公开(公告)号：US20080178794A1

公开(公告)日：2008-07-31

申请号：US11698261

申请日：2007-01-25

申请人： An-Thung Cho ,  Chih-Wei Chao ,  Chia-Tien Peng ,  Wan-Yi Liu ,  Ming-Wei Sun

发明人： An-Thung Cho ,  Chih-Wei Chao ,  Chia-Tien Peng ,  Wan-Yi Liu ,  Ming-Wei Sun

IPC分类号： C03B25/00

CPC分类号： C23C16/345 ,  C23C16/401 ,  C23C16/56 ,  Y10S977/784 ,  Y10S977/809 ,  Y10S977/814 ,  Y10S977/844 ,  Y10S977/89 ,  Y10S977/891

摘要： The present invention relates to a method for forming a layered structure with silicon nanocrystals. In one embodiment, the method comprises the steps of: (i) forming a first conductive layer on a substrate, (ii) forming a silicon-rich dielectric layer on the first conductive layer, and (iii) laser-annealing at least the silicon-rich dielectric layer to induce silicon-rich aggregation to form a plurality of silicon nanocrystals in the silicon-rich dielectric layer. The silicon-rich dielectric layer is one of a silicon-rich oxide film having a refractive index in the range of about 1.4 to 2.3, or a silicon-rich nitride film having a refractive index in the range of about 1.7 to 2.3. The layered structure with silicon nanocrystals in a silicon-rich dielectric layer is usable in a solar cell, a photodetector, a touch panel, a non-volatile memory device as storage node, and a liquid crystal display.

摘要翻译： 本发明涉及一种用硅纳米晶形成层状结构的方法。 在一个实施例中，该方法包括以下步骤：（i）在衬底上形成第一导电层，（ii）在第一导电层上形成富硅介电层，和（iii）至少激光退火硅 富集的介电层以诱导富硅聚集在富硅介电层中形成多个硅纳米晶体。 富硅电介质层是折射率在约1.4至2.3范围内的富硅氧化物膜之一，或折射率在约1.7至2.3范围内的富含硅的氮化物膜之一。 在富硅介电层中具有硅纳米晶体的分层结构可用于太阳能电池，光电检测器，触摸面板，作为存储节点的非易失性存储器件和液晶显示器。

公开(公告)号：US07857907B2

公开(公告)日：2010-12-28

申请号：US11698261

申请日：2007-01-25

申请人： An-Thung Cho ,  Chih-Wei Chao ,  Chia-Tien Peng ,  Wan-Yi Liu ,  Ming-Wei Sun

发明人： An-Thung Cho ,  Chih-Wei Chao ,  Chia-Tien Peng ,  Wan-Yi Liu ,  Ming-Wei Sun

IPC分类号： C30B25/00 ,  C30B28/12

CPC分类号： C23C16/345 ,  C23C16/401 ,  C23C16/56 ,  Y10S977/784 ,  Y10S977/809 ,  Y10S977/814 ,  Y10S977/844 ,  Y10S977/89 ,  Y10S977/891

摘要： The present invention relates to a method for forming a layered structure with silicon nanocrystals. In one embodiment, the method comprises the steps of: (i) forming a first conductive layer on a substrate, (ii) forming a silicon-rich dielectric layer on the first conductive layer, and (iii) laser-annealing at least the silicon-rich dielectric layer to induce silicon-rich aggregation to form a plurality of silicon nanocrystals in the silicon-rich dielectric layer. The silicon-rich dielectric layer is one of a silicon-rich oxide film having a refractive index in the range of about 1.4 to 2.3, or a silicon-rich nitride film having a refractive index in the range of about 1.7 to 2.3. The layered structure with silicon nanocrystals in a silicon-rich dielectric layer is usable in a solar cell, a photodetector, a touch panel, a non-volatile memory device as storage node, and a liquid crystal display.

摘要翻译： 本发明涉及一种用硅纳米晶形成层状结构的方法。 在一个实施例中，该方法包括以下步骤：（i）在衬底上形成第一导电层，（ii）在第一导电层上形成富硅介电层，和（iii）至少激光退火硅 富集的介电层以诱导富硅聚集在富硅介电层中形成多个硅纳米晶体。 富硅电介质层是折射率在约1.4至2.3范围内的富硅氧化物膜之一，或折射率在约1.7至2.3范围内的富含硅的氮化物膜之一。 在富硅介电层中具有硅纳米晶体的分层结构可用于太阳能电池，光电检测器，触摸面板，作为存储节点的非易失性存储器件和液晶显示器。

公开(公告)号：US08093648B2

公开(公告)日：2012-01-10

申请号：US12501029

申请日：2009-07-10

申请人： An-Thung Cho ,  Chia-Tien Peng ,  Chih-Wei Chao ,  Wan-Yi Liu ,  Chia-Kai Chen ,  Chun-Hsiun Chen ,  Wei-Ming Huang

