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公开(公告)号：US06373174B1
公开(公告)日：2002-04-16
申请号：US09459119
申请日：1999-12-10
IPC分类号： H01J102
CPC分类号： H01J29/84 , H01J3/022 , H01J21/105
摘要： A field emission device (100, 200, 300, 400, 500) includes a substrate (110, 210, 310, 410, 510), a cathode (115, 215, 315, 415, 515) formed thereon, a plurality of electron emitters (170, 270, 370, 470, 570) and a plurality of gate electrodes (150, 250, 350, 450, 550) proximately disposed to the plurality of electron emitters (170, 270, 370, 470, 570) for effecting electron emission therefrom, a dielectric layer (140, 240, 340, 440, 540) having a major surface (143, 243, 343, 443, 543), a surface passivation layer (190, 290, 390, 490, 590) formed on the major surface (143, 243, 343, 443, 543), and an anode (180, 280, 380, 480, 580) spaced from the gate electrodes (250, 350, 450, 550).
摘要翻译： 场发射器件（100,200,300,400,500）包括衬底（110,210,310,410,510），形成在其上的阴极（115,215,315,415,515），多个电子 发射器（170,270,370,470,570）以及近似设置在多个电子发射器（170,270,370,470,570）上的多个栅电极（150,250,350,450,550），用于实现 具有主表面（143,243,343,443,543）的电介质层（140,240,340,440,540），形成的表面钝化层（190,290,390,490,590） 在主表面（143,243,343,443,543）上，以及与栅电极（250,350,450,550）间隔开的阳极（180,280,380,480,580）。
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公开(公告)号：US06890230B2
公开(公告)日：2005-05-10
申请号：US09940756
申请日：2001-08-28
CPC分类号： B82Y10/00 , H01J1/3044 , H01J9/025 , H01J2201/30469
摘要： A field emission source comprising a first conductive region, a layer of nanotubes deposited on the first conductive region, and a second conductive region placed over and spaced from the nanotube coated first conductive region. After the device structure is fabricated, a laser beam is used to dislodge one end of the nanotube from the first conductive surface and an electric field is simultaneously applied to point the freed end of the nanotube at the second conductive region.
摘要翻译： 场致发射源，包括第一导电区域，沉积在第一导电区域上的纳米层，以及放置在纳米管涂覆的第一导电区域之上并与之隔开的第二导电区域。 在制造器件结构之后，使用激光束从第一导电表面移除纳米管的一端，同时施加电场以将纳米管的自由端指向第二导电区域。
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公开(公告)号：US07020374B2
公开(公告)日：2006-03-28
申请号：US10356550
申请日：2003-02-03
IPC分类号： G02B6/10
CPC分类号： G02B6/132
摘要： An optical waveguide structure (10) is provided. The optical waveguide structure (10) has a monocrystalline substrate (12), an amorphous interface layer (14) overlying the monocrystalline substrate (12) and an accommodating buffer layer (16) overlying the amorphous interface layer (14). An optical waveguide layer (20) overlies the accommodating buffer layer (16).
摘要翻译： 提供一种光波导结构（10）。 光波导结构（10）具有单晶衬底（12），覆盖单晶衬底（12）的非晶界面层（14）和覆盖在非晶界面层（14）上的容纳缓冲层（16）。 光波导层（20）覆盖容纳缓冲层（16）。
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公开(公告)号：US07083880B2
公开(公告)日：2006-08-01
申请号：US10222734
申请日：2002-08-15
CPC分类号： B82Y10/00 , B82Y40/00 , C23C14/086 , G03F7/0002 , G03F7/0017 , G03F7/093
摘要： This invention relates to semiconductor devices, microelectronic devices, micro electro mechanical devices, microfluidic devices, photonic devices, and more particularly to a lithographic template, a method of forming the lithographic template and a method for forming devices with the lithographic template. The lithographic template (10) is formed having a substrate (12), a transparent conductive layer (16) formed on a surface (14) of the substrate (12) by low pressure sputtering to a thickness that allows for preferably 90% transmission of ultraviolet light therethrough, and a patterning layer (20) formed on a surface (18) of the transparent conductive layer (16). The template (10) is used in the fabrication of a semiconductor device (30) for affecting a pattern in device (30) by positioning the template (10) in close proximity to semiconductor device (30) having a radiation sensitive material formed thereon and applying a pressure to cause the radiation sensitive material to flow into the relief image present on the template. Radiation is then applied through the template so as to cure portions of the radiation sensitive material and define the pattern in the radiation sensitive material. The template (10) is then removed to complete fabrication of semiconductor device (30).
