公开(公告)号：US20110305997A1

公开(公告)日：2011-12-15

申请号：US12815181

申请日：2010-06-14

申请人： Anton DeVilliers ,  Michael Hyatt

发明人： Anton DeVilliers ,  Michael Hyatt

IPC分类号： G03F7/20

CPC分类号： G03F7/2022 ,  G03F7/70466 ,  H01L21/76814

摘要： Methods of forming a pattern in a material and methods of forming openings in a material to be patterned are disclosed, such as a method that includes exposing first portions of a first material to radiation through at least two apertures of a mask arranged over the first material, shifting the mask so that the at least two apertures overlap a portion of the first portions of the first material, and exposing second portions of the first material to radiation through the at least two apertures. The first portions and the second portions will overlap in such a way that non-exposed portions of the first material are arranged between the first portions and second portions. The non-exposed or exposed portions of the first material may then be removed. The remaining first material may be used as a photoresist mask to form vias in an integrated circuit. The pattern of vias produced have the capability to exceed the current imaging resolution of a single exposure treatment.

摘要翻译： 公开了在材料中形成图案的方法和在待图案化的材料中形成开口的方法，例如包括将第一材料的第一部分暴露于通过布置在第一材料上的掩模的至少两个孔的辐射的方法 移动所述掩模使得所述至少两个孔与所述第一材料的所述第一部分的一部分重叠，以及将所述第一材料的第二部分暴露于通过所述至少两个孔的辐射。 第一部分和第二部分将以这样的方式重叠，使得第一材料的未暴露部分布置在第一部分和第二部分之间。 然后可以去除第一材料的未曝光或暴露部分。 剩余的第一材料可以用作光致抗蚀剂掩模以在集成电路中形成通孔。 所产生的通孔的图案具有超过单次曝光处理的当前成像分辨率的能力。

公开(公告)号：US08871407B2

公开(公告)日：2014-10-28

申请号：US13416351

申请日：2012-03-09

申请人： Anton Devilliers ,  Michael Hyatt

发明人： Anton Devilliers ,  Michael Hyatt

IPC分类号： G03F1/00 ,  G03F7/20 ,  H01L21/768

CPC分类号： G03F1/00 ,  G03F7/20 ,  H01L21/768

摘要： A method of forming a mask for use in fabricating an integrated circuit includes forming first non-removable portions of a photoresist material through a mask having a plurality of apertures, shifting the mask, forming second non-removable second portions of the photoresist material overlapping the first portions, and removing removable portions of the photoresist material arranged between the first and second portions. The formed photoresist mask may be used to form vias in an integrated circuit. The pattern of vias produced have the capability to exceed the current imaging resolution of a single exposure treatment.

摘要翻译： 形成用于制造集成电路的掩模的方法包括通过具有多个孔的掩模形成光致抗蚀剂材料的第一不可除去部分，移动掩模，形成与第一不可拆卸的光致抗蚀剂材料重叠的第二部分 第一部分，以及去除布置在第一和第二部分之间的光致抗蚀剂材料的可除去部分。 形成的光致抗蚀剂掩模可用于在集成电路中形成通孔。 所产生的通孔的图案具有超过单次曝光处理的当前成像分辨率的能力。

公开(公告)号：US08512938B2

公开(公告)日：2013-08-20

申请号：US12815181

申请日：2010-06-14

申请人： Anton DeVilliers ,  Michael Hyatt

发明人： Anton DeVilliers ,  Michael Hyatt

IPC分类号： G03F7/20

CPC分类号： G03F7/2022 ,  G03F7/70466 ,  H01L21/76814

摘要： Methods of forming a pattern in a material and methods of forming openings in a material to be patterned are disclosed, such as a method that includes exposing first portions of a first material to radiation through at least two apertures of a mask arranged over the first material, shifting the mask so that the at least two apertures overlap a portion of the first portions of the first material, and exposing second portions of the first material to radiation through the at least two apertures. The first portions and the second portions will overlap in such a way that non-exposed portions of the first material are arranged between the first portions and second portions. The non-exposed or exposed portions of the first material may then be removed. The remaining first material may be used as a photoresist mask to form vias in an integrated circuit. The pattern of vias produced have the capability to exceed the current imaging resolution of a single exposure treatment.

摘要翻译： 公开了在材料中形成图案的方法和在待图案化的材料中形成开口的方法，例如包括将第一材料的第一部分暴露于通过布置在第一材料上的掩模的至少两个孔的辐射的方法 移动所述掩模使得所述至少两个孔与所述第一材料的所述第一部分的一部分重叠，以及将所述第一材料的第二部分暴露于通过所述至少两个孔的辐射。 第一部分和第二部分将以这样的方式重叠，使得第一材料的未暴露部分布置在第一部分和第二部分之间。 然后可以去除第一材料的未曝光或暴露部分。 剩余的第一材料可以用作光致抗蚀剂掩模以在集成电路中形成通孔。 所产生的通孔的图案具有超过单次曝光处理的当前成像分辨率的能力。

公开(公告)号：US20120164566A1

公开(公告)日：2012-06-28

申请号：US13416351

申请日：2012-03-09

申请人： Anton Devilliers ,  Michael Hyatt

发明人： Anton Devilliers ,  Michael Hyatt

IPC分类号： G03F1/00

CPC分类号： G03F1/00 ,  G03F7/20 ,  H01L21/768

摘要： A method of forming a mask for use in fabricating an integrated circuit includes forming first non-removable portions of a photoresist material through a mask having a plurality of apertures, shifting the mask, forming second non-removable second portions of the photoresist material overlapping the first portions, and removing removable portions of the photoresist material arranged between the first and second portions. The formed photoresist mask may be used to form vias in an integrated circuit. The pattern of vias produced have the capability to exceed the current imaging resolution of a single exposure treatment.

