公开(公告)号：US20130288462A1

公开(公告)日：2013-10-31

申请号：US13911622

申请日：2013-06-06

申请人： Advanced Technology Materials, Inc.

发明人： Matthias Stender ,  Chongying Xu ,  Tianniu Chen ,  William Hunks ,  Philip S.H. Chen ,  Jeffrey F. Roeder ,  Thomas H. Baum

IPC分类号： H01L45/00

CPC分类号： H01L45/1616 ,  C07C333/16 ,  C07C395/00 ,  C07F7/10 ,  C23C16/305

摘要： Precursors for use in depositing tellurium-containing films on substrates such as wafers or other microelectronic device substrates, as well as associated processes of making and using such precursors, and source packages of such precursors. The precursors are useful for deposition of Ge2Sb2Te5 chalcogenide thin films in the manufacture of nonvolatile Phase Change Memory (PCM), by deposition techniques such as chemical vapor deposition (CVD) and atomic layer deposition (ALD).

摘要翻译： 用于在诸如晶片或其他微电子器件基底的基底上沉积含碲膜的前体，以及制备和使用这些前体的相关工艺以及这些前体的源封装。 前体可用于通过诸如化学气相沉积（CVD）和原子层沉积（ALD）的沉积技术在制造非易失性相变存储器（PCM）中沉积Ge2Sb2Te5硫族化物薄膜。

公开(公告)号：US08877549B2

公开(公告)日：2014-11-04

申请号：US14223500

申请日：2014-03-24

申请人： Advanced Technology Materials, Inc.

发明人： Jeffrey F. Roeder ,  Thomas H. Baum ,  Bryan C. Hendrix ,  Gregory T. Stauf ,  Chongying Xu ,  William Hunks ,  Tianniu Chen ,  Matthias Stender

IPC分类号： H01L51/40 ,  H01L51/00

CPC分类号： H01L51/0002 ,  C07F7/30 ,  C23C16/305 ,  C23C16/45553

摘要： A system and method for forming a phase change memory material on a substrate, in which the substrate is contacted with precursors for a phase change memory chalcogenide alloy under conditions producing deposition of the chalcogenide alloy on the substrate, at temperature below 350° C., with the contacting being carried out via chemical vapor deposition or atomic layer deposition. Various tellurium, germanium and germanium-tellurium precursors are described, which are useful for forming GST phase change memory films on substrates.

摘要翻译： 在基板上形成相变记忆材料的系统和方法，其中在温度低于350℃的条件下，在产生硫属元素化合物的沉积的条件下，在相变存储硫族化合物的前体与基板接触的基板上， 其接触通过化学气相沉积或原子层沉积进行。 描述了各种碲，锗和锗 - 碲前体，其可用于在基底上形成GST相变记忆膜。

公开(公告)号：US08796068B2

公开(公告)日：2014-08-05

申请号：US13911622

申请日：2013-06-06

申请人： Advanced Technology Materials, Inc.

发明人： Matthias Stender ,  Chongying Xu ,  Tianniu Chen ,  William Hunks ,  Philip S. H. Chen ,  Jeffrey F. Roeder ,  Thomas H. Baum

IPC分类号： H01L21/06

CPC分类号： H01L45/1616 ,  C07C333/16 ,  C07C395/00 ,  C07F7/10 ,  C23C16/305

摘要： Precursors for use in depositing tellurium-containing films on substrates such as wafers or other microelectronic device substrates, as well as associated processes of making and using such precursors, and source packages of such precursors. The precursors are useful for deposition of Ge2Sb2Te5 chalcogenide thin films in the manufacture of nonvolatile Phase Change Memory (PCM), by deposition techniques such as chemical vapor deposition (CVD) and atomic layer deposition (ALD).

摘要翻译： 用于在诸如晶片或其他微电子器件基底的基底上沉积含碲膜的前体，以及制备和使用这些前体的相关工艺以及这些前体的源封装。 前体可用于通过诸如化学气相沉积（CVD）和原子层沉积（ALD）的沉积技术在制造非易失性相变存储器（PCM）中沉积Ge2Sb2Te5硫族化物薄膜。

公开(公告)号：US20140295071A1

公开(公告)日：2014-10-02

申请号：US14301861

申请日：2014-06-11

申请人： ADVANCED TECHNOLOGY MATERIALS, INC.

