公开(公告)号：US06597463B1

公开(公告)日：2003-07-22

申请号：US09880591

申请日：2001-06-13

申请人： Bhanwar Singh ,  Cristina Cheung ,  Jay Bhakta ,  Carmen Morales ,  Junwei Bao

发明人： Bhanwar Singh ,  Cristina Cheung ,  Jay Bhakta ,  Carmen Morales ,  Junwei Bao

IPC分类号： G01B1106

CPC分类号： G01B11/0641 ,  G01B11/0625

摘要： A system and method are disclosed for providing in-situ monitoring of an oxidized ARC layer disposed over an ARC layer. By monitoring the thickness of the oxidized portion of the ARC layer during semiconductor processing, one or more process control parameters may be adjusted to help achieve a desired oxidized portion thickness. As a result, the number of process steps required to achieve the desired oxidized portion thickness may be reduced, providing a more efficient and economical process

摘要翻译： 公开了用于提供设置在ARC层上的氧化ARC层的原位监测的系统和方法。 通过在半导体处理期间监测ARC层的氧化部分的厚度，可以调整一个或多个工艺控制参数以帮助实现所需的氧化部分厚度。 结果，可以减少实现所需氧化部分厚度所需的工艺步骤的数量，从而提供更有效和经济的工艺

公开(公告)号：US20120210289A1

公开(公告)日：2012-08-16

申请号：US13025654

申请日：2011-02-11

申请人： John J. Hench ,  Wen Jin ,  Junwei Bao

发明人： John J. Hench ,  Wen Jin ,  Junwei Bao

IPC分类号： G06F17/50

CPC分类号： G03F7/70491 ,  G03F7/70625 ,  H01L22/12

摘要： Methods of generating wide process range libraries for metrology are described. For example, a method includes generating a first library having a first process range for a first parameter. A second library is generated having a second process range for the first parameter. The second process range is overlapping with the first process range. The second library is stitched to the first library to generate a third library having a third process range for the first parameter. The third process range is wider than each of the first and second process ranges.

摘要翻译： 描述了生成用于度量的广泛过程范围库的方法。 例如，一种方法包括生成具有第一参数的第一处理范围的第一库。 生成具有第一参数的第二处理范围的第二库。 第二个处理范围与第一个处理范围重叠。 第二个库缝合到第一个库以生成第三个库，该第三个库具有第一个参数的第三个处理范围。 第三处理范围比第一和第二处理范围的宽。

公开(公告)号：US07588949B2

公开(公告)日：2009-09-15

申请号：US11699837

申请日：2007-01-29

申请人： Vi Vuong ,  Emmanuel Drege ,  Shifang Li ,  Junwei Bao

发明人： Vi Vuong ,  Emmanuel Drege ,  Shifang Li ,  Junwei Bao

IPC分类号： H01L21/00 ,  G06F19/00

CPC分类号： G03F7/70625 ,  G03F7/705

摘要： The optimization of an optical metrology model for use in measuring a wafer structure is evaluated. An optical metrology model having metrology model variables, which includes profile model parameters of a profile model, is developed. One or more goals for metrology model optimization are selected. One or more profile model parameters to be used in evaluating the one or more selected goals are selected. One or more metrology model variables to be set to fixed values are selected. One or more selected metrology model variables are set to fixed values. One or more termination criteria for the one or more selected goals are set. The optical metrology model is optimized using the fixed values for the one or more selected metrology model variables. Measurements for the one or more selected profile model parameters are obtained using the optimized optical metrology model. A determination is then made as to whether the one or more termination criteria are met by the obtained measurements.

摘要翻译： 评估用于测量晶片结构的光学测量模型的优化。 开发了具有度量模型变量的光学测量模型，其包括轮廓模型的轮廓模型参数。 选择计量模型优化的一个或多个目标。 选择要用于评估一个或多个所选目标的一个或多个简档模型参数。 选择要设置为固定值的一个或多个计量模型变量。 一个或多个选定的计量模型变量被设置为固定值。 设置一个或多个所选目标的一个或多个终止标准。 光学测量模型使用一个或多个所选计量模型变量的固定值进行优化。 使用优化的光学测量模型获得一个或多个所选轮廓模型参数的测量。 然后确定所获得的测量是否满足一个或多个终止标准。

公开(公告)号：US07525673B2

公开(公告)日：2009-04-28

申请号：US11484460

申请日：2006-07-10

申请人： Vi Vuong ,  Junwei Bao

发明人： Vi Vuong ,  Junwei Bao

IPC分类号： G01B11/14 ,  G01B11/24 ,  G01N21/86 ,  G01V8/00 ,  G01R31/26 ,  H01L21/66 ,  G06F17/00 ,  G01B7/00 ,  G01B15/00

CPC分类号： G01B11/24 ,  G03F7/70625

摘要： A system for examining a patterned structure formed on a semiconductor wafer using an optical metrology model includes a first fabrication cluster, a metrology cluster, an optical metrology model optimizer, and a real time profile estimator. The first fabrication cluster processes a wafer, the wafer having a first patterned and a first unpatterned structure. The metrology cluster measures diffraction signals off the first patterned and first unpatterned structure. The metrology model optimizer optimizes an optical metrology model of the first patterned structure. The real time profile estimator creates an output comprising underlying film thickness, critical dimension, and profile of the first patterned structure.