摘要翻译： 本发明涉及半导体器件，微电子器件，微电子机械器件，微流体器件，光子器件，更具体地涉及光刻模板，形成光刻模板的方法和用光刻模板形成器件的方法。 光刻模板（10）形成为具有基板（12），通过低压溅射形成在基板（12）的表面（14）上的透明导电层（16）至允许优选90％透射率的厚度 紫外光，以及形成在透明导电层（16）的表面（18）上的图形层（20）。 模板（10）用于通过将模板（10）定位成紧邻其上形成有辐射敏感材料的半导体器件（30）而影响器件（30）中的图案的半导体器件（30）的制造，以及 施加压力以使辐射敏感材料流入存在于模板上的浮雕图像。 然后通过模板施加辐射，以便固化辐射敏感材料的部分并限定辐射敏感材料中的图案。 然后移除模板（10）以完成半导体器件（30）的制造。
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公开(公告)号：US07432024B2
公开(公告)日：2008-10-07
申请号：US11423621
申请日：2006-06-12
CPC分类号： B82Y10/00 , B82Y40/00 , C23C14/086 , G03F7/0002 , G03F7/0017 , G03F7/093
摘要： This invention relates to semiconductor devices, microelectronic devices, micro electro mechanical devices, microfluidic devices, photonic devices, and more particularly to a lithographic template, a method of forming the lithographic template and a method for forming devices with the lithographic template. The lithographic template (10) is formed having a substrate (12), a transparent conductive layer (16) formed on a surface (14) of the substrate (12) by low pressure sputtering to a thickness that allows for preferably 90% transmission of ultraviolet light therethrough, and a patterning layer (20) formed on a surface (18) of the transparent conductive layer (16). The template (10) is used in the fabrication of a semiconductor device (30) for affecting a pattern in device (30) by positioning the template (10) in close proximity to semiconductor device (30) having a radiation sensitive material formed thereon and applying a pressure to cause the radiation sensitive material to flow into the relief image present on the template. Radiation is then applied through the template so as to cure portions of the radiation sensitive material and define the pattern in the radiation sensitive material. The template (10) is then removed to complete fabrication of semiconductor device (30).
摘要翻译： 本发明涉及半导体器件，微电子器件，微电子机械器件，微流体器件，光子器件，更具体地涉及光刻模板，形成光刻模板的方法和用光刻模板形成器件的方法。 光刻模板（10）形成为具有基板（12），通过低压溅射形成在基板（12）的表面（14）上的透明导电层（16）至允许优选90％透射率的厚度 紫外光，以及形成在透明导电层（16）的表面（18）上的图形层（20）。 模板（10）用于通过将模板（10）定位成紧邻其上形成有辐射敏感材料的半导体器件（30）而影响器件（30）中的图案的半导体器件（30）的制造，以及 施加压力以使辐射敏感材料流入存在于模板上的浮雕图像。 然后通过模板施加辐射，以便固化辐射敏感材料的部分并限定辐射敏感材料中的图案。 然后移除模板（10）以完成半导体器件（30）的制造。
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公开(公告)号：US06290564B1
公开(公告)日：2001-09-18
申请号：US09408699
申请日：1999-09-30
IPC分类号： H01J902
CPC分类号： H01J9/025 , B82Y10/00 , H01J2201/30469
摘要： A method for fabricating an electron-emissive film (100) includes the steps of providing a powder (124), which has a plurality of carbon nanotubes (104); providing a substrate (102), a surface (103) of which defines a plurality of interstices (107); and dry spraying powder (124) onto surface (103) of substrate (102). The adjustable parameters of the dry spraying step include a separation distance of a spray nozzle (120) from surface (103), a spray angle between a spray (121) and surface (103), and a nozzle pressure at an opening (123) of spray nozzle (120). The separation distance, spray angle, and nozzle pressure are selected to achieve, for example, uniformity of electron-emissive film (100) and adhesion of carbon nanotubes (104) to substrate (102). They can also be selected to achieve a perpendicular orientation of a length-wise axis (105) of each of carbon nanotubes (104) with respect to surface (103) and to achieve the break down of aggregates of carbon nanotubes (104), so that carbon nanotubes (104) are deposited on substrate (102) substantially as individually isolated carbon nanotubes (104).
摘要翻译： 制造电子发射膜（100）的方法包括提供具有多个碳纳米管（104）的粉末（124）的步骤。 提供衬底（102），其表面（103）限定多个间隙（107）; 和将喷雾粉末（124）喷涂到基材（102）的表面（103）上。 干喷涂步骤的可调节参数包括喷嘴（120）与表面（103）的间隔距离，喷雾（121）和表面（103）之间的喷射角度以及开口处的喷嘴压力（123） 选择分离距离，喷雾角度和喷嘴压力，以实现例如电子发射膜（100）的均匀性和碳纳米管（104）与基底（102）的粘附。 还可以选择它们以实现碳纳米管（104）中每个碳纳米管（104）相对于表面（103）的纵向轴线（105）的垂直取向，并且实现碳纳米管（104）的聚集体的分解，因此 基本上作为单独分离的碳纳米管（104）将碳纳米管（104）沉积在基板（102）上。
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公开(公告)号：US6059627A
公开(公告)日：2000-05-09
申请号：US264308
申请日：1999-03-08
CPC分类号： B82Y10/00 , H01J1/304 , H01J2201/30469
摘要： A method or providing uniform emission current from a plurality of electron emitters with a composite current voltage characteristic (620), which include surface states that provide resonant tunneling emission of electrons (260). Field emission device (200) is operated beyond a decrease in the increase of emission current (630) as shown in the composite current voltage characteristic (620) in order to provide uniform emission current.
