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    Iodate-containing chemical-mechanical polishing compositions and methods
    1.
    发明授权
    Iodate-containing chemical-mechanical polishing compositions and methods 有权
    含碘酸的化学机械抛光组合物和方法

    公开(公告)号：US08551202B2

    公开(公告)日：2013-10-08

    申请号：US11387558

    申请日：2006-03-23

    申请人： Shoutian Li ,  Phillip W. Carter ,  Jian Zhang

    发明人： Shoutian Li ,  Phillip W. Carter ,  Jian Zhang

    IPC分类号： C09G1/02 ,  C09G1/04

    CPC分类号： C09G1/02 ,  H01L21/3212

    摘要： The invention provides compositions and methods for planarizing or polishing a substrate. The composition comprises an abrasive, iodate ion, a nitrogen-containing compound selected from the group consisting of a nitrogen-containing C4-20 heterocycle and a C1-20 alkylamine, and a liquid carrier comprising water.

    摘要翻译： 本发明提供了用于平坦化或抛光基材的组合物和方法。 该组合物包含研磨剂，碘酸根离子，选自含氮的C 4-20杂环和C 1-20烷基胺的含氮化合物和包含水的液体载体。

    Metal ion-containing CMP composition and method for using the same
    3.
    发明授权
    Metal ion-containing CMP composition and method for using the same 有权
    含金属离子的CMP组合物及其使用方法

    公开(公告)号：US08038752B2

    公开(公告)日：2011-10-18

    申请号：US10974460

    申请日：2004-10-27

    申请人： Phillip W. Carter

    发明人： Phillip W. Carter

    IPC分类号： C09G1/02 ,  C09G1/04 ,  H01L21/302 ,  H01L21/304

    CPC分类号： C09K3/1463 ,  C09G1/02 ,  H01L21/31053

    摘要： The invention provides a chemical-mechanical polishing composition comprising an abrasive, metal ions (M) having a M-O—Si bond energy equal to or greater than about 3 kcal/mol, and water. The invention further provides a method for polishing a substrate using the aforementioned chemical-mechanical polishing composition.

    摘要翻译： 本发明提供了一种化学机械抛光组合物，其包含具有等于或大于约3kcal / mol的M-O-Si键能量的磨料，金属离子（M）和水。 本发明还提供了使用上述化学机械抛光组合物研磨衬底的方法。

    POLISHING COMPOSITION AND METHOD FOR HIGH SILICON NITRIDE TO SILICON OXIDE REMOVAL RATE RATIOS
    4.
    发明申请
    POLISHING COMPOSITION AND METHOD FOR HIGH SILICON NITRIDE TO SILICON OXIDE REMOVAL RATE RATIOS 有权
    高硅氧化物去除氧化硅的抛光组合物和方法

    公开(公告)号：US20090137124A1

    公开(公告)日：2009-05-28

    申请号：US12364253

    申请日：2009-02-02

    申请人： Phillip W. Carter ,  Timothy P. Johns

    发明人： Phillip W. Carter ,  Timothy P. Johns

    IPC分类号： H01L21/304

    CPC分类号： H01L21/31053 ,  C09G1/02

    摘要： The invention provides a chemical-mechanical polishing composition comprising a cationic abrasive, a cationic polymer, a carboxylic acid, and water. The invention further provides a method of chemically-mechanically polishing a substrate with the aforementioned polishing composition. The polishing composition exhibits selectivity for removal of silicon nitride over removal of silicon oxide.

    摘要翻译： 本发明提供了包含阳离子磨料，阳离子聚合物，羧酸和水的化学机械抛光组合物。 本发明还提供了用上述抛光组合物对衬底进行化学机械抛光的方法。 抛光组合物在除去氧化硅后显示出去除氮化硅的选择性。

    Compositions and methods for tantalum CMP
    5.
    发明授权
    Compositions and methods for tantalum CMP 有权
    钽CMP的组成和方法

    公开(公告)号：US07316603B2

    公开(公告)日：2008-01-08

    申请号：US11235765

    申请日：2005-09-26

    申请人： Phillip W. Carter ,  Jian Zhang ,  Steven K. Grumbine ,  Francesco De Rege Thesauro

    发明人： Phillip W. Carter ,  Jian Zhang ,  Steven K. Grumbine ,  Francesco De Rege Thesauro

