公开(公告)号：US20130052569A1

公开(公告)日：2013-02-28

申请号：US13564196

申请日：2012-08-01

申请人： Jin CHOI ,  Jin-Ha Jeong ,  Urazaev Vladimir ,  Hea-Yun Lee

发明人： Jin CHOI ,  Jin-Ha Jeong ,  Urazaev Vladimir ,  Hea-Yun Lee

IPC分类号： G03F1/78 ,  G03B27/42

CPC分类号： H01J37/06 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F1/20 ,  G03F1/78 ,  G03F7/2063 ,  H01J37/3026 ,  H01J37/3174 ,  H01J2237/0458 ,  H01J2237/31764 ,  H01J2237/31776 ,  Y10S430/143

摘要： A method including loading a blank reticle; projecting an electron beam; moving a second aperture plate having a first and second pattern aperture so the first pattern aperture is overlapped by a first aperture of a first aperture plate, the electron beam passing through the first pattern aperture after passing the first aperture; exposing the blank reticle with the electron beam that passes the first pattern aperture to form a first exposure pattern; moving the second aperture plate so the second pattern aperture is overlapped by the first aperture of the first aperture plate, the electron beam passing through the second pattern aperture after passing the first aperture; exposing the blank reticle with the electron beam after passing the second pattern aperture, to form a second exposure pattern; and developing the blank reticle having the first and second exposure patterns to form the reticle having first and second patterns.

摘要翻译： 一种包括加载空白掩模版的方法; 投射电子束; 移动具有第一和第二图案孔的第二孔板，使得第一图案孔与第一孔板的第一孔重叠，电子束在通过第一孔之后通过第一图案孔; 用通过第一图案孔的电子束曝光空白掩模版以形成第一曝光图案; 移动第二孔板，使得第二图案孔与第一孔板的第一孔重叠，电子束在通过第一孔之后通过第二图案孔; 在通过第二图案孔之后，用电子束曝光空白掩模版，形成第二曝光图案; 并且显影具有第一和第二曝光图案的空白掩模版，以形成具有第一和第二图案的掩模版。

公开(公告)号：US08609305B2

公开(公告)日：2013-12-17

申请号：US13443440

申请日：2012-04-10

申请人： Jin Choi ,  Jin-Ha Jeong ,  Urazaev Vladimir ,  Hea-Yun Lee

发明人： Jin Choi ,  Jin-Ha Jeong ,  Urazaev Vladimir ,  Hea-Yun Lee

IPC分类号： G03F1/78 ,  G03F1/80

CPC分类号： H01J37/3174 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F1/78 ,  G03F1/80 ,  H01J37/3026 ,  H01J2237/0455 ,  H01J2237/31764 ,  H01J2237/31776

摘要： In a method of forming a reticle and electron beam exposure system, first electron beams are irradiated onto a first region of a blank reticle having a light shielding layer and a photosensitive layer, to form first shot patterns. Second electron beams having a cross-sectional area larger than the first electron beams are irradiated onto a second region of the blank reticle. The photosensitive layer is developed to form first and second mask patterns at the first and second regions, respectively. The light shielding layer is etched off using the first and second mask patterns as an etching mask, thereby forming the mother pattern including a first pattern in the first region and a second pattern in the second region. Accordingly, the enlargement of the second electron beams reduces the scan time for the blank reticle, thereby reducing the process time.

摘要翻译： 在形成掩模版和电子束曝光系统的方法中，将第一电子束照射到具有遮光层和感光层的坯料掩模版的第一区域上，以形成第一射出图案。 具有大于第一电子束的横截面面积的第二电子束被照射到坯料掩模版的第二区域上。 感光层被显影以分别在第一和第二区域形成第一和第二掩模图案。 使用第一和第二掩模图案作为蚀刻掩模蚀刻掉遮光层，从而形成包括第一区域中的第一图案和第二区域中的第二图案的母体图案。 因此，第二电子束的放大减少了空白掩模版的扫描时间，从而缩短了处理时间。

公开(公告)号：US08187914B2

公开(公告)日：2012-05-29

申请号：US12731637

申请日：2010-03-25

申请人： Jin-Il Lee ,  Urazaev Vladimir ,  Jin-Ha Jeong ,  Seung-Back Shin ,  Sung-Lae Cho ,  Hyeong-Geun An ,  Dong-Hyun Im ,  Young-Lim Park ,  Jung-Hyeon Kim

发明人： Jin-Il Lee ,  Urazaev Vladimir ,  Jin-Ha Jeong ,  Seung-Back Shin ,  Sung-Lae Cho ,  Hyeong-Geun An ,  Dong-Hyun Im ,  Young-Lim Park ,  Jung-Hyeon Kim