发明人： Chongying Xu ,  Tianniu Chen ,  Thomas M. Cameron ,  Jeffrey F. Roeder ,  Thomas H. Baum

IPC分类号： C23C16/40 ,  C23C14/08

CPC分类号： C23C14/088 ,  C07F17/00 ,  C23C16/409 ,  C23C16/45553

摘要： Barium, strontium, tantalum and lanthanum precursor compositions useful for atomic layer deposition (ALD) and chemical vapor deposition (CVD) of titanate thin films. The precursors have the formula M(Cp)2, wherein M is strontium, barium, tantalum or lanthanum, and Cp is cyclopentadienyl, of the formula wherein each of R1-R5 is the same as or different from one another, with each being independently selected from among hydrogen, C1-C12 alkyl, C1-C12 amino, C6-C10 aryl, C1-C12 alkoxy, C3-C6 alkylsilyl, C2-C12 alkenyl, R1R2R3NNR3, wherein R1, R2 and R3 may be the same as or different from one another and each is independently selected from hydrogen and C1-C6 alkyl, and pendant ligands including functional group(s) providing further coordination to the metal center M. The precursors of the above formula are useful to achieve uniform coating of high dielectric constant materials in the manufacture of flash memory and other microelectronic devices.

摘要翻译： 用于钛酸盐薄膜的原子层沉积（ALD）和化学气相沉积（CVD）的钡，锶，钽和镧前体组合物。 前体具有式M（Cp）2，其中M是锶，钡，钽或镧，Cp是环戊二烯基，其中R 1 -R 5各自彼此相同或不同，各自独立地 选自氢，C1-C12烷基，C1-C12氨基，C6-C10芳基，C1-C12烷氧基，C3-C6烷基甲硅烷基，C2-C12烯基，R1R2R3NNR3，其中R1，R2和R3可以相同或不同 并且各自独立地选自氢和C 1 -C 6烷基，以及包括提供与金属中心M进一步配位的官能团的侧链配体。上式的前体可用于实现高介电常数的均匀涂布 材料制造闪存等微电子器件。

公开(公告)号：US08709863B2

公开(公告)日：2014-04-29

申请号：US13622233

申请日：2012-09-18

申请人： Advanced Technology Materials, Inc.

发明人： William Hunks ,  Tianniu Chen ,  Chongying Xu ,  Jeffrey F. Roeder ,  Thomas H. Baum ,  Matthias Stender ,  Philip S. H. Chen ,  Gregory T. Stauf ,  Bryan C. Hendrix

IPC分类号： H01L21/06

CPC分类号： H01L45/1616 ,  C07C251/08 ,  C07F7/003 ,  C07F7/10 ,  C07F7/28 ,  C07F9/90 ,  C07F9/902 ,  C07F17/00 ,  C23C16/18 ,  C23C16/305 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1683

摘要： Antimony, germanium and tellurium precursors useful for CVD/ALD of corresponding metal-containing thin films are described, along with compositions including such precursors, methods of making such precursors, and films and microelectronic device products manufactured using such precursors, as well as corresponding manufacturing methods. The precursors of the invention are useful for forming germanium-antimony-tellurium (GST) films and microelectronic device products, such as phase change memory devices, including such films.

摘要翻译： 描述了可用于相应的含金属薄膜的CVD / ALD的锑，锗和碲前体，以及包含这些前体的组合物，制备这种前体的方法，以及使用这些前体制备的膜和微电子器件产品，以及相应的制造 方法。 本发明的前体可用于形成锗 - 锑 - 碲（GST）膜和微电子器件产品，例如包括这种膜的相变存储器件。

公开(公告)号：US20140220733A1

公开(公告)日：2014-08-07

申请号：US14251475

申请日：2014-04-11

申请人： Advanced Technology Materials, Inc.

发明人： William Hunks ,  Tianniu Chen ,  Chongying Xu ,  Jeffrey F. Roeder ,  Thomas H. Baum ,  Matthias Stender ,  Philip S.H. Chen ,  Gregory T. Stauf ,  Bryan C. Hendrix

IPC分类号： H01L45/00

CPC分类号： H01L45/1616 ,  C07C251/08 ,  C07F7/003 ,  C07F7/10 ,  C07F7/28 ,  C07F9/90 ,  C07F9/902 ,  C07F17/00 ,  C23C16/18 ,  C23C16/305 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1683

摘要： Antimony, germanium and tellurium precursors useful for CVD/ALD of corresponding metal-containing thin films are described, along with compositions including such precursors, methods of making such precursors, and films and microelectronic device products manufactured using such precursors, as well as corresponding manufacturing methods. The precursors of the invention are useful for forming germanium-antimony-tellurium (GST) films and microelectronic device products, such as phase change memory devices, including such films.