发明人： An-Thung Cho ,  Chia-Tien Peng ,  Chih-Wei Chao ,  Wan-Yi Liu ,  Chia-Kai Chen ,  Chun-Hsiun Chen ,  Wei-Ming Huang

IPC分类号： H01L29/788

CPC分类号： H01L29/7881 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/42348 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/792

摘要： A method for manufacturing a non-volatile memory and a structure thereof are provided. The manufacturing method comprises the following steps. Firstly, a substrate is provided. Next, a semiconductor layer is formed on the substrate. Then, a Si-rich dielectric layer is formed on the semiconductor layer. After that, a plurality of silicon nanocrystals is formed in the Si-rich dielectric layer by a laser annealing process to form a charge-storing dielectric layer. Last, a gate electrode is formed on the charge-storing dielectric layer.

摘要翻译： 提供了一种用于制造非易失性存储器的方法及其结构。 制造方法包括以下步骤。 首先，提供基板。 接下来，在基板上形成半导体层。 然后，在半导体层上形成富Si介电层。 之后，通过激光退火工艺在富Si介电层中形成多个硅纳米晶体，形成电荷存储电介质层。 最后，在电荷存储介质层上形成栅电极。

公开(公告)号：US20100012944A1

公开(公告)日：2010-01-21

申请号：US12400768

申请日：2009-03-09

申请人： An-Thung Cho ,  Chin-Wei Hu ,  Ming-Wei Sun ,  Chih-Wei Chao ,  Chia-Tien Peng ,  Kun-Chih Lin

发明人： An-Thung Cho ,  Chin-Wei Hu ,  Ming-Wei Sun ,  Chih-Wei Chao ,  Chia-Tien Peng ,  Kun-Chih Lin

IPC分类号： H01L29/04 ,  H01L21/84

CPC分类号： H01L29/78633 ,  H01L29/78675

摘要： A thin film transistor (TFT) formed on a transparent substrate is provided. The thin film transistor includes a patterned semiconductor layer, a gate insulating layer disposed on the patterned semiconductor layer, a gate electrode disposed on the gate insulating layer, and a patterned light-absorbing layer. The patterned semiconductor layer includes a channel region, and a source region and a drain region disposed on two opposite sides of the channel region in the pattern semiconductor layer. The patterned light-absorbing layer is disposed between the transparent substrate and the patterned semiconductor layer.

摘要翻译： 提供了形成在透明基板上的薄膜晶体管（TFT）。 薄膜晶体管包括图案化半导体层，设置在图案化半导体层上的栅极绝缘层，设置在栅极绝缘层上的栅电极和图案化的光吸收层。 图案化的半导体层包括沟道区，以及设置在图案半导体层中的沟道区的两个相对侧上的源极区和漏极区。 图案化的光吸收层设置在透明基板和图案化的半导体层之间。

公开(公告)号：US20080179762A1

公开(公告)日：2008-07-31

申请号：US11876516

申请日：2007-10-22

申请人： An-Thung Cho ,  Chih-Wei Chao ,  Chia-Tien Peng

发明人： An-Thung Cho ,  Chih-Wei Chao ,  Chia-Tien Peng

IPC分类号： H01L29/788 ,  H01L21/00 ,  H01L31/00 ,  H01L21/336 ,  B05D5/12 ,  H01L31/06

CPC分类号： H01L29/42332 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/66833 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/06 ,  H01L31/10 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： The present invention relates to a layered structure with laser-induced aggregation silicon nano-dots in a silicon-rich dielectric layer, where the laser-induced aggregation silicon nano-dots are formed by a laser-induced aggregation process applied to the silicon-rich dielectric layer, and applications of the same. In one embodiment, the silicon-rich dielectric layer is one of a silicon-rich oxide film having a refractive index in the range of about 1.4 to 2.3, and a silicon-rich nitride film having a refractive index in the range of about 1.7 to 2.3. The layered structure with laser-induced aggregation silicon nano-dots in a silicon-rich dielectric layer is usable in a solar cell, a photosensitive element, a touch panel, a non-volatile memory device as storage node, and a display panel, respectively.

