公开(公告)号：US20080042162A1

公开(公告)日：2008-02-21

申请号：US11907280

申请日：2007-10-10

申请人： Hideki Hirayama ,  Sohachi Iwai ,  Yoshinobu Aoyagi

发明人： Hideki Hirayama ,  Sohachi Iwai ,  Yoshinobu Aoyagi

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/007 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262

摘要： An object is to provide an ultraviolet light-emitting device in which a p-type semiconductor which has high conductivity and an emission peak in ultraviolet region, and emits light efficiently is used. The p-type semiconductor is prepared by supplying a p-type impurity raw material at the same time or after starting supply of predetermined types of crystal raw materials, besides before starting supply of other types of crystal raw materials than the predetermined types of crystal raw materials in one cycle wherein all the types of crystal raw materials of the plural types of crystal raw materials are supplied in one time each in case of making crystal growth by supplying alternately the plural types of crystal raw materials in a pulsed manner.

摘要翻译： 本发明的目的是提供一种紫外线发光装置，其中使用在紫外线区域具有高导电性和发光峰值并有效发光的p型半导体。 p型半导体是通过在预定类型的晶体原料之前同时或者开始供应预定类型的晶体原料之后提供p型杂质原料而制备的，此外，除了开始供应比预定类型的晶体原料之外的其它类型的晶体原料 在一个循环中的材料，其中在通过以脉冲方式交替提供多种类型的晶体原料进行晶体生长的情况下，一次性地供给多种类型的晶体原料的所有类型的晶体原料。

公开(公告)号：US07309394B2

公开(公告)日：2007-12-18

申请号：US10626661

申请日：2003-07-25

申请人： Hideki Hirayama ,  Sohachi Iwai ,  Yoshinobu Aoyagi

发明人： Hideki Hirayama ,  Sohachi Iwai ,  Yoshinobu Aoyagi

IPC分类号： C30B29/30

CPC分类号： H01L33/007 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262

摘要： An object is to provide an ultraviolet light-emitting device in which a p-type semiconductor which has high conductivity and an emission peak in ultraviolet region, and emits light efficiently is used. The p-type semiconductor is prepared by supplying a p-type impurity raw material at the same time or after starting supply of predetermined types of crystal raw materials, besides before starting supply of other types of crystal raw materials than the predetermined types of crystal raw materials in one cycle wherein all the types of crystal raw materials of the plural types of crystal raw materials are supplied in one time each in case of making crystal growth by supplying alternately the plural types of crystal raw materials in a pulsed manner.

摘要翻译： 本发明的目的是提供一种紫外线发光装置，其中使用在紫外线区域具有高导电性和发光峰值并有效发光的p型半导体。 p型半导体是通过在预定类型的晶体原料之前同时或者开始供应预定类型的晶体原料之后提供p型杂质原料而制备的，此外，除了开始供应比预定类型的晶体原料之外的其它类型的晶体原料 在一个循环中的材料，其中在通过以脉冲方式交替提供多种类型的晶体原料进行晶体生长的情况下，一次性地供给多种类型的晶体原料的所有类型的晶体原料。

公开(公告)号：US07691202B2

公开(公告)日：2010-04-06

申请号：US11907280

申请日：2007-10-10

申请人： Hideki Hirayama ,  Sohachi Iwai ,  Yoshinobu Aoyagi

发明人： Hideki Hirayama ,  Sohachi Iwai ,  Yoshinobu Aoyagi

IPC分类号： C30B25/14

CPC分类号： H01L33/007 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262

摘要： An object is to provide an ultraviolet light-emitting device in which a p-type semiconductor which has high conductivity and an emission peak in ultraviolet region, and emits light efficiently is used. The p-type semiconductor is prepared by supplying a p-type impurity raw material at the same time or after starting supply of predetermined types of crystal raw materials, besides before starting supply of other types of crystal raw materials than the predetermined types of crystal raw materials in one cycle wherein all the types of crystal raw materials of the plural types of crystal raw materials are supplied in one time each in case of making crystal growth by supplying alternately the plural types of crystal raw materials in a pulsed manner.

摘要翻译： 本发明的目的是提供一种紫外线发光装置，其中使用在紫外线区域具有高导电性和发光峰值并有效发光的p型半导体。 p型半导体是通过在预定类型的晶体原料之前同时或者开始供应预定类型的晶体原料之后提供p型杂质原料而制备的，此外，除了开始供应比预定类型的晶体原料之外的其它类型的晶体原料 在一个循环中的材料，其中在通过以脉冲方式交替提供多种类型的晶体原料进行晶体生长的情况下，一次性地供给多种类型的晶体原料的所有类型的晶体原料。