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    Composition and method for damascene CMP
    4.
    发明授权
    Composition and method for damascene CMP 有权
    大马士革CMP的组成和方法

    公开(公告)号：US07837888B2

    公开(公告)日：2010-11-23

    申请号：US11599199

    申请日：2006-11-13

    申请人： Paul M. Feeney ,  Sriram Anjur ,  Jeffrey M. Dysard

    发明人： Paul M. Feeney ,  Sriram Anjur ,  Jeffrey M. Dysard

    IPC分类号： B24B29/02 ,  B24B7/00 ,  C09K3/14

    CPC分类号： C09K3/1463 ,  B24B37/044 ,  C09K3/1409

    摘要： The invention provides a method of chemically-mechanically polishing a substrate having at least one feature defined thereon, wherein the feature has at least one dimension with a size W, with a chemical-mechanical polishing composition. The polishing composition comprises particles of an abrasive wherein the particles have a mean particle diameter DM wherein the mean particle diameter of the particles satisfies the equation: DM>W. The invention further provides a method of preparing the chemical-mechanical polishing composition.

    摘要翻译： 本发明提供了一种化学机械抛光具有其上限定的至少一个特征的基材的方法，其中所述特征具有尺寸为W的至少一个尺寸，具有化学机械抛光组合物。 抛光组合物包含研磨剂颗粒，其中颗粒具有平均粒径DM，其中颗粒的平均粒径满足等式：DM> W。 本发明还提供了一种制备化学 - 机械抛光组合物的方法。

    Polishing composition and method for high silicon nitride to silicon oxide removal rate ratios
    5.
    发明授权
    Polishing composition and method for high silicon nitride to silicon oxide removal rate ratios 有权
    高氮化硅到氧化硅去除速率比的抛光组合物和方法

    公开(公告)号：US07531105B2

    公开(公告)日：2009-05-12

    申请号：US11294853

    申请日：2005-12-06

    申请人： Jeffrey M. Dysard ,  Timothy P. Johns

    发明人： Jeffrey M. Dysard ,  Timothy P. Johns

    IPC分类号： C09K13/00

    CPC分类号： C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/31053

    摘要： The invention provides a chemical-mechanical polishing composition comprising a cationic abrasive, a cationic polymer, an inorganic halide salt, and an aqueous carrier. The invention further provides a method of chemically-mechanically polishing a substrate with the aforementioned polishing composition. The polishing composition exhibits selectivity for removal of silicon nitride over removal of silicon oxide and polysilicon.

    摘要翻译： 本发明提供了包含阳离子研磨剂，阳离子聚合物，无机卤化物盐和水性载体的化学机械抛光组合物。 本发明还提供了用上述抛光组合物对衬底进行化学机械抛光的方法。 抛光组合物在去除氧化硅和多晶硅时显示出去除氮化硅的选择性。

    Polishing composition and method for high silicon nitride to silicon oxide removal rate ratios
    6.
    发明授权
    Polishing composition and method for high silicon nitride to silicon oxide removal rate ratios 有权
    高氮化硅到氧化硅去除速率比的抛光组合物和方法

    公开(公告)号：US08138091B2

    公开(公告)日：2012-03-20

    申请号：US12384266

    申请日：2009-04-02

    申请人： Jeffrey M. Dysard ,  Timothy P. Johns

    发明人： Jeffrey M. Dysard ,  Timothy P. Johns

    IPC分类号： H01L21/302 ,  H01L21/461 ,  C23F1/00

    CPC分类号： C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/31053

    摘要： The invention provides a chemical-mechanical polishing composition comprising a cationic abrasive, a cationic polymer, an inorganic halide salt, and an aqueous carrier. The invention further provides a method of chemically-mechanically polishing a substrate with the aforementioned polishing composition. The polishing composition exhibits selectivity for removal of silicon nitride over removal of silicon oxide and polysilicon.