摘要翻译： 形成用于制造集成电路的掩模的方法包括通过具有多个孔的掩模形成光致抗蚀剂材料的第一不可除去部分，移动掩模，形成与第一不可拆卸的光致抗蚀剂材料重叠的第二部分 第一部分，以及去除布置在第一和第二部分之间的光致抗蚀剂材料的可除去部分。 形成的光致抗蚀剂掩模可用于在集成电路中形成通孔。 所产生的通孔的图案具有超过单次曝光处理的当前成像分辨率的能力。

公开(公告)号：US20120038895A1

公开(公告)日：2012-02-16

申请号：US12857316

申请日：2010-08-16

申请人： Yuan He ,  Kaveri Jain ,  Lijing Gou ,  Zishu Zhang ,  Anton deVilliers ,  Michael Hyatt ,  Jianming Zhou ,  Scott Light ,  Dan Millward

发明人： Yuan He ,  Kaveri Jain ,  Lijing Gou ,  Zishu Zhang ,  Anton deVilliers ,  Michael Hyatt ,  Jianming Zhou ,  Scott Light ,  Dan Millward

IPC分类号： G03B27/54 ,  G03B27/32

CPC分类号： G03F7/70116 ,  G03F7/70891

摘要： Photolithographic apparatus and methods are disclosed. One such apparatus includes an optical path configured to provide a first diffraction pattern in a portion of an optical system and to provide a second diffraction pattern to the portion of the optical system after providing the first diffraction pattern. Meanwhile, one such method includes providing a first diffraction pattern onto a portion of an optical system, wherein a semiconductor article is imaged using the first diffraction pattern. A second diffraction pattern is also provided onto the portion of the optical system, but the second diffraction pattern is not used to image the semiconductor article.

摘要翻译： 公开了光刻设备和方法。 一种这样的设备包括光路，其被配置为在光学系统的一部分中提供第一衍射图案，并且在提供第一衍射图案之后，向光学系统的部分提供第二衍射图案。 同时，一种这样的方法包括在光学系统的一部分上提供第一衍射图案，其中半导体制品使用第一衍射图案成像。 第二衍射图案也提供到光学系统的部分上，但是第二衍射图案不用于对半导体制品进行成像。

公开(公告)号：US08883372B2

公开(公告)日：2014-11-11

申请号：US13489437

申请日：2012-06-05

申请人： Scott Light ,  Dan Millward ,  Anton Devilliers ,  Yuan He ,  Michael Hyatt ,  Lijing Gou ,  Kaveri Jain ,  Zishu Zhang ,  Jianming Zhou

发明人： Scott Light ,  Dan Millward ,  Anton Devilliers ,  Yuan He ,  Michael Hyatt ,  Lijing Gou ,  Kaveri Jain ,  Zishu Zhang ,  Jianming Zhou

IPC分类号： G03F1/00

CPC分类号： G03F1/50

摘要： A reticle with a composite polarizer includes: a transparent substrate; a patterned layer disposed on said transparent substrate; and a polarizing filter disposed on said transparent substrate, wherein said transparent substrate is substantially transparent with respect to illumination light, said patterned layer is partially opaque with respect to said illumination light, and said polarizing filter is capable of selectively polarizing said illumination light.

摘要翻译： 具有复合偏振片的掩模版包括：透明基板; 设置在所述透明基板上的图案层; 以及设置在所述透明基板上的偏振滤光器，其中所述透明基板相对于照明光基本上是透明的，所述图案化层相对于所述照明光部分不透明，并且所述偏振滤光片能够选择性地偏振所述照明光。

公开(公告)号：US08845908B2

公开(公告)日：2014-09-30

申请号：US12862524

申请日：2010-08-24

申请人： Scott L. Light ,  Dan Millward ,  Yuan He ,  Kaveri Jain ,  Lijing Gou ,  Zishu Zhang ,  Anton deVilliers ,  Michael Hyatt ,  Jianming Zhou

发明人： Scott L. Light ,  Dan Millward ,  Yuan He ,  Kaveri Jain ,  Lijing Gou ,  Zishu Zhang ,  Anton deVilliers ,  Michael Hyatt ,  Jianming Zhou

IPC分类号： G03F1/38 ,  G03F7/20

CPC分类号： G03F7/70741 ,  G03F1/38 ,  G03F7/70433 ,  G03F7/70891

摘要： A method of mitigating asymmetric lens heating in photolithographically patterning a photo-imagable material using a reticle includes determining where first hot spot locations are expected to occur on a lens when using a reticle to pattern a photo-imagable material. The reticle is then fabricated to include non-printing features within a non-printing region of the reticle which generate additional hot spot locations on the lens when using the reticle to pattern the photo-imagable material. Other implementations are contemplated, including reticles which may be independent of method of use or fabrication.