摘要翻译： 描述了可用于相应的含金属薄膜的CVD / ALD的锑，锗和碲前体，以及包含这些前体的组合物，制备这些前体的方法，以及使用这种前体制备的膜和微电子器件产品，以及相应的制造 方法。 本发明的前体可用于形成锗 - 锑 - 碲（GST）膜和微电子器件产品，例如包括这种膜的相变存储器件。

公开(公告)号：US20140206134A1

公开(公告)日：2014-07-24

申请号：US14223500

申请日：2014-03-24

申请人： Advanced Technology Materials, Inc.

发明人： Jeffrey F. Roeder ,  Thomas H. Baum ,  Bryan C. Hendrix ,  Gregory T. Stauf ,  Chongying Xu ,  William Hunks ,  Tianniu Chen ,  Matthias Stender

IPC分类号： H01L51/00

CPC分类号： H01L51/0002 ,  C07F7/30 ,  C23C16/305 ,  C23C16/45553

摘要： A system and method for forming a phase change memory material on a substrate, in which the substrate is contacted with precursors for a phase change memory chalcogenide alloy under conditions producing deposition of the chalcogenide alloy on the substrate, at temperature below 350° C., with the contacting being carried out via chemical vapor deposition or atomic layer deposition. Various tellurium, germanium and germanium-tellurium precursors are described, which are useful for forming GST phase change memory films on substrates.

摘要翻译： 在基板上形成相变记忆材料的系统和方法，其中在温度低于350℃的条件下，在产生硫属元素化合物的沉积的条件下，在相变存储硫族化合物的前体与基板接触的基板上， 其接触通过化学气相沉积或原子层沉积进行。 描述了各种碲，锗和锗 - 碲前体，其可用于在基底上形成GST相变记忆膜。

公开(公告)号：US20130324390A1

公开(公告)日：2013-12-05

申请号：US13960412

申请日：2013-08-06

申请人： Advanced Technology Materials, Inc.

发明人： Peter C. Van Buskirk ,  Jeffrey F. Roeder ,  Steven M. Bilodeau ,  Michael W. Russell ,  Stephen T. Johnston ,  Daniel J. Vestyck ,  Thomas H. Baum

IPC分类号： H01L27/115

CPC分类号： H01L21/02197 ,  C04B35/491 ,  C04B2235/441 ,  C04B2235/449 ,  C04B2235/963 ,  C07C49/92 ,  C07F7/003 ,  C23C16/409 ,  H01G4/1245 ,  H01G4/33 ,  H01L21/02205 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/55

摘要： A novel lead zirconium titanate (PZT) material having unique properties and application for PZT thin film capacitors and ferroelectric capacitor structures, e.g., FeRAMs, employing such thin film material. The PZT material is scalable, being dimensionally scalable, pulse length scalable and/or E-field scalable in character, and is useful for ferroelectric capacitors over a wide range of thicknesses, e.g., from about 20 nanometers to about 150 nanometers, and a range of lateral dimensions extending to as low as 0.15 μm. Corresponding capacitor areas (i.e., lateral scaling) in a preferred embodiment are in the range of from about 104 to about 10−2 μm2. The scalable PZT material of the invention may be formed by liquid delivery MOCVD, without PZT film modification techniques such as acceptor doping or use of film modifiers (e.g., Nb, Ta, La, Sr, Ca and the like).

摘要翻译： 一种新颖的钛酸铅锆（PZT）材料，具有独特的性能和应用于PZT薄膜电容器和铁电电容器结构，例如采用这种薄膜材料的FeRAM。 PZT材料是可扩展的，尺寸可缩放的，脉冲长度可伸缩的和/或电场可扩展的特征，并且在宽范围的厚度例如约20纳米至约150纳米的范围内对于铁电电容器是有用的，并且范围 的横向尺寸延伸到低至0.15毫米。 在优选实施例中相应的电容器面积（即横向缩放）在约104至约10-2mum2的范围内。 本发明的可扩展的PZT材料可以通过液体输送MOCVD形成，而不需要PZT膜修饰技术，例如受体掺杂或使用膜改性剂（例如，Nb，Ta，La，Sr，Ca等）。