公开(公告)号：US20080246021A1

公开(公告)日：2008-10-09

申请号：US11905758

申请日：2007-10-03

申请人： Sung-Dae Suk ,  Kyoung-Hwan Yeo ,  Ming Li ,  Yun-Young Yeoh

发明人： Sung-Dae Suk ,  Kyoung-Hwan Yeo ,  Ming Li ,  Yun-Young Yeoh

IPC分类号： H01L29/12 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7613 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/66439 ,  Y10S438/962 ,  Y10S977/937 ,  Y10S977/938

摘要： A single electron transistor includes source/drain layers disposed apart on a substrate, at least one nanowire channel connecting the source/drain layers, a plurality of oxide channel areas in the nanowire channel, the oxide channel areas insulating at least one portion of the nanowire channel, a quantum dot in the portion of the nanowire channel insulated by the plurality of oxide channel areas, and a gate electrode surrounding the quantum dot.

摘要翻译： 单电子晶体管包括分离在衬底上的源极/漏极层，连接源极/漏极层的至少一个纳米线沟道，纳米线沟道中的多个氧化物沟道区域，绝缘纳米线的至少一部分的氧化物沟道区域 通道，在由多个氧化物通道区域绝缘的纳米线通道的部分中的量子点和围绕量子点的栅电极。

公开(公告)号：US08124961B2

公开(公告)日：2012-02-28

申请号：US13152900

申请日：2011-06-03

申请人： Sung-Dae Suk ,  Kyoung-Hwan Yeo ,  Ming Li ,  Yun-Young Yeoh

发明人： Sung-Dae Suk ,  Kyoung-Hwan Yeo ,  Ming Li ,  Yun-Young Yeoh

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L31/00 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L29/7613 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/66439 ,  Y10S438/962 ,  Y10S977/937 ,  Y10S977/938

摘要： A single electron transistor includes source/drain layers disposed apart on a substrate, at least one nanowire channel connecting the source/drain layers, a plurality of oxide channel areas in the nanowire channel, the oxide channel areas insulating at least one portion of the nanowire channel, a quantum dot in the portion of the nanowire channel insulated by the plurality of oxide channel areas, and a gate electrode surrounding the quantum dot.

摘要翻译： 单电子晶体管包括分离在衬底上的源极/漏极层，连接源极/漏极层的至少一个纳米线沟道，纳米线沟道中的多个氧化物沟道区域，绝缘纳米线的至少一部分的氧化物沟道区域 通道，在由多个氧化物通道区域绝缘的纳米线通道的部分中的量子点和围绕量子点的栅电极。

公开(公告)号：US20100151649A1

公开(公告)日：2010-06-17

申请号：US12654332

申请日：2009-12-17

申请人： Sung-Dae Suk ,  Dong-Won Kim ,  Yun-Young Yeoh

发明人： Sung-Dae Suk ,  Dong-Won Kim ,  Yun-Young Yeoh

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L29/66795 ,  H01L29/66553 ,  H01L29/785

摘要： A method of forming a minute pattern includes forming mold patterns spaced apart from each other on an underlying structure, forming polysilicon spacers on sidewalls of the mold patterns, oxidizing the polysilicon spacers to form oxide layer patterns, and forming the minute pattern in a gap between the oxide layer patterns.

摘要翻译： 形成微小图案的方法包括在下面的结构上形成彼此分开的模具图案，在模具图案的侧壁上形成多晶硅间隔物，氧化多晶硅间隔物以形成氧化物层图案，并在 氧化层图案。

公开(公告)号：US20120238067A1

公开(公告)日：2012-09-20

申请号：US13422223

申请日：2012-03-16

申请人： Won-Cheol Jeong ,  Yun-Young Yeoh ,  Dong-Won Kim ,  Hong-Bae Park ,  Hag-Ju Cho

发明人： Won-Cheol Jeong ,  Yun-Young Yeoh ,  Dong-Won Kim ,  Hong-Bae Park ,  Hag-Ju Cho

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L29/66545 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/78

摘要： Methods of fabricating semiconductor devices including providing a substrate having a channel region defined therein; forming an insulation layer on the substrate; forming a gate trench for forming a gate electrode having a sidewall portion, a bottom portion and an edge portion between the sidewall portion and the bottom portion on the insulation layer, the gate electrode trench overlapping the channel region; and forming a gate electrode in the gate electrode trench. Forming the gate electrode includes forming a first metal layer pattern in the gate electrode trench and forming a second metal layer pattern on the first metal layer pattern.

摘要翻译： 制造半导体器件的方法包括提供其中限定有沟道区的衬底; 在所述基板上形成绝缘层; 形成用于形成具有侧壁部分，底部和所述侧壁部分与所述绝缘层上的所述底部之间的边缘部分的栅电极的栅极沟槽，所述栅电极沟槽与所述沟道区重叠; 以及在所述栅电极沟槽中形成栅电极。 形成栅电极包括在栅电极沟槽中形成第一金属层图案，并在第一金属层图案上形成第二金属层图案。

公开(公告)号：US20110233523A1

公开(公告)日：2011-09-29

申请号：US13152900

申请日：2011-06-03

申请人： Sung-Dae SUK ,  Kyoung-Hwan YEO ,  Ming LI ,  Yun-Young YEOH

发明人： Sung-Dae SUK ,  Kyoung-Hwan YEO ,  Ming LI ,  Yun-Young YEOH

IPC分类号： H01L29/76

CPC分类号： H01L29/7613 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/66439 ,  Y10S438/962 ,  Y10S977/937 ,  Y10S977/938

摘要： A single electron transistor includes source/drain layers disposed apart on a substrate, at least one nanowire channel connecting the source/drain layers, a plurality of oxide channel areas in the nanowire channel, the oxide channel areas insulating at least one portion of the nanowire channel, a quantum dot in the portion of the nanowire channel insulated by the plurality of oxide channel areas, and a gate electrode surrounding the quantum dot.

摘要翻译： 单电子晶体管包括分离在衬底上的源极/漏极层，连接源极/漏极层的至少一个纳米线沟道，纳米线沟道中的多个氧化物沟道区域，绝缘纳米线的至少一部分的氧化物沟道区域 通道，在由多个氧化物通道区域绝缘的纳米线通道的部分中的量子点和围绕量子点的栅电极。

公开(公告)号：US07955932B2

公开(公告)日：2011-06-07

申请号：US11905758

申请日：2007-10-03

申请人： Sung-Dae Suk ,  Kyoung-Hwan Yeo ,  Ming Li ,  Yun-Young Yeoh

发明人： Sung-Dae Suk ,  Kyoung-Hwan Yeo ,  Ming Li ,  Yun-Young Yeoh

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L31/00

CPC分类号： H01L29/7613 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/66439 ,  Y10S438/962 ,  Y10S977/937 ,  Y10S977/938

摘要： A single electron transistor includes source/drain layers disposed apart on a substrate, at least one nanowire channel connecting the source/drain layers, a plurality of oxide channel areas in the nanowire channel, the oxide channel areas insulating at least one portion of the nanowire channel, a quantum dot in the portion of the nanowire channel insulated by the plurality of oxide channel areas, and a gate electrode surrounding the quantum dot.

摘要翻译： 单电子晶体管包括分离在衬底上的源极/漏极层，连接源极/漏极层的至少一个纳米线沟道，纳米线沟道中的多个氧化物沟道区域，绝缘纳米线的至少一部分的氧化物沟道区域 通道，在由多个氧化物通道区域绝缘的纳米线通道的部分中的量子点和围绕量子点的栅电极。