公开(公告)号：US5604160A

公开(公告)日：1997-02-18

申请号：US687904

申请日：1996-07-29

申请人： Timothy J. Warfield

发明人： Timothy J. Warfield

IPC分类号： H01L21/301 ,  G01L9/00 ,  G01P1/02 ,  G01P15/08 ,  H01L21/50 ,  H01L23/02 ,  H01L23/04 ,  H01L21/60

CPC分类号： G01P15/0802 ,  G01L9/0042 ,  G01P1/023 ,  H01L21/50 ,  Y10S438/977

摘要： A cap wafer (10) is used to package semiconductor devices on a device wafer (30). Successive etching processes form a plurality of partially etched cavities (27) extending from a front surface (11) of the cap wafer (10) into the cap wafer (10). The pattern of the partially etched cavities (27) is determined in accordance with the pattern of dies (32) on the device wafer (30). The cap wafer (10) is aligned with the device wafer (30) and bonded to the device wafer (30) using a glass frit as a bonding agent. After being bonded to the device wafer (30), the cap wafer (10) is thinned from the back surface (12) until the back surface (12) of the cap wafer (10) reaches the partially etched cavities (27). The device wafer (30) is then diced into distinct dies.

摘要翻译： 盖晶片（10）用于将半导体器件封装在器件晶片（30）上。 连续蚀刻工艺形成从盖晶片（10）的前表面（11）延伸到盖晶片（10）中的多个部分蚀刻的空腔（27）。 部分蚀刻的空腔（27）的图案根据器件晶片（30）上的管芯（32）的图案来确定。 盖晶片（10）与器件晶片（30）对准，并使用玻璃料作为粘结剂与器件晶片（30）结合。 在结合到器件晶片（30）之后，帽盖晶片（10）从后表面（12）变薄，直到盖晶片（10）的后表面（12）到达部分刻蚀的腔体（27）。 然后将器件晶片（30）切成不同的管芯。

公开(公告)号：US5512163A

公开(公告)日：1996-04-30

申请号：US221591

申请日：1994-04-01

申请人： Timothy J. Warfield

发明人： Timothy J. Warfield

IPC分类号： H01L21/3105 ,  C25D15/00 ,  H01L21/463 ,  H01L21/465

CPC分类号： H01L21/31053 ,  Y10S438/97

摘要： A method for stopping a polish planarization wherein an etch-stop layer (13, 21, 31) is formed. The etch-stop layer (13, 21, 31) may be formed on a substrate (11) or on a conductive layer (12). The etch-stop layer (13, 21, 31) includes a metal and a grit material (17, 25, 35) such as a diamond powder. The etch-stop layer (13, 21, 31) serves as a stop to a mechanical polishing apparatus. The mechanical polishing apparatus removes a planarization layer (14, 22, 33) by polishing, but is unable to remove the etch-stop layer (13, 21, 31) because the etch-stop layer is able to withstand a polishing action of the mechanical polishing apparatus. The etch-stop layer (13, 21, 31) provides protection for the metal from mechanical damage during polish planarization and allows formation of a planar surface.

摘要翻译： 一种用于停止抛光平面化的方法，其中形成有蚀刻停止层（13,21,31）。 蚀刻停止层（13,21,31）可以形成在衬底（11）上或导电层（12）上。 蚀刻停止层（13,21,31）包括金属和诸如金刚石粉末的砂砾材料（17,25,35）。 蚀刻停止层（13,21,31）用作机械抛光装置的停止。 机械抛光装置通过抛光去除平坦化层（14,22,33），但不能除去蚀刻停止层（13,21,31），因为蚀刻停止层能够经受抛光作用 机械抛光装置。 蚀刻停止层（13,21,31）在抛光平坦化期间提供金属对机械损伤的保护，并且允许形成平坦表面。

公开(公告)号：US5411629A

公开(公告)日：1995-05-02

申请号：US829193

申请日：1992-02-03

申请人： Timothy J. Warfield

发明人： Timothy J. Warfield

IPC分类号： H01L21/3105 ,  H01L21/768 ,  H05K1/03 ,  H05K3/38 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L21/3105 ,  H05K1/034 ,  H05K3/381

摘要： A method for roughening a principal surface (12) of a halocarbon film (11). The halocarbon film (11) is treated with a colloidal suspension wherein the colloidal suspension includes light metal atoms. The light metal atoms combine with halogen atoms of the halocarbon film, thereby toughening the principal surface (12) and giving the principal surface (12) a burnt appearance.

摘要翻译： 一种用于粗化卤碳膜（11）的主表面（12）的方法。 卤化碳膜（11）用胶态悬浮液处理，其中胶态悬浮液包括轻金属原子。 轻金属原子与卤代碳膜的卤素原子结合，从而增韧主表面（12）并给出主表面（12）的烧焦外观。

公开(公告)号：US6146541A

公开(公告)日：2000-11-14

申请号：US848849

申请日：1997-05-02

申请人： Laurie A. Goldstein ,  Timothy J. Warfield ,  Jane K. Gates ,  Elizabeth Apen

发明人： Laurie A. Goldstein ,  Timothy J. Warfield ,  Jane K. Gates ,  Elizabeth Apen

IPC分类号： H01L21/66 ,  H01L21/302

CPC分类号： H01L22/12 ,  Y10S134/902 ,  Y10S438/906

摘要： A semiconductor wafer (11) having a dielectric layer (12) is used as a calibration standard (10) to calibrate thickness measuring equipment in a wafer processing or manufacturing area. The thickness of the dielectric layer (12) is maintained to a desired thickness by heating the calibration standard (10) to remove contaminants from the dielectric layer (12).

摘要翻译： 使用具有电介质层（12）的半导体晶片（11）作为校准标准（10）来校准晶片加工或制造区域中的厚度测量设备。 通过加热校准标准品（10）以消除介电层（12）中的污染物，将电介质层（12）的厚度保持在所需厚度。

公开(公告)号：US5232563A

公开(公告)日：1993-08-03

申请号：US920070

申请日：1992-07-27

申请人： Timothy J. Warfield

发明人： Timothy J. Warfield

IPC分类号： C25F1/00 ,  H01L21/306

CPC分类号： H01L21/02052 ,  C25F1/00

摘要： A method of removing contaminants (16) from a semiconductor wafer (10) includes placing the semiconductor wafer (10) into an ionic solution (19). A plurality of bubbles (24) are created along the surface of the semiconductor wafer (10). The bubbles (24) lift the contaminants (16) from the wafer (10) thereby floating the contaminants (16) off the wafer (10) and producing a clean wafer (10). Since the bubbles (24) form along the surface of the wafer's (10) recesses (14), contaminants (16) within the recess (14) are removed. The bubbles facilitate removing both organic and inorganic contaminants (16).

摘要翻译： 从半导体晶片（10）去除污染物（16）的方法包括将半导体晶片（10）放置在离子溶液（19）中。 沿着半导体晶片（10）的表面形成多个气泡（24）。 气泡（24）从晶片（10）提起污染物（16），从而将污染物（16）从晶片（10）漂浮并产生干净的晶片（10）。 由于气泡（24）沿着晶片（10）凹部（14）的表面形成，所以凹槽（14）内的污染物（16）被去除。 气泡有助于去除有机和无机污染物（16）。