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L45/1616 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1683

摘要： Provided are methods of forming a phase change memory device. A semiconductor device having a lower electrode and an interlayer insulating layer may be prepared. The lower electrode may be surrounded by the interlayer insulating layer. Source gases, a reaction gas and a purge gas may be injected into a process chamber of a semiconductor fabrication device to form a phase change material layer on a semiconductor substrate. The source gases may be simultaneously injected into the process chamber. The phase change material layer may be in contact with the lower electrode through the interlayer insulating layer. The phase change material layer may be etched to form a phase change memory cell in the interlayer insulating layer. An upper electrode may be formed on the phase change memory cell.

摘要翻译： 提供形成相变存储器件的方法。 可以制备具有下电极和层间绝缘层的半导体器件。 下电极可以被层间绝缘层包围。 可以将源气体，反应气体和吹扫气体注入到半导体制造装置的处理室中，以在半导体衬底上形成相变材料层。 源气体可以同时注入到处理室中。 相变材料层可以通过层间绝缘层与下电极接触。 可以蚀刻相变材料层以在层间绝缘层中形成相变存储单元。 可以在相变存储单元上形成上电极。

公开(公告)号：US20120288787A1

公开(公告)日：2012-11-15

申请号：US13443440

申请日：2012-04-10

申请人： Jin Choi ,  Jin-Ha Jeong ,  Urazaev Vladimir ,  Hea-Yun Lee

发明人： Jin Choi ,  Jin-Ha Jeong ,  Urazaev Vladimir ,  Hea-Yun Lee

IPC分类号： G03F1/78 ,  G21K5/04

CPC分类号： H01J37/3174 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F1/78 ,  G03F1/80 ,  H01J37/3026 ,  H01J2237/0455 ,  H01J2237/31764 ,  H01J2237/31776

摘要： In a method of forming a reticle and electron beam exposure system, first electron beams are irradiated onto a first region of a blank reticle having a light shielding layer and a photosensitive layer, to form first shot patterns. Second electron beams having a cross-sectional area larger than the first electron beams are irradiated onto a second region of the blank reticle. The photosensitive layer is developed to form first and second mask patterns at the first and second regions, respectively. The light shielding layer is etched off using the first and second mask patterns as an etching mask, thereby forming the mother pattern including a first pattern in the first region and a second pattern in the second region. Accordingly, the enlargement of the second electron beams reduces the scan time for the blank reticle, thereby reducing the process time.

摘要翻译： 在形成掩模版和电子束曝光系统的方法中，将第一电子束照射到具有遮光层和感光层的坯料掩模版的第一区域上，以形成第一射出图案。 具有大于第一电子束的横截面面积的第二电子束被照射到坯料掩模版的第二区域上。 感光层被显影以分别在第一和第二区域形成第一和第二掩模图案。 使用第一和第二掩模图案作为蚀刻掩模蚀刻掉遮光层，从而形成包括第一区域中的第一图案和第二区域中的第二图案的母体图案。 因此，第二电子束的放大减少了空白掩模版的扫描时间，从而缩短了处理时间。

公开(公告)号：US20100248460A1

公开(公告)日：2010-09-30

申请号：US12659959

申请日：2010-03-26

申请人： Jin-Il Lee ,  Urazaev Vladimir ,  Jin-Ha Jeong ,  Seung-Back Shin ,  Sung-Lae Cho ,  Hyeong-Geun An ,  Dong-Hyun Im ,  Jung-Hyeon Kim

发明人： Jin-Il Lee ,  Urazaev Vladimir ,  Jin-Ha Jeong ,  Seung-Back Shin ,  Sung-Lae Cho ,  Hyeong-Geun An ,  Dong-Hyun Im ,  Jung-Hyeon Kim

IPC分类号： H01L21/365 ,  H01L21/469 ,  H01L21/443 ,  H01L21/465

CPC分类号： H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1616 ,  H01L45/1683

摘要： A method of forming an information storage pattern, includes placing a semiconductor substrate in a process chamber, injecting first, second and third process gases into the process chamber during a first process to form a lower layer on the substrate based on a first injection time and/or a first pause time, injecting the second process gas into the process chamber during a second process, wherein the second process gas is injected into the process chamber during a first elimination time, injecting a fourth process gas together with the second and third process gases into the process chamber during a third process in accordance with a second injection time and/or a second pause time to form an upper layer on the lower layer, and injecting the second process gas into the process chamber during a fourth process, wherein the second process gas is injected into the process chamber during a second elimination.

