公开(公告)号：US20100025659A1

公开(公告)日：2010-02-04

申请号：US12512428

申请日：2009-07-30

申请人： CLAUDE L. BERTIN ,  THOMAS RUECKES ,  BRENT M. SEGAL ,  BERNHARD VOGELI ,  DARREN K. BROCK ,  VENKATACHALAM C. JAIPRAKASH

发明人： CLAUDE L. BERTIN ,  THOMAS RUECKES ,  BRENT M. SEGAL ,  BERNHARD VOGELI ,  DARREN K. BROCK ,  VENKATACHALAM C. JAIPRAKASH

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L21/20 ,  H01L21/311

CPC分类号： H01L29/78 ,  B82Y10/00 ,  B82Y99/00 ,  G11C7/065 ,  G11C13/025 ,  G11C16/0416 ,  G11C17/16 ,  G11C17/165 ,  G11C23/00 ,  G11C2213/16 ,  G11C2213/17 ,  G11C2213/79 ,  H01H1/0094 ,  H01L27/10 ,  H01L27/1052 ,  H01L27/112 ,  H01L27/11206 ,  H01L27/115 ,  H01L27/286 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/42324 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0052 ,  H01L51/0508 ,  Y10S977/708 ,  Y10S977/724 ,  Y10S977/742 ,  Y10S977/762 ,  Y10S977/936 ,  Y10S977/938 ,  Y10S977/94 ,  Y10S977/943

摘要： Under one aspect, a field effect device includes a gate, a source, and a drain, with a conductive channel between the source and the drain; and a nanotube switch having a corresponding control terminal, said nanotube switch being positioned to control electrical conduction through said conductive channel. Under another aspect, a field effect device includes a gate having a corresponding gate terminal; a source having a corresponding source terminal; a drain having a corresponding drain terminal; a control terminal; and a nanotube switching element positioned between one of the gate, source, and drain and its corresponding terminal and switchable, in response to electrical stimuli at the control terminal and at least one of the gate, source, and drain terminals, between a first non-volatile state that enables current flow between the source and the drain and a second non-volatile state that disables current flow between the source and the drain.

摘要翻译： 在一个方面，场效应器件包括栅极，源极和漏极，源极和漏极之间具有导电沟道; 以及纳米管开关，其具有相应的控制端子，所述纳米管开关被定位成控制通过所述导电通道的导电。 另一方面，场效应器件包括具有相应栅极端子的栅极; 具有相应源端的源; 具有相应的漏极端子的漏极; 一个控制终端; 以及纳米管开关元件，其位于所述栅极，源极和漏极中的一个与其相应的端子之间，并且响应于所述控制端子和所述栅极，源极和漏极端子中的至少一个，在第一非极性 使得能够在源极和漏极之间流动的第一非易失性状态和禁止源极和漏极之间的电流的第二非易失性状态。

公开(公告)号：US20100022045A1

公开(公告)日：2010-01-28

申请号：US12469402

申请日：2009-05-20

申请人： BRENT M. SEGAL ,  THOMAS RUECKES ,  BERNHARD VOGELI ,  DARREN K. BROCK ,  VENKATACHALAM C. JAIPRAKASH ,  CLAUDE L. BERTIN

发明人： BRENT M. SEGAL ,  THOMAS RUECKES ,  BERNHARD VOGELI ,  DARREN K. BROCK ,  VENKATACHALAM C. JAIPRAKASH ,  CLAUDE L. BERTIN

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01G7/00 ,  H01C17/00

CPC分类号： G01N27/4146 ,  B82Y15/00 ,  G11C13/025 ,  Y10S977/902 ,  Y10S977/904 ,  Y10S977/92 ,  Y10S977/921 ,  Y10S977/922 ,  Y10S977/924 ,  Y10T29/43 ,  Y10T29/49082

摘要： Sensor platforms and methods of making them are described. A platform having a non-horizontally oriented sensor element comprising one or more nanostructures such as nanotubes is described. Under certain embodiments, a sensor element has or is made to have an affinity for an analyte. Under certain embodiments, such a sensor element comprises one or more pristine nanotubes. Under certain embodiments, the sensor element comprises derivatized or functionalized nanotubes. Under certain embodiments, a sensor is made by providing a support structure; providing one or more nanotubes on the structure to provide material for a sensor element; and providing circuitry to electrically sense the sensor element's electrical characterization. Under certain embodiments, the sensor element comprises pre-derivatized or pre-functionalized nanotubes. Under other embodiments, sensor material is derivatized or functionalized after provision on the structure or after patterning. Under certain embodiments, a large-scale array of sensor platforms includes a plurality of sensor elements.

摘要翻译： 介绍传感器平台及其制作方法。 描述了具有包括一个或多个纳米结构如纳米管的非水平定向的传感器元件的平台。 在某些实施方案中，传感器元件具有或被制成对分析物具有亲和性。 在某些实施例中，这种传感器元件包括一个或多个原始纳米管。 在某些实施方案中，传感器元件包括衍生的或功能化的纳米管。 在某些实施例中，通过提供支撑结构来制造传感器; 在所述结构上提供一个或多个纳米管以提供用于传感器元件的材料; 以及提供用于电感测传感器元件电特性的电路。 在某些实施方案中，传感器元件包括预衍生的或预功能化的纳米管。 在其它实施例中，传感器材料在结构上提供之后或在图案化之后被衍生化或功能化。 在某些实施例中，传感器平台的大规模阵列包括多个传感器元件。

公开(公告)号：US20080191742A1

公开(公告)日：2008-08-14

申请号：US12029118

申请日：2008-02-11

申请人： CLAUDE L. BERTIN

发明人： CLAUDE L. BERTIN

IPC分类号： H03K19/0175 ,  B82B1/00

CPC分类号： G11C13/025 ,  B82Y10/00 ,  G11C23/00 ,  G11C2213/17 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0591 ,  Y10S977/70

摘要： Receiver circuits using nanotube-based switches and transistors. A receiver circuit includes a differential input having a first and second input link, a differential output having a first and second output link, and first and second switching elements in electrical communication with the input links and the output links. Each switching element has an input node, an output node, a nanotube channel element, and a control structure disposed in relation to the nanotube channel element to controllably form and unform an electrically conductive channel between said input node and said output node. First and second MOS transistors are each in electrical communication with a reference signal and with the output node of a corresponding one of the first and second switching elements.

摘要翻译： 使用基于纳米管的开关和晶体管的接收器电路。 接收器电路包括具有第一和第二输入链路的差分输入，具有第一和第二输出链路的差分输出以及与输入链路和输出链路电连通的第一和第二开关元件。 每个开关元件具有输入节点，输出节点，纳米管通道元件和相对于纳米管通道元件设置的控制结构，以在所述输入节点和所述输出节点之间可控制地形成和取消导电通道。 第一和第二MOS晶体管各自与参考信号电连通，并且与第一和第二开关元件中相应的一个的输出节点电连通。