公开(公告)号：US08947916B2

公开(公告)日：2015-02-03

申请号：US13876390

申请日：2011-09-29

申请人： Bernard Dieny ,  Jerome Moritz ,  Ricardo Sousa

发明人： Bernard Dieny ,  Jerome Moritz ,  Ricardo Sousa

IPC分类号： G11C11/00 ,  G11C11/16 ,  H01F10/32 ,  H01L43/08

CPC分类号： G11C11/1675 ,  G11C11/16 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1673 ,  H01F10/3218 ,  H01F10/3268 ,  H01F10/3272 ,  H01F10/3286 ,  H01L43/08

摘要： A thermally assisted magnetic writing device including a first magnetic layer known as the “reference layer,” a second magnetic layer known as the “storage layer” that presents a variable magnetization direction, a spacer situated between the reference layer and the storage layer and a first antiferromagnetic layer in contact with the storage layer, the first antiferromagnetic layer being able to trap the magnetization direction of the storage layer. The magnetic device also includes a stabilization layer made of a ferromagnetic material, the stabilization layer being in contact with the first antiferromagnetic layer.

摘要翻译： 一种热辅助磁写入装置，包括被称为“参考层”的第一磁性层，被称为呈现可变磁化方向的“存储层”的第二磁性层，位于参考层和存储层之间的间隔件，以及 第一反铁磁层与存储层接触，第一反铁磁层能够捕获存储层的磁化方向。 磁性装置还包括由铁磁材料制成的稳定层，稳定层与第一反铁磁层接触。

公开(公告)号：US20130250671A1

公开(公告)日：2013-09-26

申请号：US13876390

申请日：2011-09-29

申请人： Bernard Dieny ,  Jerome Moritz ,  Ricardo Sousa

发明人： Bernard Dieny ,  Jerome Moritz ,  Ricardo Sousa

IPC分类号： G11C11/16

CPC分类号： G11C11/1675 ,  G11C11/16 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1673 ,  H01F10/3218 ,  H01F10/3268 ,  H01F10/3272 ,  H01F10/3286 ,  H01L43/08

摘要： A thermally assisted magnetic writing device including a first magnetic layer known as the “reference layer,” a second magnetic layer known as the “storage layer” that presents a variable magnetization direction, a spacer situated between the reference layer and the storage layer and a first antiferromagnetic layer in contact with the storage layer, the first antiferromagnetic layer being able to trap the magnetization direction of the storage layer. The magnetic device also includes a stabilization layer made of a ferromagnetic material, the stabilization layer being in contact with the first antiferromagnetic layer.

摘要翻译： 一种热辅助磁写入装置，包括被称为“参考层”的第一磁性层，被称为呈现可变磁化方向的“存储层”的第二磁性层，位于参考层和存储层之间的间隔件，以及 第一反铁磁层与存储层接触，第一反铁磁层能够捕获存储层的磁化方向。 磁性装置还包括由铁磁材料制成的稳定层，稳定层与第一反铁磁层接触。

公开(公告)号：US20080151615A1

公开(公告)日：2008-06-26

申请号：US11959816

申请日：2007-12-19

申请人： Bernard Rodmacq ,  Stephane Auffret ,  Bernard Dieny ,  Jerome Moritz

发明人： Bernard Rodmacq ,  Stephane Auffret ,  Bernard Dieny ,  Jerome Moritz

IPC分类号： G11C11/15 ,  H01F7/02 ,  C23C14/34

CPC分类号： H01F10/3236 ,  B82Y25/00 ,  B82Y40/00 ,  G01R33/0322 ,  G01R33/0325 ,  G01R33/07 ,  G01R33/093 ,  G11C11/18 ,  G11C11/5607 ,  H01F10/30 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3286 ,  H01F41/18 ,  H01F41/30 ,  H01L43/06 ,  H01L43/10 ,  H01L43/14 ,  Y10T428/115

摘要： This magnetic multilayer device comprises, on a substrate, an alternating sequence of magnetic metallic layers M and oxide, hydride or nitride layers O. The number of layers M equals at least two. The layers M are continuous. There is interfacial magnetic anisotropy perpendicular to the plane of the layers at the level of the M/O interfaces.

摘要翻译： 该磁性多层器件在衬底上包括磁性金属层M和氧化物，氢化物或氮化物层O的交替序列。层数M等于至少两个。 层M是连续的。 在M / O界面的水平上，垂直于层平面的界面磁各向异性。