摘要翻译： 本发明涉及在富硅介电层中具有激光诱导的聚集硅纳米点的层状结构，其中激光诱导的聚集硅纳米点通过激光诱导的聚集方法形成，所述聚集硅纳米点应用于富硅 介电层及其应用。 在一个实施方案中，富硅介电层是折射率在约1.4至2.3范围内的富硅氧化物膜之一，富含硅的氮化物膜的折射率在约1.7至 2.3。 在富硅电介质层中具有激光诱导的聚集硅纳米点的层状结构可分别用于太阳能电池，感光元件，触摸面板，作为存储节点的非易失性存储器件和显示面板 。

公开(公告)号：US08553186B2

公开(公告)日：2013-10-08

申请号：US12571449

申请日：2009-10-01

申请人： An-Thung Cho ,  Chia-Tien Peng ,  Wan-Yi Liu ,  Chun-Hsiun Chen ,  Wei-Ming Huang

发明人： An-Thung Cho ,  Chia-Tien Peng ,  Wan-Yi Liu ,  Chun-Hsiun Chen ,  Wei-Ming Huang

IPC分类号： G02F1/133

CPC分类号： H01L27/1214 ,  G02F1/1362 ,  G02F2001/13324 ,  G02F2202/36 ,  G09G3/3611 ,  G09G2330/02 ,  G09G2360/144 ,  H01L27/1259 ,  H01L29/78621

摘要： A display panel having a pixel region and a sensing region includes a first substrate, a second substrate and a display medium layer. A plurality of pixel structures and at least one photo-voltaic cell device are disposed on the first substrate. The pixel structures are arranged in the pixel region in array, and each of the pixel structures includes a thin film transistor and a pixel electrode electrically connected to the thin film transistor. The photo-voltaic cell device disposed in the sensing region includes a doped semiconductor layer, a transparent electrode layer, a first type doped silicon-rich dielectric layer and a second type doped silicon-rich dielectric layer. The first type doped silicon-rich dielectric layer and the second type doped silicon-rich dielectric layer are disposed between the doped semiconductor layer and the transparent electrode layer. The display medium layer is disposed between the first substrate and the second substrate.

摘要翻译： 具有像素区域和感测区域的显示面板包括第一基板，第二基板和显示介质层。 多个像素结构和至少一个光电池单元设置在第一基板上。 像素结构被布置在阵列中的像素区域中，并且每个像素结构包括薄膜晶体管和电连接到薄膜晶体管的像素电极。 设置在感测区域中的光伏电池器件包括掺杂半导体层，透明电极层，第一类掺杂富硅介电层和第二掺杂富硅介电层。 第一类掺杂富硅介电层和第二掺杂富硅介电层设置在掺杂半导体层和透明电极层之间。 显示介质层设置在第一基板和第二基板之间。

公开(公告)号：US20100315580A1

公开(公告)日：2010-12-16

申请号：US12571449

申请日：2009-10-01

申请人： An-Thung Cho ,  Chia-Tien Peng ,  Wan-Yi Liu ,  Chun-Hsiun Chen ,  Wei-Ming Huang

发明人： An-Thung Cho ,  Chia-Tien Peng ,  Wan-Yi Liu ,  Chun-Hsiun Chen ,  Wei-Ming Huang

IPC分类号： G02F1/133 ,  H01L21/77

CPC分类号： H01L27/1214 ,  G02F1/1362 ,  G02F2001/13324 ,  G02F2202/36 ,  G09G3/3611 ,  G09G2330/02 ,  G09G2360/144 ,  H01L27/1259 ,  H01L29/78621

摘要： A display panel having a pixel region and a sensing region includes a first substrate, a second substrate and a display medium layer. A plurality of pixel structures and at least one photo-voltaic cell device are disposed on the first substrate. The pixel structures are arranged in the pixel region in array, and each of the pixel structures includes a thin film transistor and a pixel electrode electrically connected to the thin film transistor. The photo-voltaic cell device disposed in the sensing region includes a doped semiconductor layer, a transparent electrode layer, a first type doped silicon-rich dielectric layer and a second type doped silicon-rich dielectric layer. The first type doped silicon-rich dielectric layer and the second type doped silicon-rich dielectric layer are disposed between the doped semiconductor layer and the transparent electrode layer. The display medium layer is disposed between the first substrate and the second substrate.

摘要翻译： 具有像素区域和感测区域的显示面板包括第一基板，第二基板和显示介质层。 多个像素结构和至少一个光电池单元设置在第一基板上。 像素结构被布置在阵列中的像素区域中，并且每个像素结构包括薄膜晶体管和电连接到薄膜晶体管的像素电极。 设置在感测区域中的光伏电池器件包括掺杂半导体层，透明电极层，第一类掺杂富硅介电层和第二掺杂富硅介电层。 第一类掺杂富硅介电层和第二掺杂富硅介电层设置在掺杂半导体层和透明电极层之间。 显示介质层设置在第一基板和第二基板之间。