摘要翻译： 使用光学测量模型检查在半导体晶片上形成的图案化结构的系统包括第一制造集群，度量集群，光学计量模型优化器和实时分布估计器。 第一制造集群处理晶片，晶片具有第一图案化和第一未图案化结构。 测量簇测量第一图案化和第一无图案结构的衍射信号。 计量模型优化器优化了第一图案结构的光学测量模型。 实时轮廓估计器产生包括第一图案化结构的基底膜厚度，临界尺寸和轮廓的输出。

公开(公告)号：US07518740B2

公开(公告)日：2009-04-14

申请号：US11484459

申请日：2006-07-10

申请人： Jeffrey A. Chard ,  Junwei Bao ,  Youxian Wen ,  Sanjay Yedur

发明人： Jeffrey A. Chard ,  Junwei Bao ,  Youxian Wen ,  Sanjay Yedur

IPC分类号： G01B11/14 ,  G01B11/24 ,  G06F19/00

CPC分类号： G01B11/24

摘要： A profile model to characterize a structure to be examined using optical metrology is evaluated by displaying a set of profile parameters that characterizes the profile model. Each profile parameter has a range of values for the profile parameter. For each profile parameter having a range of values, an adjustment tool is displayed for selecting a value for the profile parameter within the range of values. A measured diffraction signal, which was measured using an optical metrology tool, is displayed. A simulated diffraction signal, which was generated based on the values of the profile parameters selected using the adjustment tools for the profile parameters, is displayed. The simulated diffraction signal is overlaid with the measured diffraction signal.

摘要翻译： 通过显示表征轮廓模型的一组轮廓参数来评估使用光学计量学来表征待检查结构的轮廓模型。 每个配置文件参数都有一个范围的配置文件参数的值。 对于具有值范围的每个轮廓参数，显示调整工具，用于在值范围内选择轮廓参数的值。 显示使用光学测量工具测量的测量的衍射信号。 显示基于使用用于轮廓参数的调整工具选择的轮廓参数的值而产生的模拟衍射信号。 模拟衍射信号与测得的衍射信号重叠。

公开(公告)号：US07515282B2

公开(公告)日：2009-04-07

申请号：US11173198

申请日：2005-07-01

申请人： Shifang Li ,  Vi Vuong ,  Alan Nolet ,  Junwei Bao

发明人： Shifang Li ,  Vi Vuong ,  Alan Nolet ,  Junwei Bao

IPC分类号： G01B11/14

CPC分类号： G01B11/24 ,  G03F7/70625

摘要： The profile of a structure having a region with a spatially varying property is modeled using an optical metrology model. A set of profile parameters is defined for the optical metrology model to characterize the profile of the structure. A set of layers is defined for a portion the optical metrology model that corresponds to the region of the structure with the spatially varying property, each layer having a defined height and width. For each layer, a mathematic function that varies across at least a portion of the width of the layer is defined to characterize the spatially varying property within a corresponding layer in the region of the structure.

摘要翻译： 使用光学测量模型对具有空间变化特性的区域的结构的轮廓进行建模。 为光学测量模型定义了一组轮廓参数，以表征结构轮廓。 对于与具有空间变化性质的结构区域对应的光学计量学模型的一部分定义了一组层，每层具有限定的高度和宽度。 对于每个层，在层的宽度的至少一部分上变化的数学函数被定义为表征结构区域中相应层内的空间变化特性。

公开(公告)号：US20080259357A1

公开(公告)日：2008-10-23

申请号：US12127640

申请日：2008-05-27

申请人： Joerg BISCHOFF ,  Xinhui Niu ,  Junwei Bao

发明人： Joerg BISCHOFF ,  Xinhui Niu ,  Junwei Bao

IPC分类号： G01B11/24

CPC分类号： G01B11/24 ,  G01N21/4788

摘要： The profile of a single feature formed on a wafer can be determined by obtaining an optical signature of the single feature using a beam of light focused on the single feature. The obtained optical signature can then be compared to a set of simulated optical signatures, where each simulated optical signature corresponds to a hypothetical profile of the single feature and is modeled based on the hypothetical profile.