摘要翻译： 一种由具有复合电流电压特性（620）的多个电子发射器提供均匀发射电流的方法，其包括提供电子的共振隧道发射的表面状态（260）。 为了提供均匀的发射电流，如复合电流电压特性（620）所示，场发射器件（200）的运行超过了发射电流（630）增加的减小。
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公开(公告)号：US06672925B2
公开(公告)日：2004-01-06
申请号：US09932642
申请日：2001-08-17
IPC分类号： H01J900
CPC分类号： B82Y10/00 , H01J1/304 , H01J2201/30469 , H01J2201/317 , Y10S977/939
摘要： A vacuum microelectronic device (10,40) emits electrons (37) from surfaces of nanotube emitters (17, 18). Extracting electrons from the surface of each nanotube emitter (17) results is a small voltage variation between each emitter utilized in the device (10, 40). Consequently, the vacuum microelectronic device (10,40) has a more controllable turn-on voltage and a consistent current density from each nanotube emitter (17,18).
摘要翻译： 真空微电子器件（10,40）从纳米管发射器（17,18）的表面发射电子（37）。 从每个纳米管发射器（17）的表面提取电子的结果是在器件（10,40）中使用的每个发射极之间的电压变化很小。 因此，真空微电子器件（10,40）具有来自每个纳米管发射极（17,18）的更可控的接通电压和一致的电流密度。
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公开(公告)号：US06573642B1
公开(公告)日：2003-06-03
申请号：US09491357
申请日：2000-01-26
IPC分类号： H01J1304
CPC分类号： H01J1/3044 , H01J2201/30426
摘要： A field emission device (100) includes an electron emitter structure (105) having a deuteride layer (108), which defines a surface (109) of electron emitter structure (105). Deuteride layer (108) is disposed upon an electron emitter (106), which is made from a metal. Deuteride layer (108) is a deuteride of the metal from which electron emitter (106) is made. A method for conditioning field emission device (100) includes the step of providing a contaminated cathode structure (137), which has a contaminated emitter structure (138). The method further includes the step of causing deuterium to react with a metal oxide layer (140) of emitter structure (138), so that the deuterium replaces the oxygen of metal oxide layer (140).
摘要翻译： 场发射器件（100）包括具有限定电子发射器结构（105）的表面（109）的氘化层（108）的电子发射器结构（105）。 氘化层（108）设置在由金属制成的电子发射器（106）上。 氘化层（108）是制造电子发射体（106）的金属的氘化物。一种用于调节场发射装置（100）的方法包括提供污染的阴极结构（137）的步骤，该污染阴极结构具有污染的发射体结构 （138）。 该方法还包括使氘与发射极结构（138）的金属氧化物层（140）反应的步骤，使得氘代替金属氧化物层（140）的氧。
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公开(公告)号：US06353286B1
公开(公告)日：2002-03-05
申请号：US09414737
申请日：1999-10-08
申请人： Albert Alec Talin , Bernard F. Coll , Chenggang Xie , Yi Wei , Troy A. Trottier
发明人： Albert Alec Talin , Bernard F. Coll , Chenggang Xie , Yi Wei , Troy A. Trottier
IPC分类号： H01J1924
CPC分类号： H01J29/085 , H01J2329/00
摘要： A field emission display (100) includes an electron emitter structure (105) designed to emit an emission current (134), a phosphor (126) disposed to receive at an electron-receiving surface (127) emission current (134), and a multi-layered barrier structure (125) disposed on electron-receiving surface (127) of phosphor (126). Multi-layered barrier structure (125) of the preferred embodiment includes an aluminum layer (128) disposed on electron-receiving surface (127) of phosphor (126) and a carbon layer (129) disposed on aluminum layer (128).
摘要翻译： 场致发射显示器（100）包括被设计为发射发射电流（134）的电子发射器结构（105），设置成在电子接收表面（127）发射电流（134））处接收的荧光体（126） 设置在荧光体（126）的电子接收表面（127）上的多层势垒结构（125）。 优选实施例的多层阻挡结构（125）包括设置在磷光体（126）的电子接收表面（127）上的铝层（128）和设置在铝层（128）上的碳层。
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