    IPC分类号： C09K3/14 ,  C09K13/06 ,  B24B1/00

    CPC分类号： H01L21/3212 ,  B24B37/044 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  C23F3/04 ,  C23F3/06

    摘要： A composition suitable for tantalum chemical-mechanical polishing (CMP) comprises an abrasive, an organic oxidizer, and a liquid carrier therefor. The organic oxidizer has a standard redox potential (E0) of not more than about 0.5 V relative to a standard hydrogen electrode. The oxidized form comprises at least one pi-conjugated ring, which includes at least one heteroatom directly attached to the ring. The heteroatom can be a N, O, S or a combination thereof. In a method embodiment, a CMP composition comprising an abrasive, and organic oxidizer having an E0 of not more than about 0.7 V relative to a standard hydrogen electrode, and a liquid carrier therefor, is utilized to polish a tantalum-containing surface of a substrate, by abrading the surface of the substrate with the composition, preferably with the aid of a polishing pad.

    摘要翻译： 适用于钽化学机械抛光（CMP）的组合物包括研磨剂，有机氧化剂和用于其的液体载体。 有机氧化剂相对于标准氢电极具有不超过约0.5V的标准氧化还原电位（E 0 SUP 0）。 氧化形式包含至少一个π-共轭环，其包括至少一个直接连接在环上的杂原子。 杂原子可以是N，O，S或它们的组合。 在方法实施方案中，使用包含磨料和相对于标准氢电极不超过约0.7V的E 0有机氧化剂的CMP组合物及其液体载体来抛光 通过用组合物研磨基底的表面，优选借助于抛光垫，将基底的含钽表面。

    CMP process involving frequency analysis-based monitoring
    6.
    发明授权
    CMP process involving frequency analysis-based monitoring 失效
    CMP过程涉及基于频率分析的监测

    公开(公告)号：US06431953B1

    公开(公告)日：2002-08-13

    申请号：US09934106

    申请日：2001-08-21

    申请人： Phillip W. Carter ,  Jeffrey P. Chamberlain

    发明人： Phillip W. Carter ,  Jeffrey P. Chamberlain

    IPC分类号： B24B4900

    CPC分类号： B24B37/013 ,  B24B49/04 ,  B24B49/12 ,  G05B2219/34048 ,  G05B2219/37534 ,  G05B2219/49085

    摘要： The invention provides a method, for monitoring a chemical-mechanical polishing process, comprising receiving a real-time data signal from a chemical-mechanical polishing process, wherein the real-time data signal pertains to a frictional force, torque, or motor current, converting the data signal into a power spectrum of signals with different frequencies whose sum equals that of the original data signal, identifying and monitoring the signal components of the power spectrum corresponding to an aspect of the chemical-mechanical polishing process, detecting a change in the amplitude or frequency of the signal component, and altering the chemical-mechanical polishing process in response to the detected change. The invention also provides an apparatus for carrying out the aforementioned method.

    摘要翻译： 本发明提供一种用于监测化学机械抛光工艺的方法，包括从化学机械抛光工艺接收实时数据信号，其中实时数据信号涉及摩擦力，转矩或电动机电流， 将数据信号转换成具有与原始数据信号的和等于其总和的不同频率的信号的功率谱，识别和监测与化学机械抛光处理的一个方面对应的功率谱的信号分量，检测 信号分量的振幅或频率，以及响应于检测到的变化而改变化学机械抛光过程。 本发明还提供一种用于执行上述方法的装置。

    Ether diphosphonate scale inhibitors
    8.
    发明授权
    Ether diphosphonate scale inhibitors 失效
    醚二膦酸盐垢抑制剂

    公开(公告)号：US5772893A

    公开(公告)日：1998-06-30

    申请号：US696450

    申请日：1996-08-13

    申请人： Peter E. Reed ,  Michael A. Kamrath ,  Phillip W. Carter ,  Ronald V. Davis

    发明人： Peter E. Reed ,  Michael A. Kamrath ,  Phillip W. Carter ,  Ronald V. Davis

    IPC分类号： C02F5/00 ,  C02F5/14 ,  C07F9/38

    CPC分类号： C07F9/386 ,  C02F5/14

    摘要： The invention is a method for the prevention of scale formation on metal or other surfaces in contact with scale-forming industrial water with an effective scale-inhibiting amount of an ether 1,1-diphosphonate of the general formula: ##STR1## The invention is also a method for the prevention of corrosion on metal surfaces in contact with corrosive industrial water with an effective corrosion-inhibiting amount of an ether 1,1-diphosphonate of the same general formula. A preferred ether 1, 1-diphosphonate is 1,1, diphosphono-4,7-dioxaoctane for both methods.

