公开(公告)号：US08335243B2

公开(公告)日：2012-12-18

申请号：US12866589

申请日：2009-02-11

申请人： Stefanie Brüninghoff ,  Christoph Eichler

发明人： Stefanie Brüninghoff ,  Christoph Eichler

IPC分类号： H01S5/00

CPC分类号： H01L33/0075 ,  H01L33/20 ,  H01L33/44 ,  H01S5/0207 ,  H01S5/32341 ,  H01S2304/12

摘要： An optoelectronic semiconductor body comprises a substrate (10), which has on a first main area (12) an epitaxial semiconductor layer sequence (20), suitable for generating electromagnetic radiation, in a first region (14) and a first trench (24) in a second region (22) adjacent to the first region (14), and at least one second trench (30) arranged outside the first region (14). The invention also relates to an optoelectronic semiconductor body and a method for producing an optoelectronic semiconductor body.

摘要翻译： 一种光电子半导体本体包括在第一区域（14）和第一沟槽（24）中在第一主区域（12）上具有适于产生电磁辐射的外延半导体层序列（20）的衬底（10） 在与所述第一区域（14）相邻的第二区域（22）中，以及布置在所述第一区域（14）的外部的至少一个第二沟槽（30）。 本发明还涉及一种光电子半导体体及其制造方法。

公开(公告)号：US20110013660A1

公开(公告)日：2011-01-20

申请号：US12866589

申请日：2009-02-11

申请人： Stefanie Brüninghoff ,  Christoph Eichler

发明人： Stefanie Brüninghoff ,  Christoph Eichler

IPC分类号： H01S5/22 ,  H01L33/20 ,  H01L21/30

CPC分类号： H01L33/0075 ,  H01L33/20 ,  H01L33/44 ,  H01S5/0207 ,  H01S5/32341 ,  H01S2304/12

摘要： An optoelectronic semiconductor body comprises a substrate (10), which has on a first main area (12) an epitaxial semiconductor layer sequence (20), suitable for generating electromagnetic radiation, in a first region (14) and a first trench (24) in a second region (22) adjacent to the first region (14), and at least one second trench (30) arranged outside the first region (14). The invention also relates to an optoelectronic semiconductor body and a method for producing an optoelectronic semiconductor body.

摘要翻译： 一种光电子半导体本体包括在第一区域（14）和第一沟槽（24）中在第一主区域（12）上具有适于产生电磁辐射的外延半导体层序列（20）的衬底（10） 在与所述第一区域（14）相邻的第二区域（22）中，以及布置在所述第一区域（14）的外部的至少一个第二沟槽（30）。 本发明还涉及一种光电子半导体体及其制造方法。

公开(公告)号：US20120039072A1

公开(公告)日：2012-02-16

申请号：US13141078

申请日：2009-10-19

申请人： Alfred Lell ,  Sönke Tautz ,  Uwe Strauss ,  Martin Rudolf Behringer ,  Stefanie Brüninghoff ,  Dimitri Dini ,  Dominik Eisert ,  Christoph Eichler

发明人： Alfred Lell ,  Sönke Tautz ,  Uwe Strauss ,  Martin Rudolf Behringer ,  Stefanie Brüninghoff ,  Dimitri Dini ,  Dominik Eisert ,  Christoph Eichler

IPC分类号： H01S5/06 ,  H01S5/40

CPC分类号： H04N9/3161 ,  H01S5/005 ,  H01S5/02292 ,  H01S5/4093 ,  H04N9/3129

摘要： In at least one embodiment of the light source (1), the latter includes at least one semiconductor laser (2), which is designed to emit a primary radiation (P) of a wavelength of between 360 nm and 485 nm inclusive. Furthermore, the light source (1) comprises at least one conversion medium (3), which is arranged downstream of the semiconductor laser (2) and is designed to convert at least part of the primary radiation (P) into secondary radiation (S) of a different, greater wavelength than the primary radiation (P). The radiation (R) emitted by the light source (1) here displays an optical coherence length which amounts to at most 50 μm.

摘要翻译： 在光源（1）的至少一个实施例中，后者包括至少一个半导体激光器（2），其设计成发射波长在360nm和485nm之间的初级辐射（P）。 此外，光源（1）包括至少一个转换介质（3），其设置在半导体激光器（2）的下游，并被设计成将至少一部分初级辐射（P）转换成次级辐射（S） 具有与初级辐射（P）不同的更大的波长。 由光源（1）发射的辐射（R）在这里显示出至多50μm的光学相干长度。