ,  F27B14/12 ,  F27B14/14 ,  F27D99/00

CPC分类号： F27B14/12 ,  C23C14/243 ,  F27B14/14 ,  F27B14/10 ,  F27B2014/004 ,  F27D2099/0008

摘要： A gaseous deposition source for providing a deposition material that emanates from a crucible having mulitple thin film heating elements formed thereon, with each adjacent pair being separated by an insulating layer therebetween. A gaseous deposition source can have a crucible with a cover thereon with one or more apertures therein and with thin film heating elements on that cover about such apertures. A substrate heater may be used formed of thin film heating elements provided on a base.

摘要翻译： 一种气相沉积源，用于提供从其上形成有多个薄膜加热元件的坩埚发出的沉积材料，每个相邻的对由它们之间的绝缘层分隔开。 气体沉积源可以具有其上具有一个或多个孔的盖的坩埚，并且在该盖周围的薄膜加热元件围绕这样的孔。 基板加热器可以由设置在基座上的薄膜加热元件形成。

公开(公告)号：US4997422A

公开(公告)日：1991-03-05

申请号：US304324

申请日：1989-01-31

申请人： Peter P. Chow ,  Josephine N. Lo ,  Loren A. Chow

发明人： Peter P. Chow ,  Josephine N. Lo ,  Loren A. Chow

IPC分类号： A61M5/32

CPC分类号： A61M5/3243

摘要： A needle shielding device attachable to a hypodermic syringe for protecting a user from contacting the tip of a needle. The device comprises a generally cylindrical needle shield slidably engaging a syringe body for protecting a user from being stuck by the needle tip of the syringe. The needle shield continuously frictionally engages and grips the syringe body as the shield is moved between a retracted position wherein the needle extends forwardly of the needle shield and a extended position wherein the needle tip is protectively enclosed by the needle shield.

摘要翻译： 一种可用于防止使用者接触针头的皮下注射器的针头屏蔽装置。 该装置包括可滑动地接合注射器主体的大致圆柱形的针护罩，用于保护使用者不被注射器的针尖卡住。 当护罩在缩回位置之间移动时，针护罩连续地摩擦地接合并握住注射器主体，其中针在针护罩向前延伸的延伸位置和针尖被针护罩保护性地封闭的延伸位置。

公开(公告)号：US20120142166A1

公开(公告)日：2012-06-07

申请号：US13366143

申请日：2012-02-03

申请人： Mantu K. Hudait ,  Mohamad A. Shaheen ,  Loren A. Chow ,  Peter G. Tolchinsky ,  Joel M. Fastenau ,  Dmitri Loubychev ,  Amy W.K. Liu

发明人： Mantu K. Hudait ,  Mohamad A. Shaheen ,  Loren A. Chow ,  Peter G. Tolchinsky ,  Joel M. Fastenau ,  Dmitri Loubychev ,  Amy W.K. Liu

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L29/7785 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02466 ,  H01L21/02549 ,  H01L21/02617 ,  H01L29/66462

摘要： A stacking fault and twin blocking barrier for forming a III-V device layer on a silicon substrate and the method of manufacture is described. Embodiments of the present invention enable III-V InSb device layers with defect densities below 1×108cm−2 to be formed on silicon substrates. In an embodiment of the present invention, a buffer layer is positioned between a III-V device layer and a silicon substrate to glide dislocations. In an embodiment of the present invention, GaSb buffer layer is selected on the basis of lattice constant, band gap, and melting point to prevent many lattice defects from propagating out of the buffer into the III-V device layer. In a specific embodiment, a III-V InSb device layer is formed directly on the GaSb buffer.

摘要翻译： 描述了在硅衬底上形成III-V器件层的层叠故障和双阻挡屏障及其制造方法。 本发明的实施方案能够在硅衬底上形成缺陷密度低于1×108cm-2的III-V InSb器件层。 在本发明的实施例中，缓冲层位于III-V器件层和硅衬底之间以滑动位错。 在本发明的一个实施例中，基于晶格常数，带隙和熔点选择GaSb缓冲层，以防止许多晶格缺陷从缓冲器传播到III-V器件层中。 在具体实施例中，III-V InSb器件层直接形成在GaSb缓冲器上。

公开(公告)号：US07851781B2

公开(公告)日：2010-12-14

申请号：US12378407

申请日：2009-02-13

申请人： Mantu K. Hudait ,  Mohamad A. Shaheen ,  Loren A. Chow ,  Peter G. Tolchinsky ,  Joel M. Fastenau ,  Dmitri Loubychev ,  Amy W. K. Liu

发明人： Mantu K. Hudait ,  Mohamad A. Shaheen ,  Loren A. Chow ,  Peter G. Tolchinsky ,  Joel M. Fastenau ,  Dmitri Loubychev ,  Amy W. K. Liu

IPC分类号： H01L31/00

CPC分类号： H01L29/7784 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02466 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02549 ,  H01L29/045 ,  H01L29/201 ,  H01L29/205 ,  H01L29/66462

摘要： Various embodiments provide a buffer layer that is grown over a silicon substrate that provides desirable device isolation for devices formed relative to III-V material device layers, such as InSb-based devices, as well as bulk thin film grown on a silicon substrate. In addition, the buffer layer can mitigate parallel conduction issues between transistor devices and the silicon substrate. In addition, the buffer layer addresses and mitigates lattice mismatches between the film relative to which the transistor is formed and the silicon substrate.

摘要翻译： 各种实施例提供了在硅衬底上生长的缓冲层，其为相对于III-V材料器件层（例如基于InSb的器件）形成的器件以及在硅衬底上生长的体薄膜提供期望的器件隔离。 此外，缓冲层可以减轻晶体管器件和硅衬底之间的并联传导问题。 此外，缓冲层解决了薄膜相对于其形成晶体管和硅衬底之间的晶格失配。