公开(公告)号：US20060113627A1

公开(公告)日：2006-06-01

申请号：US10999508

申请日：2004-11-29

申请人： Chung-I Chen ,  Hsin Kuan ,  Zhi-Cheng Chen ,  Rann-Shyan Yeh ,  Chi-Hsuen Chang ,  Jun Liu ,  Tzu-Chiang Sung ,  Chia-Wei Liu ,  Jieh-Ting Chang

发明人： Chung-I Chen ,  Hsin Kuan ,  Zhi-Cheng Chen ,  Rann-Shyan Yeh ,  Chi-Hsuen Chang ,  Jun Liu ,  Tzu-Chiang Sung ,  Chia-Wei Liu ,  Jieh-Ting Chang

IPC分类号： H01L29/00

CPC分类号： H01L29/7835 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76832 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/66689 ,  H01L29/7816 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7836

摘要： A high-voltage transistor device with an interlayer dielectric (ILD) etch stop layer for use in a subsequent contact hole process is provided. The etch stop layer is a high-resistivity film having a resistivity greater than 10 ohm-cm, thus leakage is prevented and breakdown voltage is improved when driving a high voltage greater than 5V at the gate site. A method for fabricating the high-voltage device is compatible with current low-voltage device processes and middle-voltage device processes.

摘要翻译： 提供了一种用于后续接触孔工艺的具有层间电介质（ILD）蚀刻停止层的高压晶体管器件。 蚀刻停止层是具有大于10欧姆 - 厘米电阻率的高电阻率薄膜，因此在栅极处驱动大于5V的高电压时，可以防止泄漏并提高击穿电压。 制造高压器件的方法与当前的低压器件工艺和中压器件工艺兼容。

公开(公告)号：US07301185B2

公开(公告)日：2007-11-27

申请号：US10999508

申请日：2004-11-29

申请人： Chung-I Chen ,  Hsin Kuan ,  Zhi-Cheng Chen ,  Rann-Shyan Yeh ,  Chi-Hsuen Chang ,  Jun Xiu Liu ,  Tzu-Chiang Sung ,  Chia-Wei Liu ,  Jieh-Ting Cheng

发明人： Chung-I Chen ,  Hsin Kuan ,  Zhi-Cheng Chen ,  Rann-Shyan Yeh ,  Chi-Hsuen Chang ,  Jun Xiu Liu ,  Tzu-Chiang Sung ,  Chia-Wei Liu ,  Jieh-Ting Cheng

IPC分类号： H01L27/148 ,  H01L29/80 ,  H01L21/824

CPC分类号： H01L29/7835 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76832 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/66689 ,  H01L29/7816 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7836

摘要： A high-voltage transistor device with an interlayer dielectric (ILD) etch stop layer for use in a subsequent contact hole process is provided. The etch stop layer is a high-resistivity film having a resistivity greater than 10 ohm-cm, thus leakage is prevented and breakdown voltage is improved when driving a high voltage greater than 5V at the gate site. A method for fabricating the high-voltage device is compatible with current low-voltage device processes and middle-voltage device processes.

摘要翻译： 提供了一种用于后续接触孔工艺的具有层间电介质（ILD）蚀刻停止层的高压晶体管器件。 蚀刻停止层是具有大于10欧姆 - 厘米电阻率的高电阻率薄膜，因此在栅极处驱动大于5V的高电压时，可以防止泄漏并提高击穿电压。 制造高压器件的方法与当前的低压器件工艺和中压器件工艺兼容。

公开(公告)号：US20090308154A1

公开(公告)日：2009-12-17

申请号：US12341577

申请日：2008-12-22

申请人： Ming Yao Dong ,  Yung Lieh Chien ,  Zhi Cheng Chen ,  Ming Yi Wang

发明人： Ming Yao Dong ,  Yung Lieh Chien ,  Zhi Cheng Chen ,  Ming Yi Wang

IPC分类号： G01F23/00

CPC分类号： G01F23/22

摘要： The present invention relates to a fuel cartridge structure with sensor apparatus, comprising a main fuel solution tank provided with a casing with accommodation space, the accommodation space being used for storing the fuel solution; and a sensor apparatus mainly having two sensor components, the two sensor components being disposed on exterior surface or in the structure of the casing of the main fuel solution tank for achieving the objective of measurement.

摘要翻译： 本发明涉及一种具有传感器装置的燃料盒结构，包括：主燃料溶液箱，其设有具有容纳空间的壳体，该容纳空间用于储存燃料溶液; 以及主要具有两个传感器部件的传感器装置，两个传感器部件设置在主燃料溶液箱的外表面或壳体的结构中，以实现测量目的。