    摘要翻译： 本发明是一种用于防止在具有阻垢量的具有下列通式的醚的1,1-二膦酸盐的鳞屑形成工业用水接触的金属或其它表面上的结垢的方法： 本发明还是一种防腐蚀金属表面与腐蚀性工业用水腐蚀的方法，该腐蚀性工业用水具有相同通式的有效防腐蚀量的1,1-二膦酸盐。 优选的1,1-二膦酸醚是1,1，二膦酰-4,7-二氧杂辛烷，用于两种方法。

    Oxidation-stabilized CMP compositions and methods
    9.
    发明授权
    Oxidation-stabilized CMP compositions and methods 有权
    氧化稳定的CMP组合物和方法

    公开(公告)号：US08497209B2

    公开(公告)日：2013-07-30

    申请号：US12764268

    申请日：2010-04-21

    申请人： Steven K. Grumbine ,  Renjie Zhou ,  Zhan Chen ,  Phillip W. Carter

    发明人： Steven K. Grumbine ,  Renjie Zhou ,  Zhan Chen ,  Phillip W. Carter

    IPC分类号： H01L21/302 ,  H01L21/321

    CPC分类号： H01L21/3212 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  C23F3/04 ,  C23F3/06

    摘要： The present invention provides a chemical-mechanical polishing (CMP) composition comprising an amino compound, a radical-forming oxidizing agent, a radical trapping agent capable of inhibiting radical-induced oxidation of the amino compound, and an aqueous carrier therefore. The radical trapping agent is a hydroxyl-substituted polyunsaturated cyclic compound, a nitrogenous compound, or a combination thereof. Optionally, the composition comprises a metal oxide abrasive (e.g., silica, alumina, titania, ceria, zirconia, or a combination of two or more of the foregoing abrasives).

    摘要翻译： 本发明提供一种包含氨基化合物，自由基形成氧化剂，能够抑制氨基化合物自由基诱导氧化的自由基捕获剂的化学机械抛光（CMP）组合物，以及含水载体。 自由基捕获剂是羟基取代的多不饱和环状化合物，含氮化合物或其组合。 任选地，组合物包含金属氧化物研磨剂（例如二氧化硅，氧化铝，二氧化钛，二氧化铈，氧化锆，或两种或更多种前述研磨剂的组合）。

    Method of polishing a silicon-containing dielectric
    10.
    发明授权
    Method of polishing a silicon-containing dielectric 有权
    抛光含硅电介质的方法

    公开(公告)号：US08486169B2

    公开(公告)日：2013-07-16

    申请号：US12239249

    申请日：2008-09-26

    申请人： Phillip W. Carter ,  Timothy P. Johns

    发明人： Phillip W. Carter ,  Timothy P. Johns

    IPC分类号： C09G1/02

    CPC分类号： C09K3/1463 ,  C03C19/00 ,  C09G1/02 ,  H01L21/31053

    摘要： A chemical-mechanical polishing system comprising: (a) ceria abrasive having an average particle size of about 180 nm or less and a positive zeta potential, (b) a polishing additive bearing a functional group with a pKa of about 3 to about 9, wherein the polishing additive is selected from the group consisting of arylamines, aminoalcohols, aliphatic amines, heterocyclic amines, hydroxamic acids, aminocarboxylic acids, cyclic monocarboxylic acids, unsaturated monocarboxylic acids, substituted phenols, sulfonamides, thiols, salts thereof, and combinations thereof, and (c) a liquid carrier, wherein the chemical-mechanical polishing system has a pH of about 4 to about 6.

    摘要翻译： 一种化学机械抛光系统，包括：（a）具有约180nm或更小的平均粒度和正ζ电位的二氧化铈磨料，（b）具有pKa约3至约9的官能团的抛光添加剂， 其中所述抛光添加剂选自芳基胺，氨基醇，脂族胺，杂环胺，异羟肟酸，氨基羧酸，环状单羧酸，不饱和一元羧酸，取代的苯酚，磺酰胺，硫醇，其盐及其组合，以及 （c）液体载体，其中所述化学机械抛光系统具有约4至约6的pH。