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    Sensor platform using a non-horizontally oriented nanotube element
    1.
    发明授权
    Sensor platform using a non-horizontally oriented nanotube element 有权
    传感器平台使用非水平取向的纳米管元件

    公开(公告)号：US07385266B2

    公开(公告)日：2008-06-10

    申请号：US10844883

    申请日：2004-05-12

    申请人： Brent M. Segal ,  Thomas Rueckes ,  Bernhard Vogeli ,  Darren Brock ,  Venkatachalam C. Jaiprakash ,  Claude L. Bertin

    发明人： Brent M. Segal ,  Thomas Rueckes ,  Bernhard Vogeli ,  Darren Brock ,  Venkatachalam C. Jaiprakash ,  Claude L. Bertin

    IPC分类号： H01L29/66

    CPC分类号： G01N27/4146 ,  B82Y15/00 ,  G11C13/025 ,  Y10S977/902 ,  Y10S977/904 ,  Y10S977/92 ,  Y10S977/921 ,  Y10S977/922 ,  Y10S977/924 ,  Y10T29/43 ,  Y10T29/49082

    摘要： Sensor platforms and methods of making them are described. A platform having a non-horizontally oriented sensor element comprising one or more nanostructures such as nanotubes is described. Under certain embodiments, a sensor element has or is made to have an affinity for an analyte. Under certain embodiments, such a sensor element comprises one or more pristine nanotubes. Under certain embodiments, the sensor element comprises derivatized or functionalized nanotubes. Under certain embodiments, a sensor is made by providing a support structure; providing one or more nanotubes on the structure to provide material for a sensor element; and providing circuitry to electrically sense the sensor element's electrical characterization. Under certain embodiments, the sensor element comprises pre-derivatized or pre-functionalized nanotubes. Under other embodiments, sensor material is derivatized or functionalized after provision on the structure or after patterning. Under certain embodiments, a large-scale array of sensor platforms includes a plurality of sensor elements.

    摘要翻译： 介绍传感器平台及其制作方法。 描述了具有包括一个或多个纳米结构如纳米管的非水平定向的传感器元件的平台。 在某些实施方案中，传感器元件具有或被制成对分析物具有亲和性。 在某些实施例中，这种传感器元件包括一个或多个原始纳米管。 在某些实施方案中，传感器元件包括衍生的或功能化的纳米管。 在某些实施例中，通过提供支撑结构来制造传感器; 在所述结构上提供一个或多个纳米管以提供用于传感器元件的材料; 以及提供用于电感测传感器元件电特性的电路。 在某些实施方案中，传感器元件包括预衍生的或预功能化的纳米管。 在其它实施例中，传感器材料在结构上提供之后或在图案化之后被衍生化或功能化。 在某些实施例中，传感器平台的大规模阵列包括多个传感器元件。

    Sensor platform using a horizontally oriented nanotube element
    2.
    发明授权
    Sensor platform using a horizontally oriented nanotube element 有权
    传感器平台采用水平取向的纳米管元件

    公开(公告)号：US07780918B2

    公开(公告)日：2010-08-24

    申请号：US10844913

    申请日：2004-05-12

    申请人： Brent M. Segal ,  Thomas Rueckes ,  Bernhard Vogeli ,  Darren Brock ,  Venkatachalam C. Jaiprakash ,  Claude L. Bertin

    发明人： Brent M. Segal ,  Thomas Rueckes ,  Bernhard Vogeli ,  Darren Brock ,  Venkatachalam C. Jaiprakash ,  Claude L. Bertin

    IPC分类号： G01N27/00

    CPC分类号： G01N27/4146 ,  B82Y15/00 ,  G11C13/025 ,  Y10S977/902 ,  Y10S977/904 ,  Y10S977/92 ,  Y10S977/921 ,  Y10S977/922 ,  Y10S977/924 ,  Y10T29/43 ,  Y10T29/49082

    摘要： Sensor platforms and methods of making them are described, and include platforms having horizontally oriented sensor elements comprising nanotubes or other nanostructures, such as nanowires. Under certain embodiments, a sensor element has an affinity for an analyte. Under certain embodiments, such a sensor element comprises one or more pristine nanotubes, and, under certain embodiments, it comprises derivatized or functionalized nanotubes. Under certain embodiments, a sensor is made by providing a support structure; providing a collection of nanotubes on the structure; defining a pattern within the nanotube collection; removing part of the collection so that a patterned collection remains to form a sensor element; and providing circuitry to electrically sense the sensor's electrical characterization. Under certain embodiments, the sensor element comprises pre-derivatized or pre-functionalized nanotubes. Under certain embodiments, sensor material is derivatized or functionalized after provision on the structure or after patterning. Under certain embodiments, a large-scale array includes multiple sensors.

    摘要翻译： 描述了传感器平台及其制造方法，并且包括具有包括纳米管或其他纳米结构（例如纳米线）的水平定向的传感器元件的平台。 在某些实施方案中，传感器元件对分析物具有亲和力。 在某些实施方案中，这种传感器元件包括一个或多个原始纳米管，并且在某些实施方案中，其包含衍生化或官能化的纳米管。 在某些实施例中，通过提供支撑结构来制造传感器; 在结构上提供纳米管的集合; 定义纳米管集合内的图案; 去除部分集合，使得图案化的集合保持形成传感器元件; 以及提供用于电感测传感器电特性的电路。 在某些实施方案中，传感器元件包括预衍生的或预功能化的纳米管。 在某些实施方案中，传感器材料在提供在结构上或在图案化之后被衍生化或官能化。 在某些实施例中，大规模阵列包括多个传感器。

