公开(公告)号：US08741009B2

公开(公告)日：2014-06-03

申请号：US12462067

申请日：2009-07-29

申请人： Jeffrey M. Dysard ,  Paul M. Feeney ,  Sriram P. Anjur ,  Timothy P. Johns ,  Yun-Biao Xin ,  Li Wang

发明人： Jeffrey M. Dysard ,  Paul M. Feeney ,  Sriram P. Anjur ,  Timothy P. Johns ,  Yun-Biao Xin ,  Li Wang

IPC分类号： C09K3/14 ,  B24D3/02 ,  C09C1/68 ,  C09G1/02

CPC分类号： C09K3/1463 ,  B24B37/044 ,  C09G1/02 ,  H01L21/3212

摘要： The inventive chemical-mechanical polishing system comprises a polishing component, a liquid carrier, and a polyether amine. The inventive method comprises chemically-mechanically polishing a substrate with the aforementioned polishing system.

摘要翻译： 本发明的化学机械抛光系统包括抛光组分，液体载体和聚醚胺。 本发明的方法包括用前述抛光系统对衬底进行化学机械抛光。

公开(公告)号：US20090137124A1

公开(公告)日：2009-05-28

申请号：US12364253

申请日：2009-02-02

申请人： Phillip W. Carter ,  Timothy P. Johns

发明人： Phillip W. Carter ,  Timothy P. Johns

IPC分类号： H01L21/304

CPC分类号： H01L21/31053 ,  C09G1/02

摘要： The invention provides a chemical-mechanical polishing composition comprising a cationic abrasive, a cationic polymer, a carboxylic acid, and water. The invention further provides a method of chemically-mechanically polishing a substrate with the aforementioned polishing composition. The polishing composition exhibits selectivity for removal of silicon nitride over removal of silicon oxide.

摘要翻译： 本发明提供了包含阳离子磨料，阳离子聚合物，羧酸和水的化学机械抛光组合物。 本发明还提供了用上述抛光组合物对衬底进行化学机械抛光的方法。 抛光组合物在除去氧化硅后显示出去除氮化硅的选择性。

公开(公告)号：US07531105B2

公开(公告)日：2009-05-12

申请号：US11294853

申请日：2005-12-06

申请人： Jeffrey M. Dysard ,  Timothy P. Johns

发明人： Jeffrey M. Dysard ,  Timothy P. Johns

IPC分类号： C09K13/00

CPC分类号： C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/31053

摘要： The invention provides a chemical-mechanical polishing composition comprising a cationic abrasive, a cationic polymer, an inorganic halide salt, and an aqueous carrier. The invention further provides a method of chemically-mechanically polishing a substrate with the aforementioned polishing composition. The polishing composition exhibits selectivity for removal of silicon nitride over removal of silicon oxide and polysilicon.

摘要翻译： 本发明提供了包含阳离子研磨剂，阳离子聚合物，无机卤化物盐和水性载体的化学机械抛光组合物。 本发明还提供了用上述抛光组合物对衬底进行化学机械抛光的方法。 抛光组合物在去除氧化硅和多晶硅时显示出去除氮化硅的选择性。

公开(公告)号：US07677956B2

公开(公告)日：2010-03-16

申请号：US10142681

申请日：2002-05-10

申请人： Phillip Carter ,  Gregory H Bogush ,  Farhana Khan ,  Timothy P Johns ,  Robert Vacassy

发明人： Phillip Carter ,  Gregory H Bogush ,  Farhana Khan ,  Timothy P Johns ,  Robert Vacassy

IPC分类号： B24B1/00 ,  B24B7/19 ,  B24B7/30 ,  B24B7/22

CPC分类号： B24B37/0056 ,  B24B37/044 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1436 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/31053

摘要： The invention is directed to a chemical-mechanical polishing composition comprising (a) an abrasive consisting essentially of aggregated silica, (b) an acid, and (c) a liquid carrier, wherein the polishing composition has a pH of about 5 or less. The invention is also directed to a method of polishing a substrate comprising a dielectric layer using the polishing composition.

摘要翻译： 本发明涉及一种化学机械抛光组合物，其包含（a）主要由聚集的二氧化硅组成的磨料，（b）酸和（c）液体载体，其中所述抛光组合物具有约5或更低的pH。 本发明还涉及使用抛光组合物抛光包括电介质层的基底的方法。

公开(公告)号：US20090289033A1

公开(公告)日：2009-11-26

申请号：US12462067

申请日：2009-07-29

申请人： Jeffrey M. Dysard ,  Paul M. Feeney ,  Sriram P. Anjur ,  Timothy P. Johns ,  Yun-Biao Xin ,  Li Wang

发明人： Jeffrey M. Dysard ,  Paul M. Feeney ,  Sriram P. Anjur ,  Timothy P. Johns ,  Yun-Biao Xin ,  Li Wang

IPC分类号： B44C1/22

CPC分类号： C09K3/1463 ,  B24B37/044 ,  C09G1/02 ,  H01L21/3212

摘要： The inventive chemical-mechanical polishing system comprises a polishing component, a liquid carrier, and a polyether amine. The inventive method comprises chemically-mechanically polishing a substrate with the aforementioned polishing system.

