公开(公告)号：US06514425B1

公开(公告)日：2003-02-04

申请号：US09297320

申请日：1999-07-02

申请人： Akira Sekiya ,  Tetsuya Takagaki ,  Shinsuke Morikawa ,  Shunichi Yamashita ,  Tsuyoshi Takaichi ,  Yasuo Hibino ,  Yasuhisa Furutaka ,  Masami Iwasaki ,  Norifumi Ohtsuka

发明人： Akira Sekiya ,  Tetsuya Takagaki ,  Shinsuke Morikawa ,  Shunichi Yamashita ,  Tsuyoshi Takaichi ,  Yasuo Hibino ,  Yasuhisa Furutaka ,  Masami Iwasaki ,  Norifumi Ohtsuka

IPC分类号： C03C1500

CPC分类号： H01L21/3065

摘要： Disclosed is fluorocarbon-based dry etching gas which is free of global environmental problems and a dry etching method using a plasma gas obtained therefrom. The dry etching gas includes a fluorinated ether of carbon, fluorine, hydrogen and oxygen and having 2-6 carbon atoms.

摘要翻译： 公开了没有全球环境问题的基于碳氟化合物的干蚀刻气体，以及使用由其获得的等离子体气体的干蚀刻方法。 干蚀刻气体包括碳，氟，氢和氧的具有2-6个碳原子的氟化醚。

公开(公告)号：US4529476A

公开(公告)日：1985-07-16

申请号：US616114

申请日：1984-06-01

申请人： Yoshifumi Kawamoto ,  Hiroshi Kawakami ,  Tokuo Kure ,  Shinichi Tachi ,  Norikazu Hashimoto ,  Tsuyoshi Takaichi

发明人： Yoshifumi Kawamoto ,  Hiroshi Kawakami ,  Tokuo Kure ,  Shinichi Tachi ,  Norikazu Hashimoto ,  Tsuyoshi Takaichi

IPC分类号： C04B41/53 ,  C04B41/91 ,  C09K13/08 ,  H01L21/311 ,  B44C1/22 ,  C03C15/00 ,  C03C25/06

CPC分类号： C04B41/009 ,  C04B41/5346 ,  C04B41/91 ,  C09K13/08 ,  H01L21/31116

摘要： A dry-etching gas suitable for selective etching of silicon nitride and a process for selectively dry-etching silicon nitride with the dry-etching gas are disclosed. Silicon nitride can be dry-etched with a higher selectivity or at a higher etching rate than silicon dioxide and silicon, and a process for fabricating semi-conductor devices can be simplified and devices with a novel structure can be realized.

摘要翻译： 公开了适用于选择性蚀刻氮化硅的干蚀刻气体和用干蚀刻气体选择性干蚀刻氮化硅的工艺。 可以以比二氧化硅和硅更高的选择性或更高的蚀刻速率干蚀刻氮化硅，并且可以简化制造半导体器件的工艺，并且可以实现具有新颖结构的器件。