摘要翻译： 一种形成信息存储图案的方法，包括将半导体衬底放置在处理室中，在第一过程中将第一，第二和第三处理气体注入到处理室中，以在第一注入时间基底上形成下层;以及 /或第一暂停时间，在第二过程期间将第二处理气体注入处理室，其中第二处理气体在第一消除时间期间被注入到处理室中，与第二和第三处理一起喷射第四处理气体 根据第二喷射时间和/或第二暂停时间，在第三过程期间将气体进入处理室，以在下层形成上层，并且在第四过程期间将第二处理气体注入到处理室中，其中， 在第二次消除期间将第二工艺气体注入到处理室中。

公开(公告)号：US20100248442A1

公开(公告)日：2010-09-30

申请号：US12731637

申请日：2010-03-25

申请人： Jin-Il Lee ,  Urazaev Vladimir ,  Jin-Ha Jeong ,  Seung-Back Shin ,  Sung-Lae Cho ,  Hyeong-Geun An ,  Dong-Hyun Im ,  Young-Lim Park ,  Jung-Hyeon Kim

发明人： Jin-Il Lee ,  Urazaev Vladimir ,  Jin-Ha Jeong ,  Seung-Back Shin ,  Sung-Lae Cho ,  Hyeong-Geun An ,  Dong-Hyun Im ,  Young-Lim Park ,  Jung-Hyeon Kim

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L45/1616 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1683

摘要： Provided are methods of forming a phase change memory device. A semiconductor device having a lower electrode and an interlayer insulating layer may be prepared. The lower electrode may be surrounded by the interlayer insulating layer. Source gases, a reaction gas and a purge gas may be injected into a process chamber of a semiconductor fabrication device to form a phase change material layer on a semiconductor substrate. The source gases may be simultaneously injected into the process chamber. The phase change material layer may be in contact with the lower electrode through the interlayer insulating layer. The phase change material layer may be etched to form a phase change memory cell in the interlayer insulating layer. An upper electrode may be formed on the phase change memory cell.

摘要翻译： 提供形成相变存储器件的方法。 可以制备具有下电极和层间绝缘层的半导体器件。 下电极可以被层间绝缘层包围。 可以将源气体，反应气体和吹扫气体注入到半导体制造装置的处理室中，以在半导体衬底上形成相变材料层。 源气体可以同时注入到处理室中。 相变材料层可以通过层间绝缘层与下电极接触。 可以蚀刻相变材料层以在层间绝缘层中形成相变存储单元。 可以在相变存储单元上形成上电极。

公开(公告)号：US08697317B2

公开(公告)日：2014-04-15

申请号：US13564196

申请日：2012-08-01

申请人： Jin Choi ,  Jin-Ha Jeong ,  Urazaev Vladimir ,  Hea-Yun Lee

发明人： Jin Choi ,  Jin-Ha Jeong ,  Urazaev Vladimir ,  Hea-Yun Lee

IPC分类号： G03F1/20

CPC分类号： H01J37/06 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F1/20 ,  G03F1/78 ,  G03F7/2063 ,  H01J37/3026 ,  H01J37/3174 ,  H01J2237/0458 ,  H01J2237/31764 ,  H01J2237/31776 ,  Y10S430/143

摘要： A method including loading a blank reticle; projecting an electron beam; moving a second aperture plate having a first and second pattern aperture so the first pattern aperture is overlapped by a first aperture of a first aperture plate, the electron beam passing through the first pattern aperture after passing the first aperture; exposing the blank reticle with the electron beam that passes the first pattern aperture to form a first exposure pattern; moving the second aperture plate so the second pattern aperture is overlapped by the first aperture of the first aperture plate, the electron beam passing through the second pattern aperture after passing the first aperture; exposing the blank reticle with the electron beam after passing the second pattern aperture, to form a second exposure pattern; and developing the blank reticle having the first and second exposure patterns to form the reticle having first and second patterns.

摘要翻译： 一种包括加载空白掩模版的方法; 投射电子束; 移动具有第一和第二图案孔的第二孔板，使得第一图案孔与第一孔板的第一孔重叠，电子束在通过第一孔之后通过第一图案孔; 用通过第一图案孔的电子束曝光空白掩模版以形成第一曝光图案; 移动第二孔板，使得第二图案孔与第一孔板的第一孔重叠，电子束在通过第一孔之后通过第二图案孔; 在通过第二图案孔之后，用电子束曝光空白掩模版，形成第二曝光图案; 并且显影具有第一和第二曝光图案的空白掩模版，以形成具有第一和第二图案的掩模版。