    摘要翻译： 本发明提供了包含阳离子研磨剂，阳离子聚合物，无机卤化物盐和水性载体的化学机械抛光组合物。 本发明还提供了用上述抛光组合物对衬底进行化学机械抛光的方法。 抛光组合物在去除氧化硅和多晶硅时显示出去除氮化硅的选择性。

    Process for removing sulfur from naphtha
    8.
    发明授权
    Process for removing sulfur from naphtha 有权
    从石脑油中除去硫的方法

    公开(公告)号：US07799210B2

    公开(公告)日：2010-09-21

    申请号：US11100309

    申请日：2005-04-06

    申请人： Jeffrey M. Dysard ,  Gordon F. Stuntz ,  Thomas R. Halbert ,  Andrzej Malek

    发明人： Jeffrey M. Dysard ,  Gordon F. Stuntz ,  Thomas R. Halbert ,  Andrzej Malek

    IPC分类号： C10G67/02

    CPC分类号： C10G67/12 ,  C10G45/08 ,  C10G67/04 ,  C10G67/0418 ,  C10G67/06 ,  C10G67/14 ,  C10G2400/02

    摘要： A three-step process of removing sulfur from naphtha feeds. The steps include a first hydrotreating step, a mercaptan removal agent and an adsorbent containing a reactive metal on an inorganic support. Step one removes at least 95 wt. % of the sulfur compounds while preserving at least 50 wt. % of the olefins. Treatment with the mercaptan removal agent lowers the sulfur content to 30 wppm total sulfur and final naphtha product contains leas than 10 wppm total sulfur.

    摘要翻译： 从石脑油进料中除去硫的三个步骤。 所述步骤包括第一加氢处理步骤，硫醇去除剂和在无机载体上含有活性金属的吸附剂。 第一步除去至少95wt。 ％的硫化合物，同时保留至少50wt。 ％的烯烃。 用硫醇去除剂处理将硫含量降低到总硫含量为30wppm，最终石脑油产品含有超过10wppm的总硫。

    Desulfurizing organosulfur heterocycles in feeds with supported sodium
    10.
    发明授权
    Desulfurizing organosulfur heterocycles in feeds with supported sodium 有权
    用负载的钠脱硫有机硫杂环

    公开(公告)号：US07507327B2

    公开(公告)日：2009-03-24

    申请号：US11227802

    申请日：2005-09-14

    申请人： Jeffrey M. Dysard ,  Zhigou Hou ,  Jonathan M. McConnachie ,  Andrzej Malek ,  Ramesh Gupta ,  William E. Lewis

    发明人： Jeffrey M. Dysard ,  Zhigou Hou ,  Jonathan M. McConnachie ,  Andrzej Malek ,  Ramesh Gupta ,  William E. Lewis

    IPC分类号： C10G19/073 ,  C10G29/04

    CPC分类号： C10G45/02 ,  C10G19/073 ,  C10G29/04 ,  C10G65/04 ,  C10G67/10

    摘要： Refractory or hard sulfur found in a hydrocarbon stream containing refractory sulfur heterocycle compounds, particularly those exhibiting steric hindrance, is removed from the stream by contacting it with a sodium reagent comprising a sodium component, having free sodium, supported on a solid support component. If the hydrocarbon stream contains more labile or easy sulfur, then it is treated, typically by hydrodesulfurization, to remove at least most of the labile sulfur before it is contacted with the sodium reagent. This is useful for bringing the sulfur level of middle distillate fuel streams, such as diesel and jet fuel fractions, down to a level of less than about 10 wppm, employing conventional hydrodesulfurizing catalysts and conditions.

    摘要翻译： 在含有难溶性硫杂环化合物的烃流中，特别是那些表现出空间位阻的烃流中发现的耐火或硬硫通过与包含负载在固体支持组分上的具有游离钠的钠组分的钠试剂接触而从流中除去。 如果烃流含有更多的不稳定或易硫化物，那么通常通过加氢脱硫来处理至少大部分不稳定的硫，然后再与钠试剂接触。 这对于使用常规的加氢脱硫催化剂和条件将中等馏出物燃料流（例如柴油和喷气燃料馏分）的硫含量降低到低于约10wppm的水平是有用的。