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    N-Dopant for Carbon Nanotubes and Graphene
    1.
    发明申请
    N-Dopant for Carbon Nanotubes and Graphene 有权
    碳纳米管和石墨烯的N掺杂剂

    公开(公告)号：US20130143356A1

    公开(公告)日：2013-06-06

    申请号：US13308974

    申请日：2011-12-01

    申请人： Ali Afzali-Ardakani ,  Bhupesh Chandra ,  George S. Tulevski

    发明人： Ali Afzali-Ardakani ,  Bhupesh Chandra ,  George S. Tulevski

    IPC分类号： H01L51/40 ,  B82Y99/00

    CPC分类号： H01L51/0558 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L51/0018 ,  H01L51/002 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0072 ,  H01L51/055 ,  Y10S977/846 ,  Y10S977/938

    摘要： A composition and method for forming a field effect transistor with a stable n-doped nano-component. The method includes forming a gate dielectric on a gate, forming a channel comprising a nano-component on the gate dielectric, forming a source over a first region of the nano-component, forming a drain over a second region of the nano-component to form a field effect transistor, and exposing a portion of a nano-component of a field effect transistor to dihydrotetraazapentacene to produce a stable n-doped nano-component, wherein dihydrotetraazapentacene is represented by the formula: wherein in the dihydrotetraazapentacene chemical structure, each of R1, R2, R3, and R4 can be hydrogen, an alkyl group of C1 to C16 carbons, an alkoxy group, an alkylthio group, a trialkylsilane group, a hydroxymethyl group, a carboxylic acid group or a carboxylic ester group.

    摘要翻译： 用于形成具有稳定的n掺杂纳米组分的场效应晶体管的组合物和方法。 该方法包括在栅极上形成栅极电介质，在栅极电介质上形成包含纳米成分的沟道，在纳米元件的第一区域上形成源极，在纳米元件的第二区域上形成漏极， 形成场效应晶体管，并且将场效应晶体管的纳米组分的一部分暴露于二氢四氮杂萘以产生稳定的n掺杂纳米组分，其中二氢四氮杂芳烃由下式表示：其中在二氢四氮杂碳酸化学结构中， R1，R2，R3和R4可以是氢，C1〜C16碳的烷基，烷氧基，烷硫基，三烷基硅烷基，羟甲基，羧酸基或羧酸酯基。

    Chemical oxidation of graphene and carbon nanotubes using Cerium (IV) ammonium nitrate
    2.
    发明授权
    Chemical oxidation of graphene and carbon nanotubes using Cerium (IV) ammonium nitrate 有权
    使用硝酸铈（IV）硝酸铵对石墨烯和碳纳米管进行化学氧化

    公开(公告)号：US08912525B2

    公开(公告)日：2014-12-16

    申请号：US13329115

    申请日：2011-12-16

    申请人： Ali Afzali-Ardakani ,  Bhupesh Chandra ,  George S. Tulevski

    发明人： Ali Afzali-Ardakani ,  Bhupesh Chandra ,  George S. Tulevski

    IPC分类号： H01L29/06

    CPC分类号： H01L29/78 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/168 ,  C01B32/194

    摘要： A process comprises combining a Ce (IV) salt with a carbon material comprising CNT or graphene wherein the Ce (IV) salt is selected from a Ce (IV) ammonium salt of a nitrogen oxide acid and is dissolved in a solvent comprising water. The process is conducted under conditions to substantially oxidize the carbon material to produce an oxidized material that is substantially non-conducting. After the oxidation, the Ce (IV) is substantially removed from the oxidized material. This produces a product made by the process. An article of manufacture comprises the product on a substrate. The oxidized material can be formed as a pattern on the substrate. In another embodiment the substrate comprises an electronic device with the oxidized material patterning non-conductive areas separate from conductive areas of the non-oxidized carbon material, where the conductive areas are operatively associated with the device.

    摘要翻译： 一种方法包括将Ce（IV）盐与包含CNT或石墨烯的碳材料组合，其中Ce（IV）盐选自氮氧化物的Ce（IV）铵盐，并溶解在包含水的溶剂中。 该方法在基本上氧化碳材料以产生基本不导电的氧化材料的条件下进行。 在氧化之后，Ce（IV）从氧化物质中大体上去除。 这产生了由该过程制成的产品。 制品包括在基材上的产品。 氧化物可以形成为基板上的图案。 在另一个实施例中，衬底包括电子器件，其中氧化材料图案化非导电区域与非氧化碳材料的导电区域分离，其中导电区域与器件可操作地相关联。