公开(公告)号：US07504044B2

公开(公告)日：2009-03-17

申请号：US10982486

申请日：2004-11-05

申请人： Phillip W. Carter ,  Timothy P. Johns

发明人： Phillip W. Carter ,  Timothy P. Johns

IPC分类号： C09K13/00

CPC分类号： H01L21/31053 ,  C09G1/02

摘要： The invention provides a chemical-mechanical polishing composition comprising a cationic abrasive, a cationic polymer, a carboxylic acid, and water. The invention further provides a method of chemically-mechanically polishing a substrate with the aforementioned polishing composition. The polishing composition exhibits selectivity for removal of silicon nitride over removal of silicon oxide.

摘要翻译： 本发明提供了包含阳离子磨料，阳离子聚合物，羧酸和水的化学机械抛光组合物。 本发明还提供了用上述抛光组合物对衬底进行化学机械抛光的方法。 抛光组合物在除去氧化硅后显示出去除氮化硅的选择性。

公开(公告)号：US08486169B2

公开(公告)日：2013-07-16

申请号：US12239249

申请日：2008-09-26

申请人： Phillip W. Carter ,  Timothy P. Johns

发明人： Phillip W. Carter ,  Timothy P. Johns

IPC分类号： C09G1/02

CPC分类号： C09K3/1463 ,  C03C19/00 ,  C09G1/02 ,  H01L21/31053

摘要： A chemical-mechanical polishing system comprising: (a) ceria abrasive having an average particle size of about 180 nm or less and a positive zeta potential, (b) a polishing additive bearing a functional group with a pKa of about 3 to about 9, wherein the polishing additive is selected from the group consisting of arylamines, aminoalcohols, aliphatic amines, heterocyclic amines, hydroxamic acids, aminocarboxylic acids, cyclic monocarboxylic acids, unsaturated monocarboxylic acids, substituted phenols, sulfonamides, thiols, salts thereof, and combinations thereof, and (c) a liquid carrier, wherein the chemical-mechanical polishing system has a pH of about 4 to about 6.

摘要翻译： 一种化学机械抛光系统，包括：（a）具有约180nm或更小的平均粒度和正ζ电位的二氧化铈磨料，（b）具有pKa约3至约9的官能团的抛光添加剂， 其中所述抛光添加剂选自芳基胺，氨基醇，脂族胺，杂环胺，异羟肟酸，氨基羧酸，环状单羧酸，不饱和一元羧酸，取代的苯酚，磺酰胺，硫醇，其盐及其组合，以及 （c）液体载体，其中所述化学机械抛光系统具有约4至约6的pH。

公开(公告)号：US08138091B2

公开(公告)日：2012-03-20

申请号：US12384266

申请日：2009-04-02

申请人： Jeffrey M. Dysard ,  Timothy P. Johns

发明人： Jeffrey M. Dysard ,  Timothy P. Johns

IPC分类号： H01L21/302 ,  H01L21/461 ,  C23F1/00

CPC分类号： C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/31053

摘要： The invention provides a chemical-mechanical polishing composition comprising a cationic abrasive, a cationic polymer, an inorganic halide salt, and an aqueous carrier. The invention further provides a method of chemically-mechanically polishing a substrate with the aforementioned polishing composition. The polishing composition exhibits selectivity for removal of silicon nitride over removal of silicon oxide and polysilicon.

摘要翻译： 本发明提供了包含阳离子研磨剂，阳离子聚合物，无机卤化物盐和水性载体的化学机械抛光组合物。 本发明还提供了用上述抛光组合物对衬底进行化学机械抛光的方法。 抛光组合物在去除氧化硅和多晶硅时显示出去除氮化硅的选择性。

公开(公告)号：US07585340B2

公开(公告)日：2009-09-08

申请号：US11412369

申请日：2006-04-27

申请人： Jeffrey M. Dysard ,  Paul M. Feeney ,  Sriram P. Anjur ,  Timothy P. Johns ,  Yun-Biao Xin ,  Li Wang

发明人： Jeffrey M. Dysard ,  Paul M. Feeney ,  Sriram P. Anjur ,  Timothy P. Johns ,  Yun-Biao Xin ,  Li Wang

IPC分类号： C09K3/14 ,  B24B7/19 ,  B24D11/00

CPC分类号： C09K3/1463 ,  B24B37/044 ,  C09G1/02 ,  H01L21/3212

摘要： The inventive chemical-mechanical polishing system comprises a polishing component, a liquid carrier, and a polyether amine. The inventive method comprises chemically-mechanically polishing a substrate with the aforementioned polishing system.

摘要翻译： 本发明的化学机械抛光系统包括抛光组分，液体载体和聚醚胺。 本发明的方法包括用前述抛光系统对衬底进行化学机械抛光。

公开(公告)号：US20090215271A1

公开(公告)日：2009-08-27

申请号：US12384266

申请日：2009-04-02

申请人： Jeffrey M. Dysard ,  Timothy P. Johns

发明人： Jeffrey M. Dysard ,  Timothy P. Johns

IPC分类号： H01L21/306

CPC分类号： C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/31053

摘要： The invention provides a chemical-mechanical polishing composition comprising a cationic abrasive, a cationic polymer, an inorganic halide salt, and an aqueous carrier. The invention further provides a method of chemically-mechanically polishing a substrate with the aforementioned polishing composition. The polishing composition exhibits selectivity for removal of silicon nitride over removal of silicon oxide and polysilicon.