    Non-volatile RAM cell and array using nanotube switch position for information state
    4.
    发明授权
    Non-volatile RAM cell and array using nanotube switch position for information state 有权
    非易失性RAM单元和阵列使用纳米管开关位置进行信息状态

    公开(公告)号：US07113426B2

    公开(公告)日：2006-09-26

    申请号：US10810963

    申请日：2004-03-26

    申请人： Thomas Rueckes ,  Brent M. Segal ,  Bernard Vogeli ,  Darren Brock ,  Venkatachalam C. Jaiprakash ,  Claude L. Bertin

    发明人： Thomas Rueckes ,  Brent M. Segal ,  Bernard Vogeli ,  Darren Brock ,  Venkatachalam C. Jaiprakash ,  Claude L. Bertin

    IPC分类号： G11C11/34 ,  G11C11/00

    CPC分类号： G11C23/00 ,  B82Y10/00 ,  G11C13/025

    摘要： Non-Volatile RAM Cell and Array using Nanotube Switch Position for Information State. A non-volatile memory array includes a plurality of memory cells, each cell receiving a bit line, word line, and release line. Each memory cell includes a cell selection transistor with first, second and third nodes. The first and second nodes are in respective electrical communication with the bit line and the word line. Each cell further includes an electromechanically deflectable switch, having a first, second and third node. The first node is in electrical communication with the release line, and a third node is in electrical communication with the third node of the cell selection transistor. The electromechanically deflectable switch includes a nanotube switching element physically positioned between the first and third nodes of the switch and in electrical communication with the second node of the switch. The second node of the switch is in communication with a reference signal. Each nanotube switching element is deflectable into contact with the third node of the switch in response to signals at the first and second node of the cell selection transistor and is releasable from such contact in response to a signal at the release line. In preferred embodiments, the cell selection transistor is a FET and the second node of the transistor is a gate of the FET.

    摘要翻译： 非易失性RAM单元和阵列使用纳米管切换位置信息状态。 非易失性存储器阵列包括多个存储器单元，每个单元接收位线，字线和释放线。 每个存储单元包括具有第一，第二和第三节点的单元选择晶体管。 第一和第二节点与位线和字线分别电气通信。 每个单元还包括具有第一，第二和第三节点的机电偏转开关。 第一节点与释放线电连通，第三节点与小区选择晶体管的第三节点电通信。 机电可偏转开关包括物理地位于开关的第一和第三节点之间并与开关的第二节点电通信的纳米管开关元件。 交换机的第二个节点与参考信号通信。 每个纳米管开关元件响应于电池选择晶体管的第一和第二节点处的信号而偏转成与开关的第三节点接触，并且响应于释放线处的信号而可从该接触件释放。 在优选实施例中，电池选择晶体管是FET，晶体管的第二节点是FET的栅极。

    Sensor platform using a non-horizontally oriented nanotube element
    5.
    发明申请
    Sensor platform using a non-horizontally oriented nanotube element 有权
    传感器平台使用非水平取向的纳米管元件

    公开(公告)号：US20050065741A1

    公开(公告)日：2005-03-24

    申请号：US10844883

    申请日：2004-05-12

    申请人： Brent Segal ,  Thomas Rueckes ,  Bernhard Vogeli ,  Darren Brock ,  Venkatachalam Jaiprakash ,  Claude Bertin

    发明人： Brent Segal ,  Thomas Rueckes ,  Bernhard Vogeli ,  Darren Brock ,  Venkatachalam Jaiprakash ,  Claude Bertin

    IPC分类号： B81B3/00 ,  G01N27/00 ,  G01N27/02 ,  G01N27/12 ,  G01N27/22 ,  G01N27/414 ,  G01N33/487 ,  G01R15/00

    CPC分类号： G01N27/4146 ,  B82Y15/00 ,  G11C13/025 ,  Y10S977/902 ,  Y10S977/904 ,  Y10S977/92 ,  Y10S977/921 ,  Y10S977/922 ,  Y10S977/924 ,  Y10T29/43 ,  Y10T29/49082

    摘要： Sensor platforms and methods of making them are described. A platform having a non-horizontally oriented sensor element comprising one or more nanostructures such as nanotubes is described. Under certain embodiments, a sensor element has or is made to have an affinity for an analyte. Under certain embodiments, such a sensor element comprises one or more pristine nanotubes. Under certain embodiments, the sensor element comprises derivatized or functionalized nanotubes. Under certain embodiments, a sensor is made by providing a support structure; providing one or more nanotubes on the structure to provide material for a sensor element; and providing circuitry to electrically sense the sensor element's electrical characterization. Under certain embodiments, the sensor element comprises pre-derivatized or pre-functionalized nanotubes. Under other embodiments, sensor material is derivatized or functionalized after provision on the structure or after patterning. Under certain embodiments, a large-scale array of sensor platforms includes a plurality of sensor elements.

    摘要翻译： 介绍传感器平台及其制作方法。 描述了具有包括一个或多个纳米结构如纳米管的非水平定向的传感器元件的平台。 在某些实施方案中，传感器元件具有或被制成对分析物具有亲和性。 在某些实施例中，这种传感器元件包括一个或多个原始纳米管。 在某些实施方案中，传感器元件包括衍生的或功能化的纳米管。 在某些实施例中，通过提供支撑结构来制造传感器; 在所述结构上提供一个或多个纳米管以提供用于传感器元件的材料; 以及提供用于电感测传感器元件电特性的电路。 在某些实施方案中，传感器元件包括预衍生的或预功能化的纳米管。 在其它实施例中，传感器材料在结构上提供之后或在图案化之后被衍生化或功能化。 在某些实施例中，传感器平台的大规模阵列包括多个传感器元件。