摘要翻译： 可以通过使用聚焦在单个特征上的光束获得单个特征的光学特征来确定形成在晶片上的单个特征的轮廓。 所获得的光学特征随后可以与一组模拟的光学特征进行比较，其中每个模拟的光学特征对应于单个特征的假设轮廓，并且基于假设轮廓进行建模。

公开(公告)号：US20080170242A1

公开(公告)日：2008-07-17

申请号：US11653062

申请日：2007-01-12

申请人： Jeffrey Chard ,  Junwei Bao

发明人： Jeffrey Chard ,  Junwei Bao

IPC分类号： G01B11/14 ,  G01B11/24 ,  G01N23/20

CPC分类号： G01N23/20 ,  G03F7/70625 ,  H01L22/12

摘要： One or more profile parameters of a structure fabricated on a wafer in a wafer application are determined by developing a correlation between a set of profile models and one or more key profile shape variables. The wafer application has one or more process steps and one or more process parameters. Each profile model is defined using a set of profile parameters to characterize the shape of the structure. Different sets of profile parameters define the profile models in the set. The one or more key profile shape variables include one or more profile parameters or one or more process parameters. A value of at least one key profile shape variable of the process step of the wafer application to be used in fabricating the structure is determined. One profile model is selected from the set of profile models based on the determined correlation and the value of the at least one determined key profile shape variable. The structure is fabricated using the process step and the value of the at least one determined key profile shape variable determined. A measured diffraction signal off the fabricated structure is obtained. One or more profile parameters of the fabricated structure are determined based on the measured diffraction signal and the selected profile model.

摘要翻译： 通过在一组轮廓模型和一个或多个关键轮廓形状变量之间形成相关性来确定在晶片应用中在晶片上制造的结构的一个或多个轮廓参数。 晶片应用具有一个或多个工艺步骤和一个或多个工艺参数。 使用一组轮廓参数来定义每个轮廓模型以表征结构的形状。 不同的配置参数集定义集合中的配置文件模型。 一个或多个关键轮廓形状变量包括一个或多个轮廓参数或一个或多个过程参数。 确定要在制造结构中使用的晶片应用的处理步骤的至少一个关键轮廓形状变量的值。 基于所确定的相关性和至少一个确定的关键轮廓形状变量的值，从所述轮廓模型集中选择一个轮廓模型。 使用处理步骤和确定的至少一个确定的关键轮廓形状变量的值来制造该结构。 获得关于制造结构的测量的衍射信号。 基于所测量的衍射信号和选定的轮廓模型来确定所制造结构的一个或多个轮廓参数。

公开(公告)号：US07379192B2

公开(公告)日：2008-05-27

申请号：US11404645

申请日：2006-04-14

申请人： Joerg Bischoff ,  Xinhui Niu ,  Junwei Bao

发明人： Joerg Bischoff ,  Xinhui Niu ,  Junwei Bao

IPC分类号： G01B11/24

CPC分类号： G01B11/24 ,  G01N21/4788

摘要： The profile of a single feature formed on a wafer can be determined by obtaining an optical signature of the single feature using a beam of light focused on the single feature. The obtained optical signature can then be compared to a set of simulated optical signatures, where each simulated optical signature corresponds to a hypothetical profile of the single feature and is modeled based on the hypothetical profile.

摘要翻译： 可以通过使用聚焦在单个特征上的光束获得单个特征的光学特征来确定形成在晶片上的单个特征的轮廓。 所获得的光学特征随后可以与一组模拟的光学特征进行比较，其中每个模拟的光学特征对应于单个特征的假设轮廓，并且基于假设轮廓进行建模。

公开(公告)号：US20080071504A1

公开(公告)日：2008-03-20

申请号：US11946821

申请日：2007-11-28

申请人： Shifang Li ,  Junwei Bao ,  Wei Liu

发明人： Shifang Li ,  Junwei Bao ,  Wei Liu

IPC分类号： G06F15/00

CPC分类号： G01B11/24 ,  G03F7/70625

摘要： The accuracy of a library of simulated-diffraction signals for use in optical metrology of a structure formed on a wafer is evaluated by utilizing an identity relationship inherent to simulated diffraction signals. Each simulated diffraction signal contains at least one set of four reflectivity parameters for a wavelength and/or angle of incidence. One of the four reflectivity parameters is selected. A value for the selected reflectivity parameter is determined using the identity relationship and values of the remaining three reflectivity parameters. The determined value for the selected reflectivity parameter is compared to the value in the obtained set of four reflectivity parameters to evaluate and improve the accuracy of the library. The identity relationship can also be used to reduce the data storage in a library.

摘要翻译： 通过利用模拟衍射信号固有的身份关系来评估用于在晶片上形成的结构的光学计量学中的模拟衍射信号库的精度。 每个模拟衍射信号包含用于波长和/或入射角的至少一组四个反射率参数。 选择四个反射率参数之一。 使用身份关系和剩余的三个反射率参数的值确定所选反射率参数的值。 将所选反射率参数的确定值与获得的四个反射率参数组中的值进行比较，以评估和提高库的准确性。 身份关系也可用于减少库中的数据存储。