    Cerium (IV) Salts as Effective Dopant for Carbon Nanotubes and Graphene
    7.
    发明申请
    Cerium (IV) Salts as Effective Dopant for Carbon Nanotubes and Graphene 有权
    铈（IV）盐作为碳纳米管和石墨烯的有效掺杂剂

    公开(公告)号：US20130153831A1

    公开(公告)日：2013-06-20

    申请号：US13329184

    申请日：2011-12-16

    申请人： Ali Afzali-Ardakani ,  Bhupesh Chandra ,  George S. Tulevski

    发明人： Ali Afzali-Ardakani ,  Bhupesh Chandra ,  George S. Tulevski

    IPC分类号： H01B1/04 ,  B82Y40/00 ,  B82Y30/00

    CPC分类号： H01J9/025 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/168 ,  H01J1/304 ,  H01J2201/30453 ,  H01J2201/30469

    摘要： A process comprises combining a Ce (IV) salt dissolved in a solvent comprising water with a carbon material comprising CNT or graphene wherein the Ce (IV) salt is selected from a Ce (IV) ammonium salt of a nitrogen oxide acid, Ce (IV) ammonium salt of a sulfur oxide acid, Ce (IV) salt of a lower alkyl organo sulfur acid, or Ce (IV) salt of a lower alkane organo sulfur acid. In one embodiment the Ce (IV) salt is selected from Ce (IV) ammonium nitrate, Ce (IV) ammonium sulfate, Ce (IV) lower alkyllsulfonate, or Ce (IV) trifluoro lower alkanesulfonate. A product is produced by this process. An article of manufacture comprises this product on a substrate.

    摘要翻译： 一种方法包括将溶解在包含水的溶剂中的Ce（IV）盐与包含CNT或石墨烯的碳材料组合，其中Ce（IV）盐选自氮氧化物的Ce（IV）铵盐，Ce（IV ）硫酸盐的铵盐，低级烷基有机硫酸的Ce（IV）盐或低级烷烃有机硫酸的Ce（IV）盐。 在一个实施方案中，Ce（IV）盐选自Ce（IV）硝酸铵，Ce（IV）硫酸铵，Ce（IV）低级烷基磺酸盐或Ce（IV）三氟低级链烷磺酸盐。 一个产品是通过这个过程生产的。 制品在基材上包含该产品。

    Chemical Oxidation of Graphene and Carbon Nanotubes Using Cerium (IV) Ammonium Nitrate
    8.
    发明申请
    Chemical Oxidation of Graphene and Carbon Nanotubes Using Cerium (IV) Ammonium Nitrate 有权
    使用硝酸铈（IV）硝酸铵对石墨烯和碳纳米管进行化学氧化

    公开(公告)号：US20130153855A1

    公开(公告)日：2013-06-20

    申请号：US13329115

    申请日：2011-12-16

    申请人： Ali Afzali-Ardakani ,  Bhupesh Chandra ,  George S. Tulevski

    发明人： Ali Afzali-Ardakani ,  Bhupesh Chandra ,  George S. Tulevski

    IPC分类号： H01L29/06 ,  C07C63/42 ,  C07C51/305 ,  C07C51/16 ,  C07C51/27 ,  B82Y40/00 ,  B82Y99/00

    CPC分类号： H01L29/78 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/168 ,  C01B32/194

    摘要： A process comprises combining a Ce (IV) salt with a carbon material comprising CNT or graphene wherein the Ce (IV) salt is selected from a Ce (IV) ammonium salt of a nitrogen oxide acid and is dissolved in a solvent comprising water. The process is conducted under conditions to substantially oxidize the carbon material to produce an oxidized material that is substantially non-conducting. After the oxidation, the Ce (IV) is substantially removed from the oxidized material. This produces a product made by the process. An article of manufacture comprises the product on a substrate. The oxidized material can be formed as a pattern on the substrate. In another embodiment the substrate comprises an electronic device with the oxidized material patterning non-conductive areas separate from conductive areas of the non-oxidized carbon material, where the conductive areas are operatively associated with the device.

    摘要翻译： 一种方法包括将Ce（IV）盐与包含CNT或石墨烯的碳材料组合，其中Ce（IV）盐选自氮氧化物的Ce（IV）铵盐，并溶解在包含水的溶剂中。 该方法在基本上氧化碳材料以产生基本不导电的氧化材料的条件下进行。 在氧化之后，Ce（IV）从氧化物质中大体上去除。 这产生了由该过程制成的产品。 制品包括在基材上的产品。 氧化物可以形成为基板上的图案。 在另一个实施例中，衬底包括电子器件，其中氧化材料图案化非导电区域与非氧化碳材料的导电区域分离，其中导电区域与器件可操作地相关联。