公开(公告)号：US09577137B2

公开(公告)日：2017-02-21

申请号：US12202647

申请日：2008-09-02

申请人： An-Thung Cho ,  Chih-Wei Chao ,  Chia-Tien Peng ,  Kun-Chih Lin

发明人： An-Thung Cho ,  Chih-Wei Chao ,  Chia-Tien Peng ,  Kun-Chih Lin

IPC分类号： H01L31/04 ,  H01L31/0352 ,  H01L21/28 ,  H01L27/12 ,  H01L31/06 ,  H01L31/10 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/1804 ,  G01J1/0247 ,  G01J1/4204 ,  H01L21/28273 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1214 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/06 ,  H01L31/10 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： One aspect of the present invention relates to a photovoltaic cell. In one embodiment, the photovoltaic cell includes a first conductive layer, an N-doped semiconductor layer formed on the first conductive layer, a first silicon layer formed on the N-doped semiconductor layer, a nanocrystalline silicon (nc-Si) layer formed on a first silicon layer, a second silicon layer formed on the nc-Si layer, a P-doped semiconductor layer on the second silicon layer, and a second conductive layer formed on the P-doped semiconductor layer, where one of the first silicon layer and the second silicon layer is formed of amorphous silicon, and the other of the first silicon layer and the second silicon layer formed of polycrystalline silicon.

摘要翻译： 本发明的一个方面涉及一种光伏电池。 在一个实施例中，光伏电池包括第一导电层，形成在第一导电层上的N掺杂半导体层，形成在N掺杂半导体层上的第一硅层，形成在N掺杂半导体层上的纳米晶硅（nc-Si）层 第一硅层，形成在nc-Si层上的第二硅层，在第二硅层上的P掺杂半导体层，以及形成在P掺杂半导体层上的第二导电层，其中第一硅层 并且所述第二硅层由非晶硅形成，并且所述第一硅层和所述第二硅层中的另一个由多晶硅形成。

公开(公告)号：US07829920B2

公开(公告)日：2010-11-09

申请号：US12175585

申请日：2008-07-18

申请人： An-Thung Cho ,  Chia-Tien Peng ,  Kun-Chih Lin ,  Wen-Jen Chiang ,  Chih-Yang Chen ,  Chrong-Jung Lin ,  Ya-Chin King ,  Chih-Wei Chao ,  Chien-Sen Weng ,  Feng-Yuan Gan

发明人： An-Thung Cho ,  Chia-Tien Peng ,  Kun-Chih Lin ,  Wen-Jen Chiang ,  Chih-Yang Chen ,  Chrong-Jung Lin ,  Ya-Chin King ,  Chih-Wei Chao ,  Chien-Sen Weng ,  Feng-Yuan Gan

IPC分类号： H01L31/062

CPC分类号： H01L31/153

摘要： A photo detector has a sensing TFT (thin film transistor) and a photodiode. The sensing TFT has a gate and a base. The photodiode has an intrinsic semiconductor region electrically connected to the gate and the base of the sensing TFT. The sensing TFT and the photodiode both have a structure comprising low temperature poly-silicon. A display panel contains the photo detector is also disclosed.

摘要翻译： 光电检测器具有感测TFT（薄膜晶体管）和光电二极管。 感测TFT具有栅极和基极。 光电二极管具有与感测TFT的栅极和基极电连接的本征半导体区域。 感测TFT和光电二极管都具有包括低温多晶硅的结构。 还披露了包含光电检测器的显示面板。

公开(公告)号：US20090050906A1

公开(公告)日：2009-02-26

申请号：US12175585

申请日：2008-07-18

申请人： An-Thung Cho ,  Chia-Tien Peng ,  Kun-Chih Lin ,  Wen-Jen Chiang ,  Chih-Yang Chen ,  Chrong-Jung Lin ,  Ya-Chin King ,  Chih-Wei Chao ,  Chien-Sen Weng ,  Feng-Yuan Gan

发明人： An-Thung Cho ,  Chia-Tien Peng ,  Kun-Chih Lin ,  Wen-Jen Chiang ,  Chih-Yang Chen ,  Chrong-Jung Lin ,  Ya-Chin King ,  Chih-Wei Chao ,  Chien-Sen Weng ,  Feng-Yuan Gan

IPC分类号： H01L31/147 ,  H01L31/112

CPC分类号： H01L31/153

摘要： A photo detector has a sensing TFT (thin film transistor) and a photodiode. The sensing TFT has a gate and a base. The photodiode has an intrinsic semiconductor region electrically connected to the gate and the base of the sensing TFT. The sensing TFT and the photodiode both have a structure comprising low temperature poly-silicon. A display panel contains the photo detector is also disclosed.

摘要翻译： 光电检测器具有感测TFT（薄膜晶体管）和光电二极管。 感测TFT具有栅极和基极。 光电二极管具有与感测TFT的栅极和基极电连接的本征半导体区域。 感测TFT和光电二极管都具有包括低温多晶硅的结构。 还披露了包含光电检测器的显示面板。