摘要翻译： 减轻非对称透镜加热的方法是使用光罩光刻地图案化可光成像的材料，包括确定在使用掩模版图案化可成像材料时期望第一热点位置在透镜上发生的位置。 然后制造掩模版以在掩模版的非打印区域内包括非打印特征，当使用掩模版来图案化可光成像材料时，在透镜上产生额外的热点位置。 考虑了其他实施方式，包括可以独立于使用或制造方法的标线。

公开(公告)号：US20110217843A1

公开(公告)日：2011-09-08

申请号：US12716071

申请日：2010-03-02

申请人： Anton Devilliers ,  Michael Hyatt

发明人： Anton Devilliers ,  Michael Hyatt

IPC分类号： H01L21/768 ,  G03F7/20 ,  G03F1/00

CPC分类号： G03F1/00 ,  G03F7/20 ,  H01L21/768

摘要： A method of forming a mask for use in fabricating an integrated circuit includes forming first non-removable portions of a photoresist material through a mask having a plurality of apertures, shifting the mask, forming second non-removable second portions of the photoresist material overlapping the first portions, and removing removable portions of the photoresist material arranged between the first and second portions. The formed photoresist mask may be used to form vias in an integrated circuit. The pattern of vias produced have the capability to exceed the current imaging resolution of a single exposure treatment.

摘要翻译： 形成用于制造集成电路的掩模的方法包括通过具有多个孔的掩模形成光致抗蚀剂材料的第一不可除去部分，移动掩模，形成与第一不可拆卸的光致抗蚀剂材料重叠的第二部分 第一部分，以及去除布置在第一和第二部分之间的光致抗蚀剂材料的可除去部分。 形成的光致抗蚀剂掩模可用于在集成电路中形成通孔。 所产生的通孔的图案具有超过单次曝光处理的当前成像分辨率的能力。

公开(公告)号：US09235134B2

公开(公告)日：2016-01-12

申请号：US12857316

申请日：2010-08-16

申请人： Yuan He ,  Kaveri Jain ,  Lijing Gou ,  Zishu Zhang ,  Anton deVilliers ,  Michael Hyatt ,  Jianming Zhou ,  Scott Light ,  Dan Millward

发明人： Yuan He ,  Kaveri Jain ,  Lijing Gou ,  Zishu Zhang ,  Anton deVilliers ,  Michael Hyatt ,  Jianming Zhou ,  Scott Light ,  Dan Millward

IPC分类号： G03B27/42 ,  G03F7/20

CPC分类号： G03F7/70116 ,  G03F7/70891

摘要： Photolithographic apparatus and methods are disclosed. One such apparatus includes an optical path configured to provide a first diffraction pattern in a portion of an optical system and to provide a second diffraction pattern to the portion of the optical system after providing the first diffraction pattern. Meanwhile, one such method includes providing a first diffraction pattern onto a portion of an optical system, wherein a semiconductor article is imaged using the first diffraction pattern. A second diffraction pattern is also provided onto the portion of the optical system, but the second diffraction pattern is not used to image the semiconductor article.

摘要翻译： 公开了光刻设备和方法。 一种这样的设备包括光路，其被配置为在光学系统的一部分中提供第一衍射图案，并且在提供第一衍射图案之后，向光学系统的部分提供第二衍射图案。 同时，一种这样的方法包括在光学系统的一部分上提供第一衍射图案，其中半导体制品使用第一衍射图案成像。 第二衍射图案也提供到光学系统的部分上，但是第二衍射图案不用于对半导体制品进行成像。

公开(公告)号：US08625078B2

公开(公告)日：2014-01-07

申请号：US13080666

申请日：2011-04-06

申请人： Jianming Zhou ,  Scott Light ,  Dan Millward ,  Yuan He ,  Kaveri Jain ,  Lijing Gou ,  Zishu Zhang ,  Anton DeVilliers ,  Michael Hyatt

发明人： Jianming Zhou ,  Scott Light ,  Dan Millward ,  Yuan He ,  Kaveri Jain ,  Lijing Gou ,  Zishu Zhang ,  Anton DeVilliers ,  Michael Hyatt

IPC分类号： G03B27/32 ,  G03B27/52

CPC分类号： G03F7/70891 ,  G03F7/70125

摘要： A method for reducing the effects of lens heating of a lens in an imaging process includes determining heat load locations on the lens according to an illumination source and a reticle design, obtaining a lens response characterization according to the heat load locations, and utilizing the heat load locations and the lens response characterization to generate a lens heating sensitivity map.

摘要翻译： 在成像过程中减少透镜加热效果的方法包括根据照明源和掩模版设计确定透镜上的热负荷位置，根据热负荷位置获得透镜响应特性，并利用热量 加载位置和镜头响应表征以产生透